陳 婷,姚錦元,蔣公羽,肖 育,陳 新,楊 雨,鄭 恒
(1.上海交通大學微米納米加工技術國家級重點實驗室,上海 200240;2.上海衛星裝備研究所,上海 200240;3.復旦大學化學系激光化學研究所,上海 200433)
質譜分析技術已廣泛應用于化學分析、環境質量檢測[1]、食品安全檢測[2]、蛋白質組學研究[3]、地質檢測、考古分析、載人航天[4]、刑事科技[5]等領域?,F代科學的快速發展對質譜儀的小型化、便攜性和可靠性提出了更高的要求。質量分析器作為質譜儀的核心器件,對其結構進行優化是質譜儀小型化的關鍵。其中,離子阱質量分析器由于體積小、結構簡單、真空度要求低等優勢成為研究者們的首選[6-7]。
離子阱的分析性能除了與其結構形狀有關,還取決于相應的加工制造方法。加工制造過程中,不理想的結構尺寸和表面平整度等會使離子阱內增加高階電場,造成質譜峰形變化和質量漂移。常規的機械加工方法在微米尺度上無法產生足夠精確的電場,因此目前對于微米級離子阱的制造,高精度的微機電系統(MEMS)加工技術逐漸成為主流。
由于圓柱形離子阱(CIT)的結構簡單,加工難度較低,且有較好的分辨率,是很長一段時間的研究熱點。其中,Cooks團隊[8]成功利用硅微加工技術將106個1 μm的微型CIT集成到一片芯片上,大大降低了功耗;Chaudhary等[9]使用多層低溫共燒陶瓷(LTCC)技術集成了r0=1.375 mm 的CIT。然而對于CIT而言,體積的縮小加劇了離子束縛率及存儲率等問題,必須通過在同一平面上集成大量微型CIT陣列才能提高離子檢測的效率和信號強度?!?br>