中頻變壓器用環氧樹脂/納米BN復合介質的導熱和電氣性能研究

張夢甜， 王國海， 孟繁博， 江 鐵， 洪澤林， 陳向榮

(1. 浙江大學電氣工程學院浙江省電機系統智能控制與變流技術重點實驗室， 浙江 杭州 310027； 2. 浙江萬馬高分子材料集團有限公司， 浙江 杭州 311305； 3.國網杭州供電公司， 浙江 杭州 310000)

1 引言

中頻變壓器因其體積小、功率密度高等優點，在新能源并網、電動飛機和高鐵牽引機車等領域被廣泛應用[1]。環氧樹脂(EPoxy resin，EP)作為高功率密度中頻變壓器的主要絕緣材料，在電氣、粘接和化學方面性能優異。然而其在傳熱方面表現較差，普通環氧樹脂的熱導率低，通常在0.2 W/(m·K)左右，散熱能力差，因此在中頻工作環境下容易發熱，當熱量積聚較多時，容易引發絕緣的熱擊穿，這嚴重影響了變壓器的使用壽命[2]。

目前對于環氧樹脂導熱和散熱能力的改善，普遍采用合成導熱環氧樹脂復合材料的方法。在該方面，國內外都進行了廣泛研究：王有元等研究了納米氮化鋁(Aluminum Nitride，AlN)填料表面改性對環氧樹脂復合材料的熱穩定性、體積電阻率和交流擊穿特性的影響，發現添加AlN可以提高環氧樹脂的熱穩定性，適量添加3 wt%的AlN可以改善環氧樹脂的電氣絕緣性能[3]。Wang Feipeng等研究發現隨著納米氧化鋁(Aluminum Oxide，Al2O3)濃度的增加，環氧樹脂復合材料的直流擊穿場強先升高后降低，在Al2O3含量為1 wt%時達到最大值[4]。徐隨春等研究發現氮化硼(Boron Nitride，BN)含量的增加有助于提高環氧樹脂/BN復合材料的熱導率，且熱分解溫度呈現出先升高后降低的趨勢[5]。

當前關于環氧樹脂復合材料的研究主要集中在導熱以及直流/工頻應用背景下的電氣性能研究[6-9]，而對中頻變壓器用環氧樹脂復合材料電氣性能的研究還較少。因此本文基于無機納米顆粒BN較高的熱導率以及介電常數與環氧樹脂基體接近的特性，制備了不同納米BN含量的環氧樹脂/納米BN復合材料，通過掃描電鏡分析以及熱導率、體積電導率、中頻擊穿場強和表面電位測試，研究了BN含量對復合材料的導熱和電氣絕緣性能的影響，為中頻變壓器用環氧納米復合材料的設計和工程應用提供基礎實驗依據。

2 試驗

2.1 試樣制備

試驗所用材料主要有：杭州五會港膠粘劑有限公司生產的雙酚A型環氧樹脂，江蘇常州潤翔化工有限公司生產的固化劑甲基六氫苯酐、促進劑2，4，6-三(二甲胺基甲基)苯酚，上海麥克林生物化學有限公司生產的六方納米BN(平均粒徑30 nm)、氨水，上海邁瑞爾化學技術有限公司生產的鹽酸多巴胺，上海易恩化學技術有限公司生產的三(羥甲基)氨基甲烷鹽酸鹽。

為了增強納米BN與環氧樹脂基體之間的親和性，填充前首先采用鹽酸多巴胺對納米BN進行表面改性處理，具體步驟如下[8,10]：①配置由去離子水、氨水和三(羥甲基)氨基甲烷鹽酸鹽組成的緩沖液(pH 8.5)；②10 g BN均勻分散在150 mL緩沖劑和50 mL乙醇的混合溶液中，加入400 mg鹽酸多巴胺；③超聲處理20 min，室溫攪拌6 h；④離心干燥，得到改性BN。利用表面修飾后的納米BN制備環氧樹脂/納米BN復合材料的過程如下：①改性納米BN分散在環氧樹脂基料中，超聲處理1 h；②加入固化劑和促進劑，攪拌30 min；③50 ℃脫氣1 h；④80 ℃預固化2 h，130 ℃固化3 h。

