樊 強 俞永杰 夏嘉航 趙成勇 許建中
低容值半橋型模塊化多電平變換器直流故障輔助清除策略
樊 強1俞永杰2夏嘉航1趙成勇1許建中1
(1. 新能源電力系統國家重點實驗室(華北電力大學) 北京 102206 2. 國網浙江省電力有限公司杭州市錢塘新區供電公司 杭州 310000)
通過諧波電流注入方式可有效減小子模塊電容容值,進而降低模塊化多電平變換器(MMC)的體積和質量,實現MMC的輕型化。該文通過對低容值半橋MMC直流故障工況特性的理論分析,指出在其他參數不變的情況下,低電容容值下的子模塊電容存在放電速度快的現象,可導致故障清除過程中子模塊低壓閉鎖問題。從等電荷角度出發,提出一種基于低容值半橋MMC的直流故障輔助清除策略。通過在MMC故障清除過程中根據電容比調整相投入子模塊總數,可有效減小MMC子模塊電容的放電量并實現系統的快速恢復。基于PSCAD/EMTDC仿真環境下搭建仿真程序,通過仿真和實驗驗證了低容值MMC故障輔助清除策略的有效性。
電流注入 低容值半橋MMC 等電荷 快速恢復 直流故障清除策略 實驗驗證
模塊化多電平變換器(Modular Multilevel Converter, MMC)由于其拓撲結構高對稱性和強擴展性的優點,自問世以來就受到國內外學者的廣泛關注,并推廣應用在實際工程[1-3]中。基于MMC的柔性直流輸電技術作為風能、光伏等新能源并網的有效手段,可有效助推“碳中和”目標的實現[4-5]。
現有MMC由大量子模塊級聯而成,導致其體積和占地面積巨大,從而增加了整個換流站的建設成本。因此亟須提高MMC的功率密度,降低MMC子模塊的電容容值,以實現MMC的輕型化設計[6-7]。
通過諧波注入調整MMC橋臂內部能量分布來提高子模塊電容功率密度,從而降低子模塊電容電壓紋波和容值是MMC輕型化的有效措施[8-14]。文獻[8]針對MMC相間環流問題,首次提出環流抑制控制器(Circulating Current Suppressing Controller, CCSC)的設計方法。文獻[9]通過程序遍歷尋優來確定使子模塊電容電壓波動最小的偶數次諧波電流注入量,可有效降低子模塊電容電壓紋波,但無明顯的物理意義。文獻[10]基于橋臂瞬時功率不變的原則來確定諧波注入量,具有相應的物理意義。文獻[11]通過零序電壓的注入來提高MMC閥側電壓幅值,有效降低子模塊電容電壓紋波。文獻[12]在考慮CCSC后進行最優零序電壓的注入,在增加MMC閥側電壓幅值的同時,可降低橋臂子模塊的使用個數。文獻[13-14]基于子模塊混合型MMC拓撲,利用雙諧波注入法,從不同角度來大幅降低子模塊電容電壓紋波。此外,系統網壓不平衡下也可基于諧波注入來降低子模塊電容電壓紋波[15-16]。文獻[15]指出,在網壓不平衡工況下通過諧波電流注入可有效降低子模塊電容電壓紋波。文獻[16]指出,在網壓不平衡下基于零序電壓注入降低子模塊電容電壓波動。
以上研究均基于穩態或網壓不平衡狀態下進行MMC子模塊電容紋波的降低,但對于低容值MMC直流故障工況下的理論分析鮮有報道。且目前大多配合直流斷路器(Direct Circuit Breaker, DCCB)實現直流故障清除的輔助策略[17]均不涉及低容值MMC。
基于此,本文提出一種基于架空線的低容值半橋MMC的直流故障輔助清除策略。主要對現有研究MMC輕型化諧波注入方法進行總結;并指出低容值MMC直流故障工況研究鮮有報道;之后對低容值MMC故障工況進行分析,得出低容值對MMC直流故障特性的影響,并提出一種故障輔助清除策略;最后進行仿真和實驗驗證。
MMC拓撲及故障工況等效電路如圖1所示。
圖1a為MMC基本拓撲,圖中,SM表示橋臂子模塊;dc為直流電壓;0為相橋臂電感;0為相橋臂電阻;dc為直流電抗;u(=a, b, c)為MMC交流側相電壓;dc為直流側電流。圖1b為故障工況系統等效電路,s為等效電阻;s為等效電感;s為等效電容。


