一種LED 芯片制備方法

專利名稱：一種LED 芯片制備方法

專利申請號：2020106087396

公布號：CN111710761A

申請日：2020.06.29 公開日：2020.09.25

申請人：湘能華磊光電股份有限公司

本發明提供了一種LED 芯片制備方法。包括：在襯底上生長完整LED 結構外延片；在第二半導體層上制備電流擴展層，通過光刻工藝和腐蝕工藝制備電流擴展層圖形；依次刻蝕電流擴展層、第二半導體層、多量子阱層和第一半導體層；采用腐蝕工藝對電流擴展層邊緣進行腐蝕，使第二半導體層邊緣超出電流擴展層邊緣；沉積絕緣層；通過光刻工藝制備電極圖形，并通過腐蝕工藝制備電極孔；制備P 電極和N 電極，制備出完整LED 芯片。本發明先進行電流擴展層的制備，然后通過光刻工藝和腐蝕工藝制備電流擴展層圖形，再對器件進行刻蝕，可避免在刻蝕后再制備電流擴展層時導致第二半導體層和多量子阱層的側面、第一半導體層的上表面有電流擴展層材料殘留而引起漏電。