本文采用環氧樹脂基料、固化劑與促進劑(100∶80∶1)，制備了純環氧樹脂參考試樣和三種環氧樹脂/納米BN復合材料試樣(納米BN含量分別為1 wt%、2 wt%和5 wt%)，制備的圓形片狀試樣直徑為60 mm，厚度約為0.25 mm。

2.2 表征與測試

掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM)分析：采用日本日立公司的場發射掃描電子顯微鏡SU-8010對環氧樹脂/納米BN復合材料的形貌結構及納米顆粒的分散情況進行觀察，為更清晰表征，觀察之前先將試樣置于液氮中脆斷，之后采用離子濺射儀對試樣斷口進行噴金處理。

熱導率測試：根據瞬態平面熱源法，采用瑞典Hot Disk公司的導熱系數測試儀TPS 2500 S進行測試。測試時，將聚酰亞胺薄膜探頭置于兩片相同的復合材料試樣之間，以恒定的功率加熱試樣，記錄探頭表面平均溫度隨時間的變化，由數學模型可得熱導率，通過三次測試求取平均值。

體積電導率測試：測試系統主要由高壓直流電源(Glassman FJ60R2)、三電極結構、Keithley 6517B電流計和烘箱構成。恒溫30 ℃，試樣在20 kV/mm的電場下測試30 min，可計算電導率為：

(1)

式中，σv為試樣電導率，S/m；Iv為電導電流，A；h為試樣厚度，m；U為施加電壓，V；d為測量電極直徑，m。

中頻擊穿測試：采用南京蘇曼等離子體科技有限公司研制的CTP-2000K型正弦交流高壓電源，配合Keysight MSO-X3024A型數字示波器和 Tektronix P6015A型高壓探頭實時監測輸出電壓，實驗線路如圖1所示。參照GB/T1408.1-2016，設計了中頻擊穿球-板電極結構，球電極和板電極的直徑分別為20 mm和25 mm。為防止絕緣閃絡，試驗過程中，電極系統置于30 ℃絕緣油中。采用勻速升壓方式，以峰-峰值為1 kV/s的速率升壓，直至試樣擊穿，記錄試樣在6 kHz、8 kHz和10 kHz三種頻率下的擊穿電壓，根據試樣厚度，計算得到其擊穿場強，每組擊穿試樣12個。

圖1 中頻擊穿實驗線路Fig.1 Test circuit for medium frequency breakdown

表面電位衰減測試[9]：測試系統主要由信號發生器(Tektronix AFG3102C)、高壓放大器(Trek-20/20C)、Kelvin探頭、靜電電位計(Trek Model 341B)和導軌構成。采用針電極在-8 kV下對試樣電暈充電2 min，柵極電壓設置為-4 kV，柵極金屬網距離針尖和試樣的距離均為5 mm。充電結束后，試樣在導軌的帶動下，快速移動至探頭下方，在室溫下測量并記錄40 min的表面電位數值。

3 結果與分析

3.1 掃描電鏡SEM

環氧樹脂/納米BN復合材料的SEM觀察結果如圖2所示。從圖2中可以看出，純環氧樹脂(0 wt%)材料斷面光滑平整，納米顆粒在含量1 wt%及2 wt%的環氧樹脂/納米BN復合材料中分散均勻，無團聚現象，而5 wt%的環氧樹脂/納米BN復合材料中出現少許納米顆粒團聚的現象，圖2(b)、圖2(c)和圖2(d)中的白色圓圈為納米顆粒，白色方框為納米顆粒團聚體。

圖2 環氧樹脂/納米BN復合材料的SEM觀察圖Fig.2 SEM images of EP/nano-BN composites

3.2 熱導率

圖3為環氧樹脂/納米BN復合材料的熱導率及提高率。由圖3可知，純環氧樹脂的熱導率最小，為0.27 W/(m·K)。隨著納米BN含量的增加，環氧樹脂/納米BN復合材料的熱導率不斷提高，在納米BN含量為5 wt%時達到最大值0.69 W/(m·K)，相比于純環氧樹脂的熱導率提高了156%。

圖3 環氧樹脂/納米BN復合材料的熱導率及提高率Fig.3 Thermal conductivity and enhancement rate of EP/nano-BN composites

