礦井瞬變電磁法接收端單向屏蔽

王雷生， 程久龍， 徐忠忠

(1.中國礦業大學(北京)地球科學與測繪工程學院， 北京 100083； 2.天津市地質環境監測總站， 天津 300110)

礦井瞬變電磁法是一種非接觸式的時間域電磁勘探方法，在礦井隱蔽水體探測中得到廣泛的應用[1-2]。然而礦井瞬變電磁法由于受到全空間效應的影響，使得其有效信號容易受到來自非探測方向異常信號的干擾，進而影響探測結果的準確性[3-4]。

電磁屏蔽技術主要是通過線圈或者屏蔽罩等裝置，通過特殊的設計來抑制異常信號。席振銖等[5]研究了等值反磁通淺層瞬變電磁法，該方法采用兩個發射線圈作為發射源，通過發射線圈建立的零磁通平面實現接收線圈對一次場的信號的屏蔽，有效地減小了瞬變電磁探測中的盲區；魏生寶等[6]對傳統的點式工程探傷探頭進行改進，通過增加屏蔽裝置增強探頭的靈敏度以及抗干擾性能；汪凱斌[7]采用法拉第屏蔽方式對礦井瞬變電磁法感應探頭進行屏蔽處理，主要是阻斷線圈與放大電路之間電場耦合，以降低噪聲的影響。目前尚無從根本上解決瞬變電磁全空間效應實現指向性探測的方法，因此如何從根本上解決礦井瞬變電磁全空間效應問題對提高探測結果的準確性至關重要?，F以電磁屏蔽理論為基礎，通過理論計算、數值仿真、物理模擬實驗等方法，以期望確定屏蔽裝置材料及結構設計參數，并且驗證屏蔽裝置的單向電磁屏蔽效果，進而為礦井瞬變電磁法井下接收端單向屏蔽技術的應用提供重要的參考。

1 單向屏蔽裝置材料的選擇

磁場屏蔽根據所屏蔽磁場的頻率特點可以分為靜磁屏蔽、中高頻磁場屏蔽以及電磁波場屏蔽。

在靜磁狀態下屏蔽效能(shielding effect, SE)計算公式[8]為

(1)

中、高頻磁場屏蔽效能計算公式[9-10]為

(2)

電磁波場屏蔽效能計算公式為

(3)

根據磁場屏蔽效能公式以及常用的電磁屏蔽材料的相關參數(表1)可知，磁場的屏蔽效果是屏蔽體的形狀、材料、厚度等參數綜合作用的結果。

為了比較不同材料對于磁場屏蔽的效果，采用等效球體[11]進行磁場屏蔽效果研究，根據屏蔽效能公式繪制屏蔽效能變化曲線如圖1～圖4所示。

如圖1所示，在靜磁條件下，銅沒有任何的屏蔽作用，1J78型坡莫合金有明顯的優勢，可以作為靜磁及低頻磁場首選的屏蔽材料。

表1 常見材料的電導率以及磁導率Table 1 Conductivity and permeability of common materials

如圖2所示，在中、高磁場中，1J78型坡莫合金較其他金屬材料具有明顯的中、低頻磁場屏蔽的優勢，且在高頻階段依然能有較好的效果。

圖3所示為不同材料對不同頻率電磁波場的屏蔽效能。從圖3可以看出電磁波場屏蔽起主導性作用的是吸收損耗和反射損耗。

圖1 不同材料靜磁屏蔽效能Fig.1 Magnetostatic shielding effectiveness of different materials

圖2 不同材料中、高頻磁場屏蔽效能Fig.2 The shielding effectiveness of medium and high-frequency magnetic fields of different materials

圖3 不同材料電磁波場屏蔽效能Fig.3 Electromagnetic wave field shielding effectiveness of different materials

圖4 不同材料電磁波場總屏蔽效能Fig.4 The total shielding effectiveness of electromagnetic wave fields of different materials

從圖4可以看出，電磁波場總屏蔽效能SE在電磁場20 kHz以下時，屏蔽效能關系為SECu>SEFe> SE1J78>SE1J45，此時主要由波阻抗差異產生的反射損耗R起決定性作用；總屏蔽效能SE在電磁場大于20 kHz時，總屏蔽效能關系為SE1J78>SEFe>SE1J45> SECu，此時銅的屏蔽效能變化不大，而高磁導性材料的屏蔽效能上升明顯且起決定性作用。

瞬變電磁二次磁場頻帶較寬，且總體上頻率相對較低，1J78型坡莫合金在低頻磁場屏蔽效能上具有明顯的優勢，且在高頻磁場的屏蔽效能也相對較強，可以作為瞬變電磁二次磁場單向屏蔽材料。

