王雅珍,孟 爽,肖添遠,王鳳超,祖立武,蘭天宇
(1.齊齊哈爾大學材料科學與工程學院,黑龍江 齊齊哈爾 161006;2.齊齊哈爾大學化學與化學工程學院,黑龍江 齊齊哈爾 161006)
苯乙烯在改性氧化石墨烯表面的接枝聚合
王雅珍1,孟 爽2*,肖添遠1,王鳳超2,祖立武1,蘭天宇1
(1.齊齊哈爾大學材料科學與工程學院,黑龍江 齊齊哈爾161006;2.齊齊哈爾大學化學與化學工程學院,黑龍江 齊齊哈爾161006)
采用硅烷偶聯劑γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(KH570)對氧化石墨烯(GO)進行有機改性,得到了改性氧化石墨烯(GO-KH570),然后在GO-KH570表面接枝苯乙烯(St),制備了一種表面接枝聚苯乙烯(PS)的阻燃劑(GO-KH570)-g-PS。采用傅里葉變換紅外光譜儀、X射線光電子能譜、熱失重分析儀和掃描電子顯微鏡對GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS進行了測試表征。結果表明,成功合成了接枝率為20.37%的(GO-KH570)-g-PS。
氧化石墨烯;γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷;聚苯乙烯
具有片層狀結構的GO是石墨的衍生物,由石墨強氧化后得到。干燥后的GO在高溫下快速升溫時,150 ℃以上會分解放出CO、CO2和O2,200 ℃時會形成碳層,在材料表面起到隔離O2和可燃氣體的作用。因此,GO可作為阻燃劑添加到聚合物中,以提高聚合物的阻燃性能。但GO屬于無機物,與聚合物的相容性較差,結合力不夠,會影響其阻燃效果及材料的力學性能。徐加艷等[1]將聚乙烯醇(PVA)嵌入到GO片層間制備納米GO復合材料,結果表明復合材料的分解溫度比純PVA提高了100 ℃,并且GO有助于PVA表面殘炭的生成,減緩了材料的分解速率,提高了材料的不可燃焦化殘余量。李松榮等[2]用硅烷偶聯劑對GO進行改性,并將其應用于環氧樹脂中,添加改性GO的復合材料的力學性能有所提升。前人的研究大多采用插層聚合或僅進行一次改性,就將GO加以應用。
本文采用硅烷偶聯劑KH570對GO進行有機改性,得到改性氧化石墨烯GO-KH570,然后在GO-KH570表面接枝St,制備了(GO-KH570)-g-PS阻燃劑,合成過程中GO共經歷2次改性,使其有機化程度明顯提高。
天然鱗片石墨(NG),分析純,純度為99.9%,青島巖海碳材料有限公司;
濃硫酸(H2SO4)、甲苯、冰乙酸、鹽酸(HCl),分析純,天津市鑫宇精細化工有限公司;
過硫酸鉀(K2S2O8),分析純,天津市凱通化學試劑有限公司;
五氧化二磷(P2O5),分析純,天津市科密歐化學試劑有限公司;
高錳酸鉀(KMnO4),分析純,哈爾濱試劑化工廠;
雙氧水(H2O2),分析純,天津市致遠化學試劑有限公司;
γ- 甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷,分析純,純度為97%,山東優索化工科技有限公司;
無水乙醇,分析純,天津市天力化學試劑有限公司;
St,分析純,天津市大茂化學試劑廠;
過氧化苯甲酰(BPO),化學純,天津市科密歐化學試劑有限公司。
超聲細胞粉碎機,JY92-11DN,寧波新芝生物科技股份有限公司;
冷凍干燥機,LGJ-10D,北京四環科學儀器廠有限公司;
高速離心機,TGL-16G,江蘇金壇市中大儀器廠;
傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR),JASCOFT/IR-4200,日本佳司科公司;
X射線光電子能譜(XPS),ESCALAB250Xi,美國Thermo公司;
熱失重分析儀(TG),STA449C,德國Netzsch儀器制造有限公司;
掃描電子顯微鏡(SEM),S-3400,日本日立公司。
GO的制備:采用改進Hummers法[3]制備GO;
GO-KH570的制備:將制得的GO加入去離子水中,超聲分散1h,磁力攪拌3h,制得GO含量為2mg/mL的GO/H2O分散液,待用;向60mL的無水乙醇中加入1mL的KH570,攪拌10min,使KH570充分溶解于無水乙醇中;量取20mL的GO/H2O分散液加入含有KH570的乙醇溶液中超聲分散10min;將混合液加入裝有冷凝器的250mL三口燒瓶中,將三口燒瓶放入恒溫磁力攪拌加熱器中攪拌10min;用冰乙酸調節反應體系的pH值在4~5之間,加熱至50℃,恒溫攪拌3h;升溫至70℃,恒溫攪拌3h;停止加熱,待反應體系冷卻至室溫,使用高速離心機將反應產物與溶劑分離,用無水乙醇洗滌反應產物,反復離心、洗滌4次以除去未反應的KH570;45℃下真空干燥48h,得到GO-KH570;
(GO-KH570)-g-PS的制備:分別量取50mL的無水乙醇和5mL的St,將St加入到無水乙醇中攪拌10min,使St充分溶解于無水乙醇中;稱取0.5g制得的GO-KH570加入到含有St的乙醇溶液中,超聲分散10min;再稱取0.1gBPO加入混合溶液中,將混合溶液加入裝有冷凝器的250mL三口燒瓶中,水浴加熱至50℃,攪拌10min,使BPO完全溶解;待BPO完全溶解后,升溫至80℃,恒溫攪拌6h;停止加熱,待反應體系冷卻至室溫,使用高速離心機將反應產物與溶劑分離,用甲苯洗滌反應產物,反復離心、洗滌4次以除去均聚生成的PS;45℃下真空干燥48h,得到(GO-KH570)-g-PS。
FTIR分析:分別稱取適量的GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS樣品,在紅外燈下與溴化鉀研磨混合均勻,壓片制樣,用FTIR測試,掃描范圍為4000~500cm-1,掃描次數為3次;
XPS分析:稱取少量待測樣品,將其制成薄片,用導電膠將待測樣品粘到待測底座上,放入進藥室并抽真空,再將其放入進樣室,真空度設為0.7~0.9kPa,選用單色器A1靶作為發射源,對樣品進行測試;
TG分析:取約5mg樣品,高純氮氣氣氛下,升溫速率為10℃/min,溫度范圍為0~800℃,對比GO、GO-KH570、(GO-KH570)-g-PS的高溫穩定性;
SEM分析:分別稱取適量GO、GO-KH570、(GO-KH570)-g-PS樣品,進行SEM測試,加速電壓為20.0kV;
(GO-KH570)-g-PS接枝率的計算:根據GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的TG曲線在800℃時的質量損失率(B和C),用式(1)計算(GO-KH570)-g-PS的接枝率(G)。
G=B-C
(1)
式中G——(GO-KH570)-g-PS的接枝率, %
B——GO-KH570的質量損失率, %
C——(GO-KH570)-g-PS的質量損失率, %

