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氣體分子對器壁的碰撞問題

2014-04-10 20:41:34顧家國
理科考試研究·高中 2014年3期

顧家國

我們知道,氣體對容器壁產(chǎn)生的壓強是大量氣體分子頻繁碰撞器壁,使器壁受到一個平均持續(xù)的沖力而產(chǎn)生的,由此衍生出這樣的一個問題:氣體分子在單位時間對單位面積器壁的碰撞次數(shù),跟氣體的壓強、溫度有什么關系?這樣的問題在高考題的選擇題中進行了考查,得分率相當?shù)?究其原因,是此問題已經(jīng)稍微超出中學物理的教學要求,其理論依據(jù)要用到大學普通物理中的相關知識.由于高中物理教材配套的練習中有類似的問題,高考中也曾經(jīng)考查到,因此有必要對此問題進行探討.以下探討過程中,認為氣體是單原子分子的理想氣體.

1.不考慮氣體分子麥克斯韋速度分布規(guī)律,探討氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N的決定因素.

設分子質(zhì)量為m,平均速率為v,單位體積內(nèi)的分子數(shù)即分子數(shù)密度為n,建立圖示模型:設柱體底面積為s,長為l,令l=vt,則柱體內(nèi)分子總數(shù)N0=nsl=nsvt,因分子向各個方向運動的幾率相等,所以在t時間內(nèi)與柱體底面碰撞的分子總數(shù)為

N0′=16N0

設單位時間撞擊單位面積的分子數(shù)為N,則

N=16nv ①

分子碰撞器壁前后動量的變化量為Δp=2mvN0′,再根據(jù)動量定理Δp=Ft,得氣體壓強P=FS=13nmv2,解得

N=163nPm ②

根據(jù)氣體溫度和分子平均動能的關系

Ek=12mv2=32kT,

近似認為v2=v2 ,得到P=nkT,可以推導出:

N=16n3kTm=P12mkT ③

③式就是氣體分子在單位時間對單位面積器壁的碰撞分子數(shù)即碰撞次數(shù)N和氣體的壓強、溫度的關系.

2.根據(jù)氣體分子麥克斯韋速度分布規(guī)律,探討氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N的決定因素.

我們知道,氣體分子速率分布遵循“中間多、兩頭少”的麥克斯韋速度分布規(guī)律,根據(jù)此規(guī)律提供的速度分布函數(shù),利用數(shù)學上的積分知識,可以得到

N=14nv ④

壓強P=13nmv2,根據(jù)麥克斯韋速度分布的方均根速率

v2=3kTm,得

N=nP2πm ⑤

根據(jù)麥克斯韋速度分布的平均速率v=8kTπm ,得:

N=14nv=14n8kTπm=P2πmkT ⑥

⑥式就是按照麥克斯韋速度分布規(guī)律得到的氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N和壓強、溫度的關系.

3.定性判斷方法.

對比③⑥表達式,我們發(fā)現(xiàn),由于采用不同的物理模型,得到的計算公式不同,但是對于定性分析相關結論卻是一致的,從而可以得到這樣的定性判斷方法:

N∝PT.

式中N為氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù),P為氣體壓強,T為氣體的熱力學溫度.

利用此方法,我們可以迅速地解答以下兩道高考題:

1.對一定量的氣體,若用N表示單位時間內(nèi)與器壁單位面積碰撞的分子數(shù),則( C )

A.當體積減小時,N必定增加

B.當溫度升高時,N必定增加

C.當壓強不變而體積和溫度變化時,N必定變化

D.當壓強不變而體積和溫度變化時,N可能不變

2.封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的氣體,如果保持氣體體積不變,當溫度升高時,以下說法正確的是( D )

A.氣體的密度增大

B.氣體的壓強增大

C.氣體分子的平均動能減小

D.每秒撞擊單位面積器壁的氣體分子數(shù)增多

提示:由于氣體體積不變,所以P∝T,根據(jù)N∝PT,可得N∝T.

通過FAEH部分也可求得相同的結果.

整個回路相當于是由FCDH部分和FAEH部分兩個內(nèi)阻相同電動勢不同的電源串聯(lián)而成.雖然求FH兩點之間電壓好像要用到含源電路的相關知識,其實只要知道電路中,電流經(jīng)過電阻之后電勢降低;在電源內(nèi)部,從負極到正極電勢升高;然后將兩方面的電勢升降進行求和即可.

總之,在電磁感應中,有些問題貌似熟悉而又簡單,其實未必如此.一定要充分的利用所學的知識和理論,畫出等效電路,仔細分析,認真運算,才可以將那些易混淆的問題徹底搞清.