式中,L-MMC為L-MMC的子模塊電容;T_MMC為T-MMC的子模塊電容。
電容值的改變將對整個MMC儲存的能量及故障工況下的等效電容均產生影響,下面將分別闡述。
MMC儲存的能量為

式中,為MMC橋臂子模塊個數;為子模塊電容;u為子模塊電容電壓。將式(1)代入式(2),在其他量一致的情況下,可得T-MMC和L-MMC儲存能量的關系為


MMC故障工況下直流側等效電容s可計算[18]為

結合式(1)和式(4)可知,L-MMC和T-MMC故障工況下等效電容的關系為

式中,sT-MMC為T-MMC在直流故障下的等效電容;sL-MMC為L-MMC在直流故障下的等效電容。

MMC直流側故障主要關注故障發生后5ms內故障電流的發展情況[19],因此需要就不同電容比對故障電流的影響進行分析。MMC直流故障下的短路電流表達式[18]為

式中,C0為MMC子模塊電容;Rdc為直流側電阻;t為時間。其他參數與圖1a對應。從式(6)中可看出,不同C0值影響直流側故障電流。在PSCAD/EMTDC仿真環境下進行不同h 下故障電流的仿真模擬及以式(6)進行不同h 下的故障電流的理論計算,具體不同電容比對故障電流的影響如圖2所示。


圖3 不同h 對子模塊電容放電過程的影響
在Matlab中通過曲線擬合得到兩者關系為

令UL=5ms(DCCB一般5ms內可清除故障),可得出=0.73。即以廈門工程整流側參數為例,子模塊電容容值最多降到額定值的0.73,否則就會在故障清除過程中由于子模塊電容電壓放電過大而導致其低壓閉鎖,進而加長整個系統的恢復時間,這將極大地限制MMC輕型化運行范圍。
參照圖1b,則MMC直流故障下任意時刻儲存的能量為

式中,0為MMC直流故障發生時刻;()為以時間為自變量的MMC的能量函數;Ws()為等效電抗s儲存的能量;s()為等效電阻s產生的熱損耗。從式(8)中可看出,雖然低容值下MMC的直流故障電流上升速度慢,降低了其轉化為磁場能和熱損耗的速度,減小了L-MMC能量的快速釋放,但由于其本身儲存能量少,因此隨著時間的推移,L-MMC中子模塊電容的能量相對于T-MMC更易快速逼近于零。
以上分析可看出,低容值不僅會對故障電流的峰值、數值計算公式的精度產生影響,同時會導致子模塊電容的快速放電。



因此,為有效減緩L-MMC的放電速度,令兩類MMC的等效電容s儲存的電荷量相等,即

式中,L-MMC為故障工況下L-MMC等效電容L-MMC儲存的電荷量;T-MMC為故障工況下T-MMC等效電容T-MMC儲存的電荷量。
將式(3)、式(5)、式(9)代入式(10)中,可得

式(11)可看出,保證L-MMC和T-MMC的儲存能量和等效電容乘積相等,即可保證故障工況下等效電容儲存的電荷量相等。
兩類MMC穩態下電容儲存的能量關系固定,將式(3)代入式(11),兩類MMC故障工況下的等效電容的關系為

