辛基酚的碳化硅@膨脹石墨修飾電極法檢測(cè)

嚴(yán)鵬，王慶虎，余俊，張媛媛，楊年俊，李亞偉*，萬(wàn)其進(jìn)*

1.武漢工程大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院，湖北武漢 430205；

2.武漢科技大學(xué)耐火材料與高溫陶瓷國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地，湖北武漢 430081

辛基酚的碳化硅@膨脹石墨修飾電極法檢測(cè)

嚴(yán)鵬1，王慶虎2，余俊1，張媛媛1，楊年俊1，李亞偉2*，萬(wàn)其進(jìn)1*

1.武漢工程大學(xué)化學(xué)與環(huán)境工程學(xué)院，湖北武漢 430205；

2.武漢科技大學(xué)耐火材料與高溫陶瓷國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地，湖北武漢 430081

采用氣相沉積法在膨脹石墨（EG）層片間生長(zhǎng)碳化硅（SiC）晶須，制備出復(fù)合材料碳化硅@膨脹石墨（SiC@EG），并通過(guò)改變氣相沉積的溫度（分別為1 200℃、1 300℃、1 400℃）制備出不同形貌的SiC@EG.所得材料用掃描電鏡和循環(huán)伏安法及交流阻抗技術(shù)進(jìn)行表征，結(jié)果表明1 300℃下制得的SiC@EG具有較好的電化學(xué)性能，將其作為新型修飾電極材料應(yīng)用于對(duì)酚類環(huán)境激素的檢測(cè)，研究了辛基酚在SiC@EG修飾電極上的電化學(xué)行為.通過(guò)考察辛基酚在SiC@EG修飾電極上氧化行為的影響因素，對(duì)實(shí)驗(yàn)條件進(jìn)行了優(yōu)化.在最優(yōu)條件下，辛基酚的氧化峰電流和濃度在0.1 μmol/L～10 μmol/L范圍內(nèi)呈現(xiàn)良好的線性關(guān)系，檢測(cè)限達(dá)35 nmol/L.

碳化硅晶須；膨脹石墨；化學(xué)修飾電極；辛基酚

內(nèi)分泌干擾化學(xué)物（endocrine disrupting chemicals，EDCs）是一種外源性干擾內(nèi)分泌系統(tǒng)的化學(xué)物質(zhì)，指環(huán)境中存在的能干擾人類或動(dòng)物內(nèi)分泌系統(tǒng)諸環(huán)節(jié)并導(dǎo)致異常效應(yīng)的物質(zhì)，它們通過(guò)攝入、積累等各種途徑，并不直接作為有毒物質(zhì)給生物體帶來(lái)異常影響，而是類似雌激素對(duì)生物體起作用，即使數(shù)量極少，也能讓……