(a)GO (b)GO-KH570 (c)(GO-KH570)-g-PS圖2 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的XPS測試C1s分峰擬合曲線Fig.2 C1s peak fitting curves of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS XPS tests
從圖1可以看出,GO-KH570中3451cm-1處的羥基伸縮振動峰較GO明顯減小,同時在1036cm-1處出現C—O—Si鍵[4]的伸縮振動峰,可知GO和KH570發生了縮合反應,且GO-KH570中位于1621cm-1處的C=C鍵伸縮振動峰較GO明顯增加,表明KH570已經成功對GO改性;并且(GO-KH570)-g-PS中出現了1450cm-1和1496cm-1處的苯環骨架振動峰,表明PS已經成功接枝到GO-KH570上。

1—GO 2—GO-KH570 3—(GO-KH570)-g-PS圖1 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的FTIR譜圖Fig.1 FTIR spectra of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS
對比表1中各原子的含量可以看出,GO-KH570中出現了含量為6.33%的新原子Si,這是由于KH570對GO改性的結果導致的,隨著反應體系溫度的升高,GO中的含氧基團有一部分被還原導致O原子的含量降低;(GO-KH570)-g-PS中的Si原子含量較GO-KH570有所減少,這是由于在洗滌過程中洗掉了未發生反應的KH570,由于反應溫度進一步升高,導致含氧基團繼續被還原,因此O原子的含量進一步減少。

表1 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS中的原子含量 %
對GO的XPS測試數據C1s分峰擬合后,284.52、284.80、286.64、286.87、288.09 eV分別歸屬于C=C、C—C、C—OH、C—O、C=O鍵;對GO-KH570的XPS測試數據C1s分峰擬合后,284.19、284.62、285.03、286.07、286.82、288.70 eV分別歸屬于C—Si、C=C、C—C、C—OH、C—O、C=O鍵;對(GO-KH570)-g-PS的XPS測試數據C1s分峰擬合后,284.16、284.60、285.01、286.05、286.83、288.55 eV分別歸屬于C—Si、C=C、C—C、C—OH、C—O、C=O鍵。對比發現,GO-KH570的C1s分峰擬合曲線中,在284.30 eV處出現了一個新的化學鍵C—Si,而且GO-KH570中C—OH的含量較GO中的C—OH含量明顯減少,C=C含量明顯增加,這是由于水解后KH570中的羥基和GO中的羥基反應使其含量減少,而KH570中又含有C—Si和C=C,因此會出現C—Si和C=C含量的增加。進一步驗證了已經成功用KH570對GO進行了有機改性。在GO-KH570表面接枝St后形成了PS長鏈,使(GO-KH570)-g-PS中C=C的含量較GO-KH570中的明顯減少,C—C鍵含量增加,因此進一步證明PS成功在GO表面接枝聚合。
根據FTIR和XPS測試分析結果,推測出如圖3的反應機理。