從式(12)看出,需改變sL-MMC的值以滿足式(11)。改寫式(4)為


基于式(14)進行控制器的設計,具體含基于等電荷的低容值MMC故障輔助清除策略(Auxiliary Strategy for Fault Clearance, ASFC)的控制器框圖如圖4所示。
圖4中ASFC部分:dcref為直流電壓的參考值;dcref為直流電流的參考值;I為一個乘法因子,通過調整I的數值,可靈活調整系統檢測到故障的電流邊界條件,進而調整輔助控制器的靈敏度。dcm為直流電流的測量值;ABS(absolute value)表示絕對值函數,ABS函數的使用可使不同潮流方向的MMC使用一套輔助控制器。dcm通過ABS后得到A;dcref乘以系數I后通過ABS得到B;A與B比較后得到Ctrl邏輯信號進行控制,當Ctrl=1時,即可根據電容比動態調整相直流電壓,進而按式(14)調整相投入子模塊總數。整體上看,本文所提ASFC,可在故障工況下根據故障電流的數值自適應投入,無需人為干預。

本節主要分析ASFC對L-MMC故障工況下故障電流和子模塊電容放電過程影響。
將2.1節中的式(14)代入式(13)中,得

結合式(1)、式(4)、式(5)和式(15),可得

當考慮式(14)時,故障電流的計算需調整為

式中,帶下標1的均為考慮式(14)后的故障電流dc1的相關量。對比式(6)和式(17)可知,ASFC可有效減緩L-MMC故障電流的上升速度,且降低故障電流的幅值。
假設無ASFC下L-MMC的等效電容為peq,ASFC下L-MMC的等效電容為peq1,兩者的關系仍滿足式(16)。在0~1時間段內等效電容下的電容變化量為


將式(18)代入式(19)中可得

具體ASFC對不同電容比下故障電流峰值和子模塊電容放電過程的影響如圖5所示。

圖5 ASFC對不同電容比下關鍵變量的影響
圖5中,Umax為故障工況下子模塊電容電壓波動的最大值,Umin為故障工況下子模塊電容電壓波動的最小值,的變化范圍為0.6~0.9,間隔為0.05,圖5a為ASFC在直流故障工況中不同下對直流故障電流峰值dcmax的影響。由圖中可明顯看出,投入ASFC后,dcmax會顯著下降,但隨著的增大,ASFC對故障電流峰值的影響減弱。圖5b為ASFC在直流故障工況中不同下對子模塊電容放電情況的影響。由圖中可看出,ASFC可明顯減小故障工況下子模塊電容電壓的波動范圍(減小cmax,增大cmin),但隨著的增大,效果會減弱。
為充分驗證本文所提ASFC的有效性,本節將所提策略分別應用在點對點MMC工程、四端柔直電網工程中進行仿真證明,并在低功率單端MMC物理樣機進行實驗驗證。
為證明所提ASFC在點對點MMC工程中的有效性,在PSCAD/EMTDC仿真環境下搭建相應仿真程序進行證明,具體仿真程序框圖如圖6所示。

圖6 MMC仿真程序框圖
圖6中,s1為AC系統的阻抗;dc為直流電壓;PCC(point of common coupling)為公共連接點。因MMC單極接地,因此極對地故障(Pole Fault to Ground, PFG)即為最嚴重的故障。
圖6中MMC系統參數見表1。
表1 MMC系統參數

Tab.1 Parameter of MMC
目前,采用提高調制比(三倍頻電壓注入或增加部分全橋子模塊)與諧波電流注入相結合的降容策略,可有效降低子模塊電容容值達40%以上[6]。這里僅關注低容值MMC的故障清除過程,因此對穩態降容策略不再描述。以=0.6,I=2.5(正常工況下負荷不會過載2.5倍)為例進行說明。低容值MMC在4.5s時發生PFG,5ms后故障清除,則關鍵測點波形如圖7所示。
圖7a為PFG工況下(=0.6)各個橋臂中子模塊電容電壓u(取平均值)的波形。從圖中可看出,在整個故障清除過程中,MMC子模塊電容電壓波動范圍為0.05~2.01kV,低容值下子模塊電容電壓值快速跌落,在實際工況中不允許這種狀況出現,會直接導致整個換流站閉鎖,進而減緩系統的恢復速度。投入本文所提ASFC后,MMC所有橋臂子模塊電容電壓波動范圍為0.63~1.89kV,有效降低故障工況下子模塊電容的放電量。圖7b為MMC的6個橋臂的電流波形,其電流波動范圍為-3.866~3.776kA。投入附加策略后,橋臂電流波動范圍為-3.189~3.184kA,附加控制策略未惡化橋臂電流。因此,投入ASFC進行直流故障清除,不管是橋臂電流還是子模塊電容電壓均不會導致L-MMC在故障清除過程中閉鎖,驗證了ASFC的有效性。

