鍍膜對金屬材料表面二次電子發射系數的影響

柳 鈺，梁昌慧，梅策香，劉 婷

（咸陽師范學院 物理與電子工程學院，陜西 咸陽 712000）

材料表面二次電子發射現象早在20世紀20年代被發現。它的產生機理是材料內部電子的激發，當材料表面受到高速電子的沖擊時，在特定的條件下該電子會在材料表面發生兩種情況，即彈性正碰和非彈性進入。當前者發生時，高速電子被反彈回來就形成了相當于電子二次發射的現象；當后一種情況發生時，高速電子的動能會傳入材料內部，從而激發材料內部的高能帶電子發射出來形成二次電子。直到20世紀80年代，隨著晶體器件保持摩爾定律發展，器件越來越小，集成度越來越高，二次電子發射現象在器件中的影響越來越明顯，終于到了不能忽略的地步，所以對抑制二次電子發射的研究也從此時正式開始[1-2]。

二次電子發射又叫二次電子的倍增放電現象，它是一種在射頻條件下的放電擊穿現象。這種擊穿現象根據環境以及條件不同共分為以下兩種：一種是在兩個金屬板之間的擊穿現象，另一種是單介質表面產生的微放電現象[3]。本文主要研究后一種情況。

微放電效應會在器件內部產生一個不必要的噪音電場，這個電場對于器件的正常工作狀態和使用壽命都非常不利。微放電效應對微波器件的危害有：使諧振的設備失諧，從而導致所傳輸的信號波嚴重失調；使金屬內部氣體發生溢出，從而產生氣體放電；會產生接近載波頻率的帶寬很小的噪聲；……