毫米波化合物半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展

時(shí) 翔，張 超

（1. 常州工學(xué)院，江蘇 常州 213002；2. 南京理工大學(xué)，江蘇 南京 210094）

毫米波化合物半導(dǎo)體材料研究進(jìn)展

時(shí) 翔1，張 超2

（1. 常州工學(xué)院，江蘇 常州 213002；2. 南京理工大學(xué)，江蘇 南京 210094）

毫米波集成電路成為毫米波系統(tǒng)應(yīng)用中必不可少的核心技術(shù)，化合物半導(dǎo)體材料砷化鎵、磷化銦無(wú)疑在毫米波集成電路制造中占據(jù)重要地位，繼砷化鎵、磷化銦占據(jù)毫米波芯片襯底材料主流之后，以氮化鎵材料為代表的第三代半導(dǎo)體材料逐漸成為目前國(guó)際毫米波芯片制造的材料研究熱點(diǎn)。本文對(duì)以砷化鎵、磷化銦、氮化鎵為代表的毫米波化合物半導(dǎo)體材料技術(shù)及其發(fā)展，進(jìn)行了總結(jié)與展望。

毫米波集成電路；化合物半導(dǎo)體；綜述；砷化鎵；磷化銦；氮化鎵

30～300 GHz的毫米波技術(shù)在無(wú)線通信、汽車(chē)電子、雷達(dá)遙感、射電天文、航空安檢等領(lǐng)域愈來(lái)愈不可或缺[1-3]。2011年起，美國(guó)運(yùn)輸安全管理局（TSA）授權(quán)國(guó)內(nèi)各大機(jī)場(chǎng)使用唯一“先進(jìn)成像安檢技術(shù)”——美國(guó) L-3公司提供的“Provision”毫米波安檢系統(tǒng)。2015年Google向外界展示了“基于60 GHz毫米波技術(shù)打造創(chuàng)新手勢(shì)互動(dòng)體驗(yàn)”項(xiàng)目。2016年美國(guó)Verizon和 T-Mobile公司向美國(guó)聯(lián)邦通訊委員會(huì)（FCC）提交了毫米波頻譜測(cè)試實(shí)驗(yàn)牌照申請(qǐng)，同年，中國(guó)華為率先突破 60 GHz頻段波束成形（Beam Forming）及非視距傳輸（NLoS）技術(shù)，在未來(lái) 5G技術(shù)中，將60 GHz毫米波技術(shù)作為優(yōu)選。美國(guó)特斯拉（Tesla）汽車(chē)公司在2016年使用了以色列Mobileye公司的核心先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）技術(shù)，毫米波雷達(dá)芯片成為最核心的主流傳感器方案之一，在中國(guó)百度公司的全自動(dòng)駕駛系統(tǒng)中，毫米波雷達(dá)亦成為其多感知系統(tǒng)融合的重要傳感器技術(shù)之一。

毫米波集成電路成為上述系統(tǒng)中必不可少的核心芯片。第一代半導(dǎo)體材料硅（Si）無(wú)疑在集成電路制造中占據(jù)重要地位，但在微波、毫米波集成電路的制造中，如表1所示，以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表的第二代化合物半導(dǎo)體材料以其飽和速度高、帶隙寬等優(yōu)良特性，占據(jù)目前毫米波集成電路制造材料的主流。繼GaAs、InP之后，以氮化鎵（GaN）材料為代表的第三代化合物半導(dǎo)體材料成為目前的研究熱點(diǎn)。本文主要分析了以GaAs、InP、GaN為代表的毫米波集成電路制造用化合物半導(dǎo)體材料的研究進(jìn)展現(xiàn)狀與趨勢(shì)。

表1 半導(dǎo)體材料的電學(xué)參數(shù)對(duì)比Tab.1 Electrical parameter comparison of semiconductor materials

1 GaAs和InP基化合物半導(dǎo)體

以GaAs為半導(dǎo)體襯底材料的毫米波集成電路，已廣泛地應(yīng)用于毫米波無(wú)線通信、探測(cè)與成像等領(lǐng)域，成為目前毫米波集成電路制造最成熟的半導(dǎo)體材料技術(shù)。但是更高頻率應(yīng)用以及多功能系統(tǒng)級(jí)芯片（SOC）集成技術(shù)等方面尚有許多應(yīng)用有待拓展。InP半導(dǎo)體技術(shù)隨著毫米波工作頻率向著高工作頻率和超高速發(fā)展而逐步走入應(yīng)用，成為高頻、高速、混合信號(hào)毫米波技術(shù)的主流趨勢(shì)。

1.1 GaAs

GaAs在毫米波半導(dǎo)體材料技術(shù)中得到最廣泛應(yīng)用，與傳統(tǒng)Si材料相比，高電子遷移率、寬禁帶、直接帶隙、消耗功率低的特點(diǎn)，使其特別適用于毫米波頻率的集成電路設(shè)計(jì)與制造。圖 1所示為一種GaAs襯底的高電子遷移率晶體管-異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HEMT-HBT）的橫截面結(jié)構(gòu)[4]，疊層結(jié)構(gòu)包含HBT外延層上的HEMT層，E、B、C分別為HBT的發(fā)射極、基極和集電極，S、G、D分別為源極、漏極和柵極。