圖7 PFG工況MMC關鍵測點波形
為更方便進行多類MMC的比對,將T-MMC在PFG下子模塊電容電壓和橋臂電流波形截取如圖8所示。

圖8 PFG工況T-MMC關鍵測點波形
圖8a為T-MMC在PFG下各個橋臂子模塊電容電壓(平均值)波形,從圖中可看出,整個故障清除期間,MMC子模塊電容電壓波動范圍為0.65~1.81kV,和L-MMC+ASFC在PFG工況下子模塊電容電壓波動范圍相當。圖8b為T-MMC在PFG下的所有橋臂的電流波形,其波動范圍為-3.90~3.33kV,對比圖7b可知,三類MMC在PFG工況下橋臂電流波動范圍相當。
此外,將T-MMC、L-MMC和L-MMC+ASFC三類MMC在PFG工況下的故障電流理論計算值和仿真值進行比對分析,具體以式(17)進行數值計算,故障電流的EMT解和數值解如圖9所示。
由圖9中可看出,在三類MMC中,L-MMC+ASFC故障電流理論計算值和仿真值吻合時間最長,相對于L-MMC,L-MMC+ASFC的吻合時間增長了3ms,且故障電流的上升速度最緩,側面也證明式(17)的正確性。T-MMC由于其子模塊電容容值較大,因此T-MMC的故障電流峰值在三類MMC中最高,與圖2中的結論對應。

圖9 PFG工況下故障電流理論與仿真值對比波形
為對ASFC進行更有效的驗證,將所提策略應用在四端直流電網中。四端直流電網的拓撲如圖10所示。

圖10 四端直流電網
圖10中,dc為直流電流;DCCB表示直流斷路器。Line為線路,具體長度已在圖中標出。圖中整個直流側電抗值為0.075H,每個MMC橋臂子模塊個數為233。四端直流電網其他參數見表2。
表2 四端直流電網參數

Tab.2 Parameters of the 4 terminal DC grid
直流電網穩態下的控制策略與值均與單端L-MMC一致。以MMC1直流側電抗附近在1.5s發生直流側雙級短路故障為例,5ms內DCCB清除故障。低容值MMC1在直流故障工況下關鍵測點波形如圖11所示。

圖11 直流故障工況下MMC1關鍵測點波形
圖11a為MMC1各個橋臂子模塊電容電壓(平均值)波形,從圖中可看出,采用ASFC后,可使子模塊電容電壓波動從0.27~3.36kV減小為1.06~3.26kV;圖11b為MMC1各個橋臂電流波形,圖中可看出,橋臂電流從-5.88~5.15kA減小為-4.86~4.31kA,可有效增加直流電網在故障清除過程中器件的安全裕度,避免系統在故障清除過程中發生閉鎖操作,增強整個系統的運行穩定性。圖11c為MMC1直流電壓波形,從圖中可看出,采用ASFC后,可使直流故障電壓的變化范圍從141.85~652.01kV變為155.28~639.13kV,通過對比可看出,ASFC不會惡化直流故障下直流電壓的波動范圍。以上仿真證明所提ASFC在不同類型柔性直流工程的有效性。
為更有效驗證ASFC在MMC直流故障清除發揮的作用。本文在單端低功率MMC物理平臺進行了實驗驗證,實驗中,MMC中的電容容值沒有變化,僅在直流故障中投入ASFC。具體將圖6中的直流電壓源dc變成一個直流電阻dc,其余均和圖6一致。具體物理平臺參數見表3。
MMC物理平臺實物如圖12所示。
表3 單端MMC物理平臺參數

