南昌大學江風益團隊自主研發的光明“中國芯”榮獲國家技術發明一等獎

中共中央、國務院1月8日上午在北京隆重舉行國家科學技術獎勵大會。黨和國家領導人習近平、李克強、劉云山、張高麗出席大會并向獲得國家自然科學獎、國家技術發明獎、國家科學技術進步獎和中華人民共和國國際科學技術合作獎的代表頒獎。

南昌大學江風益團隊的“硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管”項目榮獲國家技術發明一等獎。江風益教授作為項目第一完成人上臺接受習近平主席的頒獎。該獎項的獲得，實現了江西省在“國家技術發明獎”這項大獎中一等獎“零”的突破，也是地方綜合性高校的一個殊榮。

1996年，經過3年時間的技術跟蹤，江風益決定帶領團隊轉向自主核心技術的研發，在一個欠發達省份的地方高校中，拉開了從事GaN藍光LED研究、自主創造光明“中國芯”的序幕。歷經19年的科研攻關，在LED照明技術上取得突破性成果，成功研發出硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管，并在市場應用上取得明顯經濟效益和社會效益，走出了一條“硅基發光，中國創造”的新路線。南昌大學硅襯底高光效GaN基藍色發光二極管的誕生，使中國成為世界上繼日美之后第三個掌握藍光LED自主知識產權技術的國家。“中國芯”與日美技術形成全球三足鼎立之勢，打破了日本藍寶石襯底、美國碳化硅襯底長期壟斷國際LED照明核心技術的局面，中國為之驕傲，世界為之震動。