圖1 GaAs HEMT-HBT的橫截面結(jié)構(gòu)Fig.1 Cross section of the stacked GaAs HEMT-HBT technology

美國(guó)于20世紀(jì)80年代中期啟動(dòng)了微波/毫米波單片集成電路研制計(jì)劃，基于GaAs半導(dǎo)體材料，發(fā)展用于未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)的靈巧武器系統(tǒng)、衛(wèi)星通信中的微波、毫米波集成電路技術(shù)[5]。2010年，嚴(yán)蘋(píng)蘋(píng)等[6]研制了兩級(jí)和三級(jí)2種毫米波（28～40 GHz）頻率的單片低噪聲放大器（LNA）；2011年，Yan等[7]基于100nm mHEMT技術(shù)，設(shè)計(jì)了兩款集成了縫隙天線的混頻器，兩種混頻器射頻端都達(dá)到了185～202 GHz。如圖2所示，單端混頻器的插入損耗為8 dB，接收機(jī)增益達(dá)到了15.4 dB；單端平衡混頻器的插入損耗為12.2 dB，接收機(jī)增益11.2 dB。2012年，Patterson等[8]介紹了一種60 GHz有源波束掃描的1×4接收機(jī)陣列，由4個(gè)與天線集成的GaAs LNA與3個(gè)GaAs單刀雙擲（SPDT）組成。2014年，Chang等[9]介紹了一種基于 0.15 μm GaAs的 Ka波段壓控振蕩器（VCO），工作頻率37.6～38 GHz。2015年，彭龍新等[10]研制了一款 GaAs集成了功率放大器（PA）和LNA的毫米波（32～37 GHz）多功能單片。

圖2 GaAs基mHEMT（a）單端電阻式混頻器，（b）單端平衡電阻混頻器Fig.2 (a) single-ended resistive mixer and (b) single-balanced resistive mixer based on GaAs mHEMT technology

在毫米波波段內(nèi)，GaAs器件的性能大大優(yōu)于Si器件的性能，其良好的低噪聲、大功率和寬頻帶特性，在過(guò)去數(shù)十年內(nèi)，使它成為毫米波領(lǐng)域內(nèi)最重要的半導(dǎo)體器件。

1.2 InP

InP基毫米波半導(dǎo)體材料是以InP單晶為襯底而生長(zhǎng)的化合物半導(dǎo)體材料，與GaAs相比，其突出的特點(diǎn)是載流子遷移率高、擊穿電場(chǎng)與電子平均速度更高，更具有高頻、低噪聲、高效率、抗輻照等特點(diǎn)，特別適用于毫米波高頻率，因而成為W波段以及更高頻率毫米波芯片襯底首選材料，并廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星、航空、軍事等重要應(yīng)用領(lǐng)域。

圖3是應(yīng)用于毫米波芯片電路的典型InP HBT工藝的截面圖[11]。工藝采用低介電常數(shù)（εr≈2.65）的BCB介質(zhì)層作為三級(jí)布線環(huán)境的夾層介質(zhì)，同時(shí)包括MIM電容及薄膜電阻。通過(guò)BCB介質(zhì)層（通常為1 μm）分離的M1和M2實(shí)現(xiàn)窄線寬和小間距的互連線，M3和M1是標(biāo)準(zhǔn)微帶線結(jié)構(gòu)，M3作為信號(hào)線，M1作為地線。

圖3 InP HBT工藝的截面圖Fig.3 Schematic cross section of InP HBT

InP基HEMT器件在噪聲和功率方面的優(yōu)勢(shì)，特別適合于無(wú)線通信收發(fā)鏈路和低噪聲放大的應(yīng)用。2009年，Hirata等[12]發(fā)表了基于InP基HEMT技術(shù)實(shí)現(xiàn)的 120 GHz無(wú)線通信鏈路，實(shí)現(xiàn)了 11.1 Gbit/s的最大數(shù)據(jù)傳輸率。2015年，鐘英輝等[13]基于自主InP HEMT工藝設(shè)計(jì)并制作了一款W波段單級(jí)LNA單片毫米波集成電路，如圖4所示，該放大電路芯片在87.5 GHz處噪聲系數(shù)為4.3 dB，88.8 GHz處飽和輸出功率為8.03 dBm。國(guó)際上，商業(yè)應(yīng)用的InP基LNA在94 GHz下的噪聲系數(shù)僅為2.5 dB，增益達(dá)到19.4 dB。