對于大多數聚合物來說，其熱傳導主要是由晶格振動的聲子來實現，純環氧樹脂分子結構無序，聲子散射大，導致聲子的平均自由程很短，因而純環氧樹脂的熱導率較低[11]。納米BN作為一種原子晶體，具有致密的結構、聲子散射小、導熱作用強且熱導率可達200 W/(m·K)，因此引入納米BN有助于改善復合材料中分子鏈的排列，使熱量沿著填料的晶格快速傳播，促進傳熱，提高熱導率[12]。

3.3 體積電導率

環氧樹脂/納米BN復合材料在20 kV/mm下的體積電導率如圖4所示。從圖4中可以看出，純環氧樹脂的體積電導率為4.87×10-16S/m，隨著納米BN含量的增加，環氧樹脂/納米BN復合材料的體積電導率先減小后增大，在納米BN含量為1 wt%時達到最小值2.34×10-16S/m，相比于純環氧樹脂的電導率降低了52%。

圖4 環氧樹脂/納米BN復合材料的體積電導率Fig.4 Volume conductivity of EP/nano-BN composites

通常來說，聚合物絕緣材料在高場強區的電流特性不再服從歐姆規律，而是以空間電荷限制電流(Space Charge Limited Current，SCLC)為主。假設環氧樹脂/納米BN復合材料中全部陷阱參與電導過程，根據SCLC理論[9,13]，有：

(2)

式中，μ為載流子遷移率，m2·V-1·s-1；J為電流密度，A·m-2；ε0為真空介電常數，ε0=8.854×10-12F/m；εr為相對介電常數，取εr=3.6。

表1總結了4種試樣在20 kV/mm下的載流子遷移率。由表1可知，純環氧樹脂的載流子遷移率為1.87×10-16m2·V-1·s-1，隨著納米BN含量的增加，環氧樹脂/納米BN復合材料的載流子遷移率先減小后增大，與體積電導率變化規律一致。

表1 環氧樹脂/納米BN復合材料的載流子遷移率Tab.1 Carrier mobility of EP/nano-BN composites

在電場作用下，電極電荷通過肖特基發射注入電介質內部，注入電荷在向陽極輸運過程中，一方面在淺陷阱間通過熱助跳躍方式遷移，另一方面被深陷阱俘獲形成深陷阱電荷，而部分深陷阱電荷發生熱助脫陷繼續遷移，由于深陷阱俘獲作用，使得電荷隨著離陰極距離增大而減少；此外，電極附近積累的同極性空間電荷削弱了電極注入電場，使得電荷注入隨著加壓時間延長而減小，當電荷注入與輸運達到動態平衡，外電路便會形成穩定的電導[14]。當納米BN添加量較少時(1 wt%和2 wt%)，納米BN的引入一方面占據了環氧樹脂基體中的缺陷，使介質的自由體積減少，載流子遷移受到阻礙[15]，另一方面會在復合材料中形成交互區，根據納米復合電介質交互區結構模型，交互區中存在大量的深陷阱，使電極附近更多的注入電荷被俘獲，導致注入到介質內的電荷減少[14]，同時介質內部更多的輸運電荷被俘獲，電荷傳輸被抑制，導致載流子遷移率降低，從而使得復合材料的電導率減小。當納米BN含量由1 wt%增至2 wt%時，環氧樹脂/納米BN復合材料的電導率反而提高，這可能與納米BN引入的淺陷阱有關。當納米BN添加量較多時(5 wt%)，納米顆粒的團聚破壞了材料的均勻度[12]，引入了較多的雜質和納孔[14]；此外，交互區之間發生交疊，缺陷增多，這增加了復合材料的淺陷阱密度，載流子更易在淺陷阱間發生跳躍[14]，從而導致載流子遷移率和電導率大幅提高。

3.4 中頻擊穿特性

對于固態絕緣來說，Weibull分布被廣泛應用于統計分析擊穿數據，兩參數Weibull分布密度表達式為[16]：

(3)

式中，F(E)為在擊穿場強小于或等于E時的失效概率；E為擊穿場強；α為尺度參數，指失效概率為63.2%時的擊穿場強；β為形狀參數，β越大，表明數據分散程度越小。對式(3)取對數，整理可得：

ln{-ln[1-F(E)]}=βlnE-βlnα

(4)

令Y=ln{-ln[1-F(E)]}，X=lnE，C=-βlnα，則有：

Y=βX+C

(5)

