脈沖激光沉積制備NiO薄膜的研究進展

摘 要:NiO作為一種優良的半導體材料，在傳感器、催化劑、電致變色器件等領域都有著廣泛的應用，納米NiO又是很有前途的鋰離子電池電極材料。脈沖激光沉積作為一種制備高質量NiO薄膜的可行方法。本文綜述了脈沖激光沉積制備NiO薄膜的研究進展，包括多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。

關鍵詞:NiO脈沖激光沉積薄膜

中圖分類號:TN3文獻標識碼:A文章編號:1674-098X(2011)09(a)-0001-02

1 引言

NiO是一種多功能的寬禁帶半導體材料，室溫下的禁帶寬度為3.6～4.0eV。作為p型半導體，它能夠獲得足夠大的信噪比，并且它允許通過的電流足夠小，是一種很好的非易失存儲器材料[1];2000年Pioizot等[2]報道了納米尺寸NiO作為鋰離子電池的陽極材料具有出色的電化學性質，是很有前途的鋰離子電池陽極材料。此外，由于NiO薄膜具有優良的氣敏性、熱敏性、催化活性、電致變色等特性，使其成為傳感器、催化劑、電致變色器件等方面的熱門材料。

目前制備NiO薄膜的方法主要有:溶膠-凝膠，磁控濺射，化學氣相沉積，脈沖激光沉積等。脈沖激光沉積(Pulsed laser deposition，PLD)是20世紀80年代末迅速發展起來的一種真空物理沉積工藝，是一種先進的成膜技術。PLD法是制備NiO薄膜的重要方法，相對于其他沉積方法，其優點在于:沉積速率高，沉積參數獨立可調，可精確控制化學計量比，在較低溫度下也能沉積結晶良好的薄膜等。下面分兩種薄膜類型來介紹:多晶NiO薄膜和外延NiO薄膜。

2 PLD法制備多晶NiO薄膜

目前使用脈沖激光沉積制備NiO薄膜還處在嘗試不同沉積參數以獲得高質量薄膜的階段，需要通過大量制備實驗研究。……