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高溫鎳基合金渦輪葉片氣膜冷卻孔電解加工基礎(chǔ)試驗研究*

2018-03-30 06:25:05顏紅娟李志永崔慶偉嚴(yán)鳳潔鄭光明
制造技術(shù)與機(jī)床 2018年3期

顏紅娟 李志永 崔慶偉 嚴(yán)鳳潔 鄭光明 李 麗

(山東理工大學(xué)機(jī)械工程學(xué)院,山東 淄博255049)

管電極打孔是一種以中空金屬管作為陰極對工件陽極進(jìn)行材料蝕除的一種電化學(xué)加工工藝。在現(xiàn)代航空工業(yè)中,飛機(jī)不僅被廣泛應(yīng)用于常規(guī)運輸業(yè),而且在軍事領(lǐng)域中占據(jù)著越來越重要的地位。發(fā)動機(jī)葉片是航空發(fā)動機(jī)的關(guān)鍵零部件,其結(jié)構(gòu)設(shè)計及制造工藝直接體現(xiàn)發(fā)動機(jī)的性能指標(biāo),進(jìn)而影響飛機(jī)的制造成本和使役性能。而渦輪葉片作為高端精密零部件,在工作狀態(tài)下需要承受1 MPa以上高壓燃?xì)夂? 000 ℃以上的高溫[1-4],因此對材料本身的耐高溫性和高壓性提出了很高的要求,故多采用高溫鎳基合金和高溫鈦合金等材料。隨著現(xiàn)代科技的不斷發(fā)展,在現(xiàn)代航空業(yè)中,發(fā)動機(jī)葉片除了提高材料本身的耐熱性能和耐高壓性能外,還需要借助有效的冷卻技術(shù)對葉片進(jìn)行實時降溫處理。當(dāng)前,氣膜冷卻孔技術(shù)被國內(nèi)外證實為最廣泛、最有效的冷卻技術(shù)[5-8]。氣膜冷卻孔的主要加工工藝有電火花加工、激光加工及電解加工等。而前兩種加工方式是典型的熱加工工藝,加工過程中均會產(chǎn)生熱再鑄層和熱影響區(qū),加工中產(chǎn)生的殘余拉應(yīng)力和微觀裂紋是導(dǎo)致渦輪葉片失效的主要原因[9-12]。相比較而言,電解加工是基于陽極溶解原理去除金屬,沒有宏觀“切削力”和“切削熱”的作用,工件表面不會像前兩種加工方式那樣產(chǎn)生熱再鑄層和熱影響區(qū),不存在變形層和殘余應(yīng)力等問題,因此成為加工冷卻孔的主流工藝之一[13]。

本文以渦輪葉片常用的高溫鎳基合金Inconel718為基材,基于管電極打孔原理,以研究加工參數(shù)對冷卻孔表面性能的影響為主要目標(biāo),將冷卻孔的單邊間隙和材料蝕除率分別作為加工精度及加工效率的檢測指標(biāo)。通過正交試驗得出電解液入口壓力P、加工電壓U及電極進(jìn)給速度f對單邊間隙Δs及材料蝕除率MRR的影響,進(jìn)而又通過單因素試驗逐一分析了各個加工參數(shù)對單邊間隙和材料蝕除率的影響規(guī)律,最終得出管電極電解打孔的最優(yōu)參數(shù)組合。

1 試驗準(zhǔn)備

1.1 試驗材料與設(shè)備

試驗試樣為高溫鎳基合金Inconel718(25 mm×50 mm×1.5 mm),加工過程中試樣相對于水平面傾斜45°定位裝夾。圖1為管電極電解加工冷卻孔示意圖。

1.2 管電極絕緣處理和試驗方法

試驗選取外徑為0.8 mm,內(nèi)徑約0.3 mm的中空黃銅管電極,采用聚四氟乙烯進(jìn)行側(cè)面絕緣處理,絕緣層厚度約為50 μm,管電極前端面預(yù)留0.2 mm不做絕緣處理。電極絕緣處理技術(shù)要求詳見圖2。