以X為橫坐標，Y作為縱坐標，可得純環氧樹脂在10 kHz頻率下擊穿場強的Weibull分布線性度檢驗圖如圖5所示。由圖5可知，擊穿場強數據樣本點的線性度良好(相關系數R=0.960)。不同試樣在不同頻率下的線性相關系數均滿足R>0.92，證明了中頻下固體絕緣材料的擊穿場強仍服從兩參數Weibull分布。

圖5 Weibull分布線性度檢驗圖Fig.5 Weibull distribution linearity test diagram

環氧樹脂/納米BN復合材料在三種頻率下擊穿測試的兩參數Weibull分布結果如圖6所示，取失效概率63.2%對應的擊穿場強作為特征擊穿場強，得到統計結果見表2。由表2可知，不同填料濃度的環氧樹脂/納米BN復合材料在6 kHz下的擊穿場強最高，分別為63.12 kV/mm(0 wt%)、63.65 kV/mm(1 wt%)、66.14 kV/mm(2 wt%)和63.47 kV/mm(5 wt%)，隨著電壓頻率逐漸升高至10 kHz，環氧樹脂/納米BN復合材料的擊穿場強逐漸下降為59.12 kV/mm(0 wt%)、60.01 kV/mm(1 wt%)、62.59 kV/mm(2 wt%)和59.89 kV/mm(5 wt%)。在不同頻率下，純環氧樹脂材料的擊穿場強最低，分別為63.12 kV/mm(6 kHz)、61.61 kV/mm(8 kHz)和59.12 kV/mm(10 kHz)，隨著納米BN含量逐漸增加至5 wt%，環氧樹脂/納米BN復合材料的擊穿場強呈現出先升高后降低的趨勢，在納米BN含量為2 wt%時達到最大值66.14 kV/mm(6 kHz)、63.27 kV/mm(8 kHz)和62.59 kV/mm(10 kHz)。

因此，對于環氧樹脂/納米BN復合材料試樣，隨著電壓頻率的升高，試樣的擊穿場強隨之下降。分析認為，當頻率f升高時，介質內部分子極化因跟不上電場變化而受到抑制，導致介電常數ε減小而介質損耗因數tanδ增大，使介質損耗P(P∝fεtanδ)迅速增加，介質發熱嚴重[2,17]；其次，頻率的升高使得電極附近電荷注入和抽出更加頻繁，復合作用劇烈，釋放的能量更多[18]，而且一個周期內未復合的殘余電荷更多，使得下一個周期的注入電場得到加強[19]；此外，隨著頻率的升高，介質內部局部放電更為激烈，當介質內部發熱量大于散熱量時，介質溫度將升高，這會引起介質分解、碳化，同時，溫度的升高增大了介質內部的自由體積，導致電子的平均自由行程加長，從而使電子獲得更多的能量撞擊分子鏈，降低了擊穿場強[18]。

在不同頻率下，當納米BN添加量較少時(1 wt%和2 wt%)，隨著納米BN濃度的增加，環氧樹脂/納米BN復合材料試樣的擊穿場強不斷提高，即擊穿場強與納米BN填料濃度呈現正相關特性；而當納米BN添加量增加至5 wt%時，環氧樹脂/納米BN復合材料的擊穿場強反而下降，但仍高于純環氧樹脂。納米BN能夠提高復合材料擊穿場強的主要原因是：納米BN的引入提高了復合材料的熱導率λ，導致介質的散熱量Q(Q∝λ)增加，進而延長熱平衡破壞的時間，提高了擊穿場強；其次，由于擊穿通常發生在介質內最薄弱處，納米BN的引入填充了環氧樹脂基體內的缺陷與間隙，提高了復合材料的均勻度[12]，同時抑制了分子鏈的運動，使介質內部的自由體積減小，這縮短了電子運動的平均自由行程，進而提高了擊穿場強[20]；此外，納米BN與環氧樹脂基體間形成的交互區對載流子具有散射和入陷作用，散射作用有助于消耗載流子能量，使載流子碰撞引起介質降解的概率降低[21]，而深陷阱對載流子的捕獲作用導致載流子的平均自由行程減小，使其運動能量積累降低，減弱了對分子鏈的撞擊，從而提高了擊穿場強[22]。由以上分析可知，納米BN的引入主要通過改變熱導率、自由體積以及交互區來影響環氧樹脂/納米BN復合材料的擊穿特性，添加1 wt%和2 wt%納米BN后，由于納米顆粒濃度較低，交互區間彼此分立，而且隨著納米BN