我們知道,氣體對容器壁產(chǎn)生的壓強是大量氣體分子頻繁碰撞器壁,使器壁受到一個平均持續(xù)的沖力而產(chǎn)生的,由此衍生出這樣的一個問題:氣體分子在單位時間對單位面積器壁的碰撞次數(shù),跟氣體的壓強、溫度有什么關系?這樣的問題在高考題的選擇題中進行了考查,得分率相當?shù)?究其原因,是此問題已經(jīng)稍微超出中學物理的教學要求,其理論依據(jù)要用到大學普通物理中的相關知識.由于高中物理教材配套的練習中有類似的問題,高考中也曾經(jīng)考查到,因此有必要對此問題進行探討.以下探討過程中,認為氣體是單原子分子的理想氣體.

1.不考慮氣體分子麥克斯韋速度分布規(guī)律,探討氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N的決定因素.

設分子質(zhì)量為m,平均速率為v,單位體積內(nèi)的分子數(shù)即分子數(shù)密度為n,建立圖示模型:設柱體底面積為s,長為l,令l=vt,則柱體內(nèi)分子總數(shù)N0=nsl=nsvt,因分子向各個方向運動的幾率相等,所以在t時間內(nèi)與柱體底面碰撞的分子總數(shù)為

N0′=16N0

設單位時間撞擊單位面積的分子數(shù)為N,則

N=16nv ①

分子碰撞器壁前后動量的變化量為Δp=2mvN0′,再根據(jù)動量定理Δp=Ft,得氣體壓強P=FS=13nmv2,解得

N=163nPm ②

根據(jù)氣體溫度和分子平均動能的關系

Ek=12mv2=32kT,

近似認為v2=v2 ,得到P=nkT,可以推導出:

N=16n3kTm=P12mkT ③

③式就是氣體分子在單位時間對單位面積器壁的碰撞分子數(shù)即碰撞次數(shù)N和氣體的壓強、溫度的關系.

2.根據(jù)氣體分子麥克斯韋速度分布規(guī)律,探討氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N的決定因素.

我們知道,氣體分子速率分布遵循“中間多、兩頭少”的麥克斯韋速度分布規(guī)律,根據(jù)此規(guī)律提供的速度分布函數(shù),利用數(shù)學上的積分知識,可以得到

N=14nv ④

壓強P=13nmv2,根據(jù)麥克斯韋速度分布的方均根速率

v2=3kTm,得

N=nP2πm ⑤

根據(jù)麥克斯韋速度分布的平均速率v=8kTπm ,得:

N=14nv=14n8kTπm=P2πmkT ⑥

⑥式就是按照麥克斯韋速度分布規(guī)律得到的氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N和壓強、溫度的關系.

3.定性判斷方法.

對比③⑥表達式,我們發(fā)現(xiàn),由于采用不同的物理模型,得到的計算公式不同,但是對于定性分析相關結論卻是一致的,從而可以得到這樣的定性判斷方法:

N∝PT.

式中N為氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù),P為氣體壓強,T為氣體的熱力學溫度.

利用此方法,我們可以迅速地解答以下兩道高考題:

1.對一定量的氣體,若用N表示單位時間內(nèi)與器壁單位面積碰撞的分子數(shù),則( C )

A.當體積減小時,N必定增加

B.當溫度升高時,N必定增加

C.當壓強不變而體積和溫度變化時,N必定變化

D.當壓強不變而體積和溫度變化時,N可能不變

2.封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的氣體,如果保持氣體體積不變,當溫度升高時,以下說法正確的是( D )

A.氣體的密度增大

B.氣體的壓強增大

C.氣體分子的平均動能減小

D.每秒撞擊單位面積器壁的氣體分子數(shù)增多

提示:由于氣體體積不變,所以P∝T,根據(jù)N∝PT,可得N∝T.

通過FAEH部分也可求得相同的結果.

整個回路相當于是由FCDH部分和FAEH部分兩個內(nèi)阻相同電動勢不同的電源串聯(lián)而成.雖然求FH兩點之間電壓好像要用到含源電路的相關知識,其實只要知道電路中,電流經(jīng)過電阻之后電勢降低;在電源內(nèi)部,從負極到正極電勢升高;然后將兩方面的電勢升降進行求和即可.

總之,在電磁感應中,有些問題貌似熟悉而又簡單,其實未必如此.一定要充分的利用所學的知識和理論,畫出等效電路,仔細分析,認真運算,才可以將那些易混淆的問題徹底搞清.