2 單向屏蔽裝置結構的確定

2.1 仿真模型的建立

為了便于定量分析屏蔽裝置的不同結構對單向屏蔽效果的影響，通過建立井下全空間條件下屏蔽裝置的仿真模型，計算不同結構屏蔽裝置最佳單向屏蔽效果時的相關參數，為屏蔽裝置的設計提供依據。通過COMSOL Multiphysics內嵌的三維建模工具，建立地電場模型，如圖5所示。地電模型第一層的電阻率設為100 Ω·m，層厚設置為170 m，第二層煤系地層，電阻率設為200 Ω·m，層厚設置為60 m，第三層電阻率設為500 Ω·m，層厚設置為170 m，每層長寬尺寸均為1 000 m×400 m；煤系地層距離底板30 m位置沿Z軸方向，設置500 m×5 m×5 m(長×高×寬)的巷道，巷道介質設置為空氣。Z軸方向距發射線圈100 m位置，放置直徑20 m低阻球體異常體，電阻率為1 Ω·m。發射線圈半徑1 m，匝數為40，設置峰值電流5 A和關斷時間0.1 ms的階躍電流函數。通過在發射線圈中加載階躍電流的方式，模擬發射線圈中瞬變電磁場的建立過程；采用布設磁場探針的方式代替接收線圈讀取屏蔽罩內外空間不同位置的二次場數據，通過定量分析屏蔽罩內外不同位置的二次場信號強度來分析其單向屏蔽效果。

將創建好的屏蔽罩(圖6)放置在仿真模擬的瞬變電磁二次場中，在屏蔽罩中布置測線讀取屏蔽罩內外磁場強度，如圖7所示。通過改變屏蔽罩的參數，分析其對于屏蔽效能的影響，進而得到屏蔽罩實現單向屏蔽效果的相關參數，為之后物理實驗材料的選擇以及屏蔽罩的設計提供依據。

圖5 全空間三層地電模型Fig.5 Three-layer geoelectric model in the whole space

圖6 錐體屏蔽罩模型Fig.6 Cone shield model

圖7 磁場探針測線布置模型Fig.7 Layout model of the magnetic field probe line

2.2 仿真計算方法

由于屏蔽罩為薄壁結構，為了同時保證計算精度和提高計算效率，采用不均勻網格對礦井全空間三層地電模型進行剖分；全空間正四面體剖分單元格尺寸為最大25 m、最小0.5 m，異常體及發射線圈尺寸為最大1 m、最小0.01 m。

場源加載及求解是通過添加COMSOL Multiphysics中AC/DC模塊中的磁場H實現的。首先將安培定律方程、磁絕緣邊界條件、磁矢勢初始值均設置為0；其次，設置瞬態研究時間步容和求解器配置，最后設置磁場Z分量對數坐標方程lgH(Hz)、顏色范圍以及成圖質量等。圖8為瞬變電磁場響應數值仿真的流程圖。

圖8 瞬變電磁仿真流程圖Fig.8 Modeling flow chart of TEM

2.3 屏蔽裝置形狀

根據等效體積原則，建立不同形狀的屏蔽罩模型，參數見表2。屏蔽罩的材料為1J78型坡莫合金(電導率為1.47×106S/m，相對磁導率為8 000)。將建好的屏蔽罩模型放置于三維地電模型中。

根據模型中設置的測線，讀取的磁場Z分量強度，繪制出不同形狀屏蔽罩正、反向磁場Z分量沿測線分布曲線圖(其中正向波場為二次場從屏蔽罩開口向射入，反向波場為二次場從屏蔽罩頂端射入)，如圖9所示。

表2 屏蔽罩模型形狀參數Table 2 Shield model shape parameters

圖9 不同形狀屏蔽罩的磁場Z分量沿測線分布曲線Fig.9 The curve of the magnetic field Z component of different shapes of shields along the survey line

從圖9可以看出，屏蔽罩內部磁場強度隨著距離屏蔽罩頂端的距離增大而增大；在測線0.15～0.16 m的范圍區域存在磁場Z分量曲線不連續性，是由于屏蔽罩金屬材料內部磁場Z分量強度極低；測線在0.16～0.18 m范圍區域存在異常的磁場Z分量升高的現象，這是由于鐵磁性材料具有低磁阻性，使得磁場發生聚攏形成高磁場強度的區域。

要實現單向屏蔽，首先需要對正、反向波場的壓制具有較大差異性，其次能夠保證獲得足夠強度的正向信號。從圖9可知，對于正、反向波場的壓制差異而言，從大到小分別為帽形屏蔽罩、半球屏蔽罩、圓錐屏蔽罩、圓柱屏蔽罩，其中圓柱屏蔽罩對正向波場的壓制效果過強，有效信號強度不能得到保證，不利于實現單向屏蔽；除圓柱屏蔽罩，其他形狀均有一定的單向屏蔽效果?？紤]對正、反向波場的壓制差異性、正向波場信號強度、加工難度、成本等因素，最終確定采用錐體屏蔽罩作為單向屏蔽屏蔽罩的形狀。