管電極電解加工以NaNO3溶液作為電解液,采用恒電流加工,試驗過程中采用正流式加工。圖3為正流式加工示意圖。

1.3 性能表征方法

本文以單邊間隙Δs(μm)、材料蝕除率MRR(mm3/min)及表面微觀形貌作為冷卻孔的性能表征指標(biāo)。其中單邊間隙Δs作為衡量加工精度的評價指標(biāo),按如下公式計算:

(1)

式中:D為電解加工所得冷卻孔直徑,μm;d為管電極外徑,μm。

材料蝕除率MRR作為衡量加工效率的評價指標(biāo),計算公式如下:

(2)

式中:m1為工件電解加工前的質(zhì)量,g;m2為工件電解加工后的質(zhì)量,g;ρ為鎳基高溫合金Inconel718的密度,8.24 g/mm3;T為電解加工時間,min。

2 正交試驗設(shè)計及結(jié)果分析

2.1 正交試驗設(shè)計

本文基于正交試驗來研究電解液入口壓力P(MPa)、加工電壓U(V)及電極進(jìn)給速度f(mm/min)這3個工藝參數(shù)對冷卻孔成型精度的影響程度。采用3因素3水平正交試驗,并對試驗結(jié)果進(jìn)行極差分析,所選工藝參數(shù)及水平值如表1所示。

表2為正交試驗設(shè)計及試驗結(jié)果。由表2可知,相較其它冷卻孔而言,5號和7號冷卻孔得到的單邊間隙較小和材料蝕除率較高。單邊間隙和材料蝕除率的極差分析如表3和表4所示。

表1 工藝參數(shù)水平表

水平P/MPaU/Vf/(mm/min)10.270.3020.490.4230.6110.54

表2 正交試驗設(shè)計及結(jié)果

序號P/MPaU/Vf/(mm/min)Δs/μmMRR/(mm3/min)10.270.30129.900.34920.290.42110.230.49530.2110.54113.150.60040.470.42117.410.46250.490.5497.280.56160.4110.30132.500.61770.670.54101.410.46880.690.30120.200.54890.6110.42126.890.621

表3 單邊間隙極差分析表 μm

表4 材料蝕除率極差分析表 mm3/min

2.2 工藝參數(shù)對側(cè)面間隙的影響

由表3可以看出,在3個因素中,電解液入口壓力P其最小值為K2;加工電壓U其最小值為K2;進(jìn)給速度f的最小值為K3。因此,得到管電極電解加工冷卻孔單邊間隙的工藝參數(shù)為P2U2f3,即電解液入口壓力0.4 MPa、加工電壓9 V、進(jìn)給速度0.54 mm/min。通過極差分析可知,3個因素對單邊間隙的影響次序為f>U>P,即進(jìn)給速度的影響最大,電解液入口壓力影響最小。

2.3 工藝參數(shù)對加工蝕除率的影響

通過表4對材料蝕除率分析可知,由正交試驗得出材料蝕除率的工藝條件為P2U3f3,即電解液入口壓力0.4 MPa、加工電壓11 V、電極進(jìn)給速度0.54 mm/min。通過極差分析可知,3因素對蝕除率的影響次序依次為U>P>f,即加工電壓對蝕除率的影響最大,電解液入口壓力其次,進(jìn)給速度影響最小。綜上所述,擬定冷卻孔5加工工藝參數(shù)組合(電解液入口壓力0.4 MPa、加工電壓9 V、電極進(jìn)給速度0.54 mm/min)為電解加工冷卻孔的最佳工藝條件。

3 單因素試驗及結(jié)果分析

通過正交試驗分析,得到各因素對單邊間隙和材料蝕除率的影響規(guī)律,擬定了電解加工冷卻孔的最佳工藝參數(shù)組合。為進(jìn)一步優(yōu)化工藝參數(shù),在此基礎(chǔ)上通過單因素分析法,分析各個因素在電解加工冷卻孔過程中對Δs和MRR的影響。

3.1 電解液入口壓力對單邊側(cè)面間隙和加工蝕除率的影響

在U=9 V,f=0.54 mm/min條件下,研究不同電解液入口壓力(P=0.2 MPa、0.4 MPa、0.6 MPa)對單邊間隙和材料蝕除率的影響,如圖4所示。

