利用垂直饋穿部進行的晶片級氣密包裝方法

申請公布號：CN105579391A

申請號：2013800794175

申請人：S·E·阿爾珀；M·M·土倫巴斯；T·阿金

地址：土耳其安卡拉

發明人：S·E·阿爾珀；M·M·土倫巴斯；T·阿金

Int.Cl.：B81C1/00（2006.01）I

PCT進入國家階段日：2016.03.07

PCT申請數據：PCT/TR2013/000298 2013.09.11

PCT公布數據：WO2015/038078 EN 2015.03.19

摘 要：一種用于MEMS結構的晶片級包裝方法，希望將該MEMS結構封裝在氣密空腔中，并且該MEMS結構需要將至少單個或多個電引線轉移到空腔外部，并且不損壞空腔的氣密性。引線轉移是利用垂直饋穿部實現的，在生產封裝空腔的同一制造步驟中在封帽基板上對該垂直饋穿部進行構圖。此外，垂直饋穿部和到達這些饋穿部的過孔的結構被以如下方式布置，即傳統焊線結合將足以將垂直饋穿部連接至外界，而無需在過孔內重填導體。該方法與使用各種密封材料如薄膜金屬和合金的基于低溫熱壓縮的結合/密封過程兼容，并且還與硅玻璃陽極或硅-硅共熔結合過程兼容。