Tab.3 Prototype parameters of single terminal MMC

圖12 MMC物理平臺實物
MMC物理實驗平臺每個橋臂共有=12個全橋子模塊(有兩個子模塊為熱備用子模塊),以故障發生點為零時刻,故障持續時間為6ms。為更方便顯示ASFC在直流故障工況下減小子模塊電容電壓紋波的有效性。在故障發生3ms后投入所提策略,使用泰克混合信號示波器錄波(型號為MSO56,帶寬為500MHz,采樣頻率為6.25GS/s)對單端MMC的直流電壓dc、直流電流dc和橋臂子模塊電容電壓u和橋臂電流(以c相下橋臂電流cd為例)進行錄波。具體波形如圖13所示。
為更方便直觀地進行實驗數據對比,將圖13中的各個關鍵測點的數據以條形柱狀圖的形式進行對比,具體如圖14所示。
結合圖13和圖14中可看出,在投入附加控制器后,可使子模塊電容電壓u波動范圍從5~8.98V變為6.1~8.98V,有效降低故障工況下子模塊電容的放電量。同時可使直流電壓dc的峰值從328.88V降為316.27V。故障電流峰值從dcmax從13.4A降為9.97A,橋臂電流的變化范圍從-8.24~2.67A變為-5.97~2.67A,驗證了本文所提策略在故障工況下降低子模塊電容放電速率的有效性。


圖14 MMC關鍵測點數據柱狀圖
為有效降低基于架空線的低容值MMC在直流工況下子模塊電容的放電速度,保證直流故障快速可靠的清除。本文提出了一種基于等電荷的故障清除輔助策略,可避免故障清除過程中由于子模塊快速放電導致MMC自動閉鎖的情況,并可加快系統的重啟。具體得到以下結論:
1)不同電容比會對L-MMC故障工況下直流側故障電流和子模塊電容電壓放電過程產生直接影響。分析表明,隨著電容比的減小,故障電流的峰值在逐漸減小,同時,故障電流的上升速度也減緩。但故障電流的仿真計算值與EMT解析值的吻合度降低。
2)基于等電荷的故障輔助清除策略在故障清除前后無需人為切換,可通過直流故障電流的幅值自動投入,且可通過調節系數I調節整個附加控制器的靈敏度。
3)仿真和物理實驗結果表明,ASFC可有效降低故障工況下子模塊電容電壓的放電速度,避免MMC在故障清除過程中進行閉鎖。
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Auxiliary Strategy for DC Fault Clearing of Low Capacitance Half-Bridge Modular Multilevel Converter
12111
(1. State Key Laboratory of Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources North China Electric Power University Beijing 102206 China 2. State Grid Zhejiang Hangzhou Qiantang New District Power Supply Company Hangzhou 310000 China)
The current injection method can reduce the capacitance value of bridge arm sub modules (SMs), thereby reducing the volume and weight of MMC, and realizing the lightweight of MMC. Based on the theoretical analysis of the characteristics of low capacitance MMC in DC fault conditions, it is pointed out that the discharge speed of SM sunder low capacitance is fast when other parameters remain unchanged, which may lead to low voltage blocking of SMs during the DC fault clearing process. From the perspective of equivalent charge, a DC fault clearing strategy based on low capacitance half bridge MMC is proposed. By adjusting the total number of SMs in each phase according to the capacitance reduction ratio in MMC during the fault clearing process, the discharge capacity of the SM capacitors can be effectively reduced and the system recovery can be accelerated. A simulation program is built in PSCAD/EMTDC simulation environment, and the effectiveness of auxiliary strategy for DC fault clearing in low capacitance MMC is verified.
Current injection, low capacitance half-bridge MMC, equivalent charge, fast recovery, DC fault clearing strategy, experimental verification
10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.211233
TM721.1
中國華能集團有限公司總部科技資助項目(HNKJ20-H88)。
2021-08-09
2021-10-09
樊 強 男,1992年生,博士研究生,研究方向為直流輸電。E-mail: 13910548020@163.com(通信作者)
俞永杰 男,1995年生,碩士,研究方向為直流輸電。E-mail: 18811337377@163.com
(編輯 陳 誠)