2.4 屏蔽罩頂角角度及厚度

根據選定的錐體屏蔽罩，保持其他參數不變，通過改變屏蔽罩頂角角度分別為60°、90°、120°、150°，繪制出不同屏蔽罩頂角情況下磁場Z分量沿測線分布曲線圖，如圖10所示。

隨著屏蔽罩頂角的增大，正向波場信號值明顯增大，說明屏蔽罩頂角越大越能夠獲得足夠的有效正向信號；在屏蔽罩內部區域(測線0～0.15 m)隨著屏蔽罩頂角的增大，正、反波場的磁場Z分量強度差異明顯增大，說明屏蔽罩對正反波場的壓制效果的差異增大，更有利于實現單向屏蔽；屏蔽罩60°頂角時屏蔽罩中心位置(測線0.075 m處)正向波場信號降為無屏蔽時信號的約1/7，且正、反向波場信號強度差異較小，較難實現單向屏蔽；屏蔽罩頂角90°～150°情況時，屏蔽罩中心位置(測線0.075 m處)正向波場信號值為在無屏蔽情況下信號值的一半以上，正向波場信號值為反向波場信號值的3倍以上且倍數關系相對穩定，有利于實現單向屏蔽。

圖10 磁場Z分量沿測線分布曲線Fig.10 The curve of magnetic field Z component along the measuring line

3 實驗驗證

采用相似比(300∶1)設計物理模型，通過物理模擬實驗，來驗證接收端單向屏蔽裝置的屏蔽效果。為了盡可能消除外界的電磁干擾，在戶外遠離電磁場干擾地方進行相似比縮放的等效物理模型實驗，實驗中發射電流為0.62 A，發射線圈為20匝(直徑0.20 m)，接收線圈為300匝(直徑0.050 m)，異常體為金屬體(銅柱)，分別布設在探測方向和非探測方向，保持異常體距線圈0.20 m，分別獲取有、無屏蔽罩情況下兩個異常體的數據，進而分析單向屏蔽效果，實驗布置方案如圖11示；屏蔽罩的材質為1J78型坡莫合，厚度為0.000 2 m，頂角為90°，直徑0.30 m，高0.15 m。

分別采用無屏蔽罩線圈和有屏蔽罩線圈進行探測，并對采集的數據進行處理，繪制的視電阻率剖面如圖12所示。

從圖12(a)中可以看出，在測線0.15～0.30 m，距離0.20～0.25 m位置和在測線0.62～0.73 m，距離0.20～0.25 m位置，存在一個明顯的低阻異常體，與實際測線0.25 m處(非探測方向)和0.65 m處(探測方向)的金屬體位置吻合，表明瞬變電磁法無法進行指向性探測；從圖12(b)中可以看出，在測線0.54～0.70 m，距離0.20～0.25 m位置，存在一個明顯的低阻異常體，與實際測線0.65 m處放置的金屬體位置吻合，而測線0.25 m處則不存在明顯的低阻異常體，說明屏蔽罩實現了對于非探測方向異常體的單向屏蔽；在測線0.18～0.50 m，距離0.20～0.25 m區域視電阻率值相對偏低，是因為單向屏蔽裝置無法實現對于反向異常信號完全屏蔽，在測線中部同時受到正、反向信號共同作用下形成相對低阻的區域。

圖11 實驗方案示意圖Fig.11 Schematic diagram of the experimental scheme

圖12 接收端單向屏蔽物理模型實驗結果Fig.12 One-way shielding physical model experiment

該實驗驗證了仿真模擬設計的屏蔽裝置具有良好的接收端單向屏蔽效果，能夠實現指向性探測。屏蔽罩設計方案對于礦井瞬變電磁法克服井下全空間效應的影響是可行性的。

4 結論

通過理論分析、仿真模擬及物理實驗相結合的方法，確定了礦井瞬變電磁法最佳單向屏蔽裝置的相關參數，驗證了屏蔽裝置設計方案的接收端單向屏蔽效果。

通過電磁屏蔽仿真模擬可以得出：1J78型坡莫合金是理想的瞬變電磁法接收端單向屏蔽的材料；頂角角度90°以上的錐形屏蔽罩能較好地保證探測方向有效信號的同時，有效壓制非探測方向信號，進而實現全空間電磁場的接收端單向屏蔽；在錐形屏蔽罩高度不變的情況下，錐形屏蔽罩頂角角度越大，單向屏蔽效果越好；經過物理實驗證實，文中設計屏蔽方案具有明顯的單向屏蔽效果。

本文中設計的屏蔽裝置初步實現了全空間條件下瞬變電磁法的指向性探測，證明了屏蔽罩設計方案是可行的，這為礦井瞬變電磁法實現指向性探測奠定了基礎。然而，在礦井中應用時還涉及支護、掘進系統、電力系統等的干擾問題，因此該屏蔽方案仍可進一步研究與完善。