我們知道,氣體對容器壁產(chǎn)生的壓強是大量氣體分子頻繁碰撞器壁,使器壁受到一個平均持續(xù)的沖力而產(chǎn)生的,由此衍生出這樣的一個問題:氣體分子在單位時間對單位面積器壁的碰撞次數(shù),跟氣體的壓強、溫度有什么關系?這樣的問題在高考題的選擇題中進行了考查,得分率相當?shù)?究其原因,是此問題已經(jīng)稍微超出中學物理的教學要求,其理論依據(jù)要用到大學普通物理中的相關知識.由于高中物理教材配套的練習中有類似的問題,高考中也曾經(jīng)考查到,因此有必要對此問題進行探討.以下探討過程中,認為氣體是單原子分子的理想氣體.

1.不考慮氣體分子麥克斯韋速度分布規(guī)律,探討氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N的決定因素.

設分子質(zhì)量為m,平均速率為v,單位體積內(nèi)的分子數(shù)即分子數(shù)密度為n,建立圖示模型:設柱體底面積為s,長為l,令l=vt,則柱體內(nèi)分子總數(shù)N0=nsl=nsvt,因分子向各個方向運動的幾率相等,所以在t時間內(nèi)與柱體底面碰撞的分子總數(shù)為

N0′=16N0

設單位時間撞擊單位面積的分子數(shù)為N,則

N=16nv ①

分子碰撞器壁前后動量的變化量為Δp=2mvN0′,再根據(jù)動量定理Δp=Ft,得氣體壓強P=FS=13nmv2,解得

N=163nPm ②

根據(jù)氣體溫度和分子平均動能的關系

Ek=12mv2=32kT,

近似認為v2=v2 ,得到P=nkT,可以推導出:

N=16n3kTm=P12mkT ③

③式就是氣體分子在單位時間對單位面積器壁的碰撞分子數(shù)即碰撞次數(shù)N和氣體的壓強、溫度的關系.

2.根據(jù)氣體分子麥克斯韋速度分布規(guī)律,探討氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N的決定因素.

我們知道,氣體分子速率分布遵循“中間多、兩頭少”的麥克斯韋速度分布規(guī)律,根據(jù)此規(guī)律提供的速度分布函數(shù),利用數(shù)學上的積分知識,可以得到

N=14nv ④

壓強P=13nmv2,根據(jù)麥克斯韋速度分布的方均根速率

v2=3kTm,得

N=nP2πm ⑤

根據(jù)麥克斯韋速度分布的平均速率v=8kTπm ,得:

N=14nv=14n8kTπm=P2πmkT ⑥

⑥式就是按照麥克斯韋速度分布規(guī)律得到的氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù)N和壓強、溫度的關系.

3.定性判斷方法.

對比③⑥表達式,我們發(fā)現(xiàn),由于采用不同的物理模型,得到的計算公式不同,但是對于定性分析相關結論卻是一致的,從而可以得到這樣的定性判斷方法:

N∝PT.

式中N為氣體分子在單位時間對單位面積器壁碰撞次數(shù),P為氣體壓強,T為氣體的熱力學溫度.

利用此方法,我們可以迅速地解答以下兩道高考題:

1.對一定量的氣體,若用N表示單位時間內(nèi)與器壁單位面積碰撞的分子數(shù),則( C )

A.當體積減小時,N必定增加

B.當溫度升高時,N必定增加

C.當壓強不變而體積和溫度變化時,N必定變化

D.當壓強不變而體積和溫度變化時,N可能不變

2.封閉在氣缸內(nèi)一定質(zhì)量的氣體,如果保持氣體體積不變,當溫度升高時,以下說法正確的是( D )

A.氣體的密度增大

B.氣體的壓強增大

C.氣體分子的平均動能減小

D.每秒撞擊單位面積器壁的氣體分子數(shù)增多

提示:由于氣體體積不變,所以P∝T,根據(jù)N∝PT,可得N∝T.

通過FAEH部分也可求得相同的結果.

整個回路相當于是由FCDH部分和FAEH部分兩個內(nèi)阻相同電動勢不同的電源串聯(lián)而成.雖然求FH兩點之間電壓好像要用到含源電路的相關知識,其實只要知道電路中,電流經(jīng)過電阻之后電勢降低;在電源內(nèi)部,從負極到正極電勢升高;然后將兩方面的電勢升降進行求和即可.

總之,在電磁感應中,有些問題貌似熟悉而又簡單,其實未必如此.一定要充分的利用所學的知識和理論,畫出等效電路,仔細分析,認真運算,才可以將那些易混淆的問題徹底搞清.

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