(a)KH570水解 (b)KH570改性GO (c)GO-KH570接枝PS圖3 (GO-KH570)-g-PS的反應機理Fig.3 Reaction mechanism conjecture of (GO-KH570)-g-PS

1—GO 2—GO-KH570 3—(GO-KH570)-g-PS圖4 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的TG曲線Fig.4 TG curves of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS
從圖4中可以看出,180℃以下3種物質都分解一小部分,這是其因失水而導致的失重由于它們吸收空氣中的水分解而導致的。其中GO的質量損失率最大,這是由于GO表面含有大量的羥基,羥基屬于親水基團,使GO吸收的水分較多,因此GO在該溫度下失重較多;而GO-KH570和PS-g-(GO-KH570)在該溫度下質量損失率明顯減小,這是因為在改性過程中,GO中的羥基已經與KH570發生化學反應而使其羥基含量大大減少,從而導致其因失水而產生的失重減小。在180℃左右,由于GO和GO-KH570中含有大量的含氧基團(羥基、羧基和環氧基團)開始分解[2],導致它們分別產生了23.19%和14.02%的失重;而GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的二次分解溫度與GO的二次分解溫度相差不大,但質量損失率明顯降低,根據表1中原子含量對比可知在KH570改性GO過程中,使GO表面含氧基團所占的百分數減少,同時接枝PS反應溫度為80℃,接枝后GO中的含氧基團被還原,也會導致含氧量進一步減少,使質量損失率降低。在350℃左右GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS繼續分解,這是由于經過改性后形成的C—O—Si鍵分解所致,對比2條曲線會發現,(GO-KH570)-g-PS的質量損失率比GO-KH570的大,這是由于接枝到GO-KH570表面的PS長鏈在330~380℃會出現熱分解。再次驗證了KH570成功對GO進行有機改性,并將PS成功接枝到GO-KH570上。根據式(1)計算(GO-KH570)-g-PS的接枝率,為20.37%。
從圖5(a)、5(b)中可以看出,GO具有片層結構,每個片層的表面比較光滑且層間距較大,這是由于GO中含有大量的含氧基團其分子間具有靜電斥力,導致層間距增大;從圖5(c)可以看出,經過KH570改性后的GO層間距明顯減小,且表面較改性之前粗糙,這是由于KH570和GO中的羥基反應使含氧基團減少,分子間的靜電斥力減小導致其層間距減小;從圖5(d)中可以看出,片層表面變光滑且表面和片層間有球狀物,這是由于經過改性后的GO-KH570表面接枝的St分子會繼續和未發生接枝反應的St分子發生聚合,在接枝端形成長鏈PS,球狀物即為PS。可進一步證明已成功用KH570對GO進行了有機改性,并接枝上PS。

樣品,放大倍率:(a)GO,×100 (b)GO,×5000 (c)GO-KH570,×5000 (d)(GO-KH570)-g-PS,×5000圖5 GO、GO-KH570和(GO-KH570)-g-PS的SEM照片Fig.5 SEM of GO, GO-KH570 and (GO-KH570)-g-PS
(1)初步確定水解后的KH570和GO間縮合形成C—O—Si鍵,成功用KH570對GO進行了有機改性,并在其表面成功接枝上PS,使GO的有機化程度進一步提高;
(2)由于對GO進行有機改性并接枝上PS,使GO基體的層間距明顯減小且表面被PS所覆蓋,使(GO-KH570)-g-PS的質量損失率明顯增加,(GO-KH570)-g-PS的接枝率為20.37%。
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GraftingPolymerizationofStyreneonSurfaceofModifiedGrapheneOxide
WANG Yazhen1, MENG Shuang2*, XIAO Tianyuan1,WANG Fengchao2, ZU Liwu1, LAN Tianyu1
(1.College of Materials Science and Engineering, Qiqihar University, Qiqihar 161006, China;2.College of Chemical and Chemical Engineering, Qiqihar University, Qiqihar 161006, China)
In this work, graphene oxide(GO) was surface modified by silane coupling agent γ-methacryloxy propyl trimethoxyl silane, and then styrene was grafted onto the surface of the surface-modified GO for the purpose of flame retardancy. The resultant (GO-KH570)-g-polystyrene (PS) was characterized by Fourier-transform infrared spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy, thermogravimetric analysis and scanning electron microscopy. The results indicated that (GO-KH570)-g-PS was successfully prepared.
graphene oxide; γ-methacryloxy propyl trimethoxyl silane; polystyrene
國家自然科學基金項目(21376127、U1162123);齊齊哈爾市科技局面上項目(GYGG-201210)
TQ325.2
B
1001-9278(2017)09-0081-05
10.19491/j.issn.1001-9278.2017.09.012
2017-06-12
*聯系人,441034888@qq.com