CuBi2O4/CdMoO4 復合光催化材料的制備及其可見光降解性能研究

譚雪飛，鄒慧君，袁 萍，張小芳，姚祖英

（四川輕化工大學，四川 自貢 643000）

隨著全球經濟的飛速發展，人們對能源問題和生存環境越來越關注。解決日益嚴重的能源枯竭和環境污染問題，是實現可持續發展、提高人們生活質量和保障國家能源安全的迫切需要[1]。最近幾年，半導體光催化技術在有機污染物降解、CO2還原、醫療衛生、環境污染治理等多個領域受到廣大研究者的青睞[2-3]。其中在環境治理領域，與其它傳統方法相比，半導體光催化技術能夠有效利用太陽能，將有機污染物直接催化降解為小分子如二氧化碳、水等，成本低廉，且不會對環境產生二次污染，因此引起了全世界科學家的廣泛關注[4]。

尖晶石型化合物作為一種新型的半導體功能材料，具有窄的帶隙和優異的光電化學性能，是一類極具潛力的可見光催化劑[5-6]。目前p型半導體材料CuBi2O4的電性能已得到廣泛的應用，但在光催化領域的研究較少[7]。在各種半導體光催化劑中，CdMoO4具有獨特的物理化學性質和較低的制備成本，同時在紫外光下具有較高的光催化活性，因此在光催化研究領域受到人們一定的關注[8-9]。但CdMoO4的禁帶寬度約為3.3eV，只能在紫外光下降解有機污染物，對太陽光的利用率極低，因此研究者通過離子摻雜、貴重金屬修飾等多種方法來改善CdMoO4的禁帶寬度。

本文將p型半導體材料CuBi2O4與n 型半導體材料CdMoO4復合，利用 CdMoO4對電子的轉移，減少CuBi2O4光生載流子的復合作用，制備了p-n 異質結可見光催化劑，進而提高了CuBi2O4的抗光腐蝕性能。……