由圖4分析可知,隨著電解液入口壓力的增大,Δs呈先減小后增大的趨勢。究其原因:壓力增大,電解液流速增加,間隙內(nèi)電解液更新速度提高,能夠迅速排出電蝕產(chǎn)物,使得加工時間縮短,冷卻孔側(cè)邊發(fā)生電化學(xué)溶解的時間減少,單邊間隙減小。但當(dāng)壓力過大時,過快的電解液在曲率變化較大的電解液流道中,極易引發(fā)渦流現(xiàn)象,產(chǎn)生空穴,導(dǎo)致電解產(chǎn)物無法及時排出,發(fā)生短路。短路后管電極后退重新進(jìn)給加工,在進(jìn)給反復(fù)中側(cè)面材料不斷被蝕除加工,側(cè)面間隙增大。由圖4還可看出,MRR隨入口壓力的增大而增加。這是因為,隨著電解液壓力的增加,電解液更新速度快,電解液電導(dǎo)率更新率提高,電解液電導(dǎo)率的增加引起電流密度增加,蝕除率的增加。

取試驗中不同電解液入口壓力下電解加工所得冷卻孔,其入口形貌如圖5所示。綜合考慮電解液入口壓力對Δs和MRR的影響,加工電壓為0.4 MPa為宜。

3.2 加工電壓對單邊間隙和加工蝕除率的影響

在P=0.4 MPa,f=0.54 mm/min條件下,研究不同加工電壓(U=5 V、7 V、9 V、11 V、13 V)對Δs和MRR的影響,結(jié)果如圖6所示。

從圖6中可以看出,在其他加工參數(shù)一定時Δs和加工電壓成正相關(guān)。這是因為隨著加工電壓升高,電化學(xué)反應(yīng)中電子轉(zhuǎn)移能力增強(qiáng),導(dǎo)致單邊間隙變大,加工精度降低。同時,隨著加工電壓的增大,MRR增加。MRR隨之升高的原因是加工電壓的升高會進(jìn)一步增大電流密度,電化學(xué)反應(yīng)加快,離子蝕除速度增加,導(dǎo)致MRR升高。

取試驗中不同加工電壓U下獲得冷卻孔形貌圖如圖7所示。綜合考慮加工電壓對Δs和MRR的影響,加工電壓為9 V為宜。

3.3 電極進(jìn)給速度對單邊間隙和材料蝕除率的影響

在P=0.4 MPa,U=9 V條件下研究不同電極進(jìn)給速度(f=0.30 mm/min、0.42 mm/min、0.54 mm/min)對Δs和MRR的影響,結(jié)果如圖8所示。由圖8可知,電極進(jìn)給速度f加快,Δs不斷變小。這是因為在較高的電極進(jìn)給速度下,加工時間相對較短,陽極工件材料發(fā)生電化學(xué)溶解的時間較少,Δs減小,加工精度升高。由圖8還看出,電極進(jìn)給速度加快,MRR升高。這是因為在較高的電極進(jìn)給速度下,加工時間較短,陽極工件材料發(fā)生電化學(xué)溶解相對速率加快,MRR較大。

取試驗中不同進(jìn)給速度下電解加工所得冷卻孔,其形貌如圖9所示。綜合考慮進(jìn)給速度對Δs和MRR的影響,進(jìn)給速度為0.42 mm/min為宜。

4 結(jié)語

(1) 對管電極電解加工冷卻孔進(jìn)行正交試驗設(shè)計,通過結(jié)果分析得到:進(jìn)給速度對單邊間隙的影響最大,加工電壓其次,電解液入口壓力對單邊間隙的影響

最??;加工電壓對材料蝕除率的影響最大,電解液入口壓力其次,進(jìn)給速度影響較小。

(2) 綜合考慮加工精度、加工效率及冷卻孔形貌三個因素,對管電極電解加工冷卻孔的三個主要因素進(jìn)行優(yōu)化,試驗結(jié)果表明當(dāng)電解液入口壓力為0.4 MPa、加工電壓為9 V、電極進(jìn)給速度為0.42 mm/min時,得到的冷卻孔的單邊間隙為96.37 μm,材料蝕除率為0.545 mm3/min。因此,在此參數(shù)下加工的冷卻孔的單邊間隙較小、材料蝕除率較高、冷卻孔的表面完整性較好。

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