圖6 環氧樹脂/納米BN復合材料中頻擊穿場強的兩參數Weibull分布Fig.6 Two-parameter Weibull distribution of medium frequency breakdown strength of EP/nano-BN composites

表2 環氧樹脂/納米BN復合材料的特征擊穿場強Tab.2 Typical breakdown strength of EP/nano-BN composites (單位：kV/mm)

含量的增加，復合材料的熱導率不斷提高，自由體積不斷減小，交互區不斷增多，因而擊穿場強也隨之不斷提高；而當納米BN添加量由2 wt%增至5 wt%時，部分納米顆粒出現團聚現象，交互區發生交疊，缺陷增多，材料均勻度變差，從而導致復合材料的擊穿場強有所降低。

為了更好地描述納米BN提升環氧樹脂擊穿場強的幅度，定義納米復合材料與基體材料的擊穿強度比值為擊穿比例系數k。表3總結了k與填料濃度及頻率之間的關系。由表3可知，k≥1，其隨著填料濃度的增加先增大后減小，同時隨著頻率提高，整體上呈現出增大的趨勢。這表明：納米BN的添加提高了環氧樹脂的中頻擊穿場強，同時有助于緩解頻率引入帶來的負面影響，即降低了擊穿場強隨頻率增加而減少的幅度。

表3 環氧樹脂/納米BN復合材料的比例系數Tab.3 Proportion factor of EP/nano-BN composites

3.5 表面電位衰減

圖7為環氧樹脂/納米BN復合材料在負電暈放電時的表面電位衰減情況(取表面電位的絕對值)。由圖7可知，對于四種復合材料來說，其初始表面電位并不相同，純環氧樹脂的初始電位最低，為2 001 V，并且隨著時間增加而快速降低，40 min后降為914 V。隨著納米BN含量的增加，環氧樹脂/納米BN復合材料的初始電位不斷提高，在5 wt%納米BN添加時達到最大值3 236 V，然而經過40 min衰減，納米BN含量為1 wt%的復合材料的表面電位值最高，為2 008 V。

圖7 環氧樹脂/納米BN復合材料的表面電位衰減Fig.7 Surface potential decay of EP/nano-BN composites

為了衡量表面電位衰減的快慢，定義40 min內表面電位變化數值與初始表面電位的比值為電位消散率D，即：

(6)

式中，V0為初始表面電位值，單位為V；V40 min為40 min時的表面電位值，單位為V。

純環氧樹脂、含量為1 wt%、2 wt%和5 wt%納米BN的環氧樹脂/納米BN復合材料的電位消散率分別54.3%、15.1%、32.6%和51.5%。隨著納米BN含量的增加，電位消散率先減小后增大，其中純環氧樹脂的電位消散率最大，對應的電位衰減速度最快，這表明納米BN的添加緩解了環氧樹脂表面電位的衰減速度。對于純環氧樹脂、含量為1 wt%和2 wt%納米BN的環氧樹脂/納米BN復合材料而言，可以發現，電位消散率的變化規律與體積電導率相一致，即電導率越大，電位消散率越大，同時電位衰減越快。茹佳勝等將介質等效為電阻R與電容C并聯的模型，初始表面電位用并聯模型兩端的電壓進行表征，因此表面電位衰減過程可以近似等效為一階RC電路的零輸入響應，電壓衰減速度取決于時間常數τ(τ=RC∝ε/σ)，其中，σ為電導率。相應地，介質的體積電導率越大，其表面電位衰減速度越快[23]，其定性分析結果與本文測試結果相一致。而對于含量5 wt%納米BN的環氧樹脂/納米BN復合材料，其電導率遠大于純環氧樹脂，衰減率卻略小于純環氧樹脂，并不適用于上述分析。

電極電暈放電產生的載流子在電場作用下遷移至試樣表面并沉積，不考慮表面傳導和氣體中和等方式，認為沉積電荷僅通過體內輸運的方式進行衰減，即電荷遷移、入陷、脫陷等過程。假設脫陷的載流子不再入陷，則陷阱能級和陷阱密度可表示為[9,24,25]：

