吳 輝,朱雯飛,葛賽金,張英軍,姚如嬌,李曉旭
(1.蘇州大學機電工程學院,江蘇 蘇州 215021;2.上海衛星裝備研究所,上海 200240)
離子阱質量分析器作為質譜儀的核心部件,憑借其結構簡單、靈敏度高、對真空度要求低及具有多級質譜分析功能[1]等優勢,成為小型化質譜儀[2-3]的首選,并得到廣泛應用。
三維離子阱[4](3D ion trap)是最早出現的商用離子阱質量分析器,由1個環電極和2個端蓋電極構成,但其對外部注入的離子捕獲效率低、易產生空間電荷效應[5-6],還存在質量歧視大的問題。二維的線形離子阱[7](linear ion trap, LIT)改善了3D離子阱的缺點,顯著提高了離子的存儲容量和捕獲效率,質量歧視性明顯減小。傳統的線形離子阱由三段式雙曲面柱狀電極和2個端蓋電極組成,僅中間段的1對電極中央開設離子引出槽。而雙曲面電極通常具有加工難度高、組裝精度要求高等局限性。因此,多種簡化電極結構的LIT[8]相繼問世,如矩形離子阱[9](rectilinear ion trap, RIT)、PCB分壓離子阱[10](print circuit board ion trap, PCBIT)、三角形電極線形離子阱[11](triangular electrode linear ion trap, TeLIT)及半圓弧面線形離子阱[12-13](half round-rod electrode linear ion trap, HreLIT)等。然而,用簡化的電極結構取代傳統的雙曲面電極,離子阱內部會產生非線性高階場[14],在一定程度上犧牲了LIT的分析性能。
近年來,隨著精密機械加工技術的迅速發展,如雙曲面慢走絲技術[15]和雙曲面組件加工工藝[16]等,雙曲面電極的加工精度[15-16]得到大幅提高,制造和加工成本也在逐步降低。同時,傳統的雙曲面電極LIT理論完善、靈敏度高、分析性能良好;其z軸的橫截面具有雙曲線性質,能構成以四極場為主的射頻電場,減少復雜的高階場成分,易于研究和分析。……