SiC功率器件步入高增長周期天岳先進加速技術產能雙驅動

漢中

近年來，憑借在耐高壓、耐高溫、低耗能等方面的良好屬性，碳化硅正逐步成為新一代功率器件制作的關鍵材料，在多個領域獲得廣泛應用。在電動汽車領域，碳化硅（SiC）主要應用于功率控制單元（PCU）、逆變器、車載充電器等部分，相較于傳統的Si基器件，SiC基器件消減電子轉換損耗80%以上，將純電動汽車逆變器中的功率組件改成SiC基器件后，可提升車輛5%-10%續航能力，同時，單車成本有一定程度下降。目前，成本與續航正是新能源汽車廠商著力解決的痛點，因此，SiC基器件憑借優良的性能，獲得了多家頭部廠商的青睞。

汽車電動化預期明確SiC功率器件步入高增長周期

根據行業機構Yole預測，預計2026年SiC功率器件市場規模將由2020年的7.1億美元增長至45億美元，年均復合增速達到36%。而其中碳化硅襯底作為技術壁壘最高環節，價值量占比接近50%，其無疑是產業鏈中受益的重點。碳化硅優良的物理性能可以使芯片尺寸更小、效率更高，更加耐高溫，可以應用在電動汽車的功率控制單元（PCU）、逆變器、車載充電器中。特斯拉、比亞迪等新能源汽車制造企業，電控部分已經推出碳化硅功率器件，并進行持續迭代和滲透。作為行業內碳化硅材料生產企業的代表，天岳先進（688234.SH）目前已具備了充足的技術儲備，借助臨港項目帶來的產能提振，其產品主要在電動汽車領域將具有良好的應用前景。

當前，汽車電動化的趨勢已相當明顯。數據顯示，2021年我國新能源汽車產量已達到354.5萬輛，較去年同比增長159.52%，市場占有率達到13.4%。機構預測，預計2030年，新能源汽車銷量占比將超過40%。新能源汽車產業的發展正逐漸成為拉動碳化硅市場需求的強勁動力。在這樣的背景下，作為行業頭部企業的天岳先進將充分受益。

十年深耕，自主研發建立導電型碳化硅襯底制備技術

據了解，自2010年成立以來，天岳先進便專注于第三代半導體襯底材料研發和生產。近年來，公司在導電型碳化硅技術領域取得了持續突破。

早在2017年，天岳先進已成功完成6英寸導電型碳化硅襯底科技成果鑒定和產品鑒定，產品性能及核心指標達到國內領先、國際先進水平;2019年公司導電型襯底產品已中標國家電網采購計劃。年報顯示，截至2021年末，公司及下屬子公司擁有專利授權415項，其中境內發明專利98項，境外發明專利授權5項。

公司方面表示，作為國家“863”計劃新材料技術領域中導電型碳化硅襯底相關研究課題和《2013年新材料研發及產業化專項項目》中導電型碳化硅襯底相關項目的牽頭單位之一，公司目前已成功掌握了導電型碳化硅襯底材料制備的技術和產業化能力，核心生產設備長晶爐已完全實現國產替代。近年來，公司針對導電型襯底，持續加大技術投入，依托關鍵研發項目，公司在導電型襯底關鍵指標等方面獲得突破性進展，將逐步加快產業化進程。

技術、產能雙輪驅動，擴產進度持續加速

4月1日晚間，天岳先進發布了上市以后的首份年報，2021年全年公司共實現營業收入49385.68萬元，同比增長16.25%;歸母凈利潤8995.15萬元，實現扭虧為盈。

現階段，隨著碳化硅下游應用的滲透，導電型碳化硅襯底將是廣闊的藍海市場。上市前公司資本實力弱，資產規模有限，產能不足制約了企業的快速發展。近年來，依托技術上的優勢，天岳先進在產能擴張方面同樣進行了加速布局。

2021年，公司募投項目“碳化硅半導體材料項目”已在上海臨港正式開工建設，該項目已納入國家布局，且被上海市政府列為2021年、2022年上海市重大建設項目。據公告顯示，“碳化硅半導體材料項目”將主要用于生產6英寸導電型碳化硅襯底材料。預計2022年三季度實現一期項目投產，達產后將新增碳化硅襯底材料產能約30萬片/年，是目前公司產能的六倍之多。

公司方面表示，截至目前，臨港項目已經順利實現封頂，雖然受疫情等各方面不確定性因素的影響，公司克服重重困難，按原計劃推進項目建設。天岳先進早在上市前就已經開始布局導電型襯底市場，是國內碳化硅市場的領頭企業之一。公司在碳化硅領域布局多年，具有深厚的技術儲備，上市后在資本加持下，公司將得以鞏固領先的技術、規模、市場等先發優勢，迎接碳化硅時代的藍海市場。