Et=kBTln(vt)

(7)

(8)

式中，Et為陷阱能級，單位為eV；kB為玻爾茲曼常數，kB=8.617×10-5eV/K；T為絕對溫度，T=303 K；v為電子振動頻率，取v=3×1012s-1；t為時間，單位為s；N(Et)為陷阱密度，單位為m-3·(eV)-1；f0(Et)為初始電子占有率，取f0(Et)=1；b為表面電荷層厚度，取b=2×10-6m；q為電子電量，q=1.6×10-19C；V為表面電位，單位為V。

圖8給出了環氧樹脂/納米BN復合材料陷阱能級和陷阱密度的變化規律。由圖8可以看出，純環氧樹脂材料淺、深陷阱能級分別為0.88 eV和0.99 eV。當納米BN含量為1 wt%時，深陷阱能級提高至1.01 eV，深陷阱密度提高到1.08×1019m-3·(eV)-1；對陷阱能級曲線進行分峰擬合處理(見圖8)，可以發現，淺陷阱密度較少，導致淺陷阱峰在總陷阱分布中并不明顯。當納米BN含量進一步增加至2 wt%時，陷阱的能級密度增加。當納米BN含量繼續增加至5 wt%時，淺陷阱密度大幅提高，深陷阱能級降低至0.98 eV。

圖8 環氧樹脂/納米EP復合材料的陷阱特性Fig.8 Trap characteristics of EP/nano-BN composites

當納米BN添加量較少時(1 wt%和2 wt%)，納米BN的添加增加了深陷阱能級與密度，一方面有助于電極注入的載流子被俘獲，使載流子被限制在介質表面形成同極性電荷，這削弱了電極附近的電場，進而限制了載流子的注入[26]；另一方面，深陷阱對介質體內載流子的入陷和散射作用抑制了載流子的輸運，使介質的載流子遷移率和電導率降低，導致表面電位衰減速度減緩。與含量為1 wt%的環氧樹脂/納米BN復合材料相比，當納米BN含量為2 wt%時，環氧樹脂/納米BN復合材料的淺陷阱密度增加，這減小了淺陷阱間的平均距離，使載流子更易在陷阱間跳躍[14]，從而導致載流子遷移率、電導率以及表面電位衰減速度增大；然而擊穿場強卻提高，這與其具有更高的熱導率及雜質濃度有關：更高的熱導率增加了介質的散熱量，更高的雜質濃度減少了介質的自由體積以及增加了交互區數量，使得電子的平均自由行程縮短、運動能量降低，從而提高了其擊穿場強。當納米BN含量由2 wt%增加至5 wt%時，環氧樹脂/納米BN復合材料中出現少量大尺寸的納米顆粒團聚體，交互區之間發生交疊，引入的缺陷增多，使得淺陷阱密度增加，深陷阱能級減小，從而導致擊穿場強有所降低，載流子遷移率、電導率和表面電位衰減速度大幅提高。

4 結論

本文基于鹽酸多巴胺改性的納米BN，制備了三種不同質量分數的環氧樹脂/納米BN復合材料試樣，研究了試樣的熱導率、體積電導率、中頻擊穿場強及表面電位衰減特性，得出如下結論：

(1) 當納米BN含量較少時(1 wt%和2 wt%)，改性的納米BN在環氧樹脂中均勻分散，無團聚現象；而當納米BN含量達到5 wt%時，部分納米顆粒出現團聚現象。納米BN含量的增加有助于提高試樣的熱導率，其中添加5 wt%納米BN后，環氧樹脂熱導率提升了156%。

(2) 少量納米BN 的引入降低了環氧樹脂的體積電導率和載流子遷移率，添加1 wt%納米BN的環氧樹脂絕緣性能最佳；而添加5 wt%的納米BN后，環氧樹脂的體積電導率和載流子遷移率大幅提高。納米BN有助于提高環氧樹脂的中頻擊穿場強，含量2 wt%的環氧樹脂擊穿特性最優。

(3) 電壓頻率的升高降低了試樣的擊穿場強，而納米BN的引入有助于減緩擊穿場強的下降趨勢，并且能夠降低表面電位衰減的速度。因此，引入少量的納米BN 對提高中頻變壓器用環氧樹脂復合材料的導熱和電氣性能具有積極作用。