圖4 InP基HEMTs的W波段LNA芯片F(xiàn)ig.4 W band InP HEMTs LNA

隨著InP基HBT技術(shù)的突破，基于InP基HBT的毫米波芯片的fT和fmax提高到150～200 GHz以上。2015年，Eriksson等[14]采用InP基雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（DHBT）工藝實(shí)現(xiàn)了5級(jí)300 GHz放大器，圖5所示為采用該芯片集成的300 GHz放大器內(nèi)部的顯微照片。

圖5 InP基DHBT的300 GHz放大器Fig.5 300 GHz InP DHBT amplifier

隨著InP材料的成熟和發(fā)展，其豐富的異質(zhì)結(jié)構(gòu)和極高的載流子遷移率，使其在更高頻率領(lǐng)域的應(yīng)用不斷推進(jìn)和發(fā)展。近年來(lái)，美國(guó)已啟動(dòng)了太赫茲波（THz）電子學(xué)研究計(jì)劃，計(jì)劃充分挖掘InP基材料在高頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，將InP電路的工作頻率推進(jìn)到太赫茲領(lǐng)域。2015年，Leong等[15]基于InP HEMT技術(shù)，研制了一種850 GHz的LNA，在850 GHz工作頻率下，噪聲系數(shù)11.1 dB，增益13.6 dB，如圖6所示。可以預(yù)計(jì)在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里，具有優(yōu)異特性的InP基材料和電路將成為毫米波、太赫茲波研究的熱點(diǎn)。

圖6 InP基HEMT的850 GHz LNAFig.6 850 GHz InP HEMT LNA

2 GaN基化合物半導(dǎo)體

GaN作為第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）的代表，具有禁帶寬、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、電子飽和速度高、熱導(dǎo)率高、性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)，其器件功率密度是Si、GaAs功率密度的10倍以上，特別適用于毫米波功率器件，廣泛應(yīng)用于毫米波頻段的軍事、航天等領(lǐng)域，成為新一代固態(tài)毫米波功率器件與材料研究的前沿?zé)狳c(diǎn)，具有巨大的發(fā)展前景[16-17]。圖 7所示為典型的GaN HEMT結(jié)構(gòu)圖，AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)材料由絕緣或半絕緣襯底（SiC、Si等）、GaN、AlGaN組成。受自發(fā)極化效應(yīng)和壓電極化效應(yīng)的共同作用，AlGaN/GaN 界面處存在高密度的二維電子氣（2DEG），在源漏之間形成器件的導(dǎo)電溝道，器件通過(guò)改變柵極偏置大小來(lái)改變異質(zhì)結(jié)界面處的2DEG濃度，從而改變?cè)绰┹敵鲭娏鞯拇笮18]。

圖7 GaN HEMT 基本結(jié)構(gòu)Fig.7 Fundamental structure of GaN HEMT

2007年美國(guó)國(guó)防高級(jí)研究計(jì)劃局（DARPA）的寬禁帶半導(dǎo)體計(jì)劃“WBGS”中，提出從材料、器件到集成電路三階段在毫米波段對(duì)GaN基HEMT進(jìn)行攻關(guān)，2009年，美國(guó)DARPA又啟動(dòng)了面向更高頻率器件的NEXT項(xiàng)目，在4～5年內(nèi)將器件的頻率提高到500 GHz。

2009年，Masuda等[18]基于0.12 μm GaN HEMT共面波導(dǎo)技術(shù)研制了W波段的單片23 dB增益，3.8 dB噪聲系數(shù)的毫米波 LNA芯片和輸出功率 25.4 dBm的PA芯片。2011年，Quay等[19]基于100 nm GaN HEMTs技術(shù)，研制了60 GHz（150 mW輸出功率)和94 GHz（22.8 dBm輸出功率）的兩款PA芯片。2013年，Weber等[20]報(bào)道了兩款GaN基HEMT振蕩器芯片，如圖8所示。鎖頻振蕩器65.6 GHz，VCO的調(diào)頻范圍為65.6～68.8 GHz，相對(duì)帶寬達(dá)到5%。Oppermann等[21]于2014年報(bào)道了GaN基收/發(fā)前端集成模塊，如圖9所示，其中包括了兩個(gè)SPDT、LNA、PA等GaN基芯片進(jìn)行混合集成，收發(fā)共用一個(gè)天線，通過(guò)SPDT進(jìn)行收/發(fā)切換。

圖8 （a）鎖頻振蕩器和（b）VCOFig.8 (a) Fixed frequency oscillator and (b) VCO

圖9 GaN基收/發(fā)前端集成模塊Fig.9 GaN based transceiver front-end module

在國(guó)內(nèi)，2011年，劉果果等[22]報(bào)道了最大振蕩頻率為 200 GHz的基于藍(lán)寶石襯底的 AlGaN/GaN HEMT。2012年，陶洪琪等[23]報(bào)道了GaN pHEMT的毫米波功率MMIC產(chǎn)品，輸出功率密度可高達(dá)10 W/mm以上。2013年，任春江等[24]基于0.15 μm GaN HEMT技術(shù)，研制了一款Ka波段的PA芯片，其飽和功率達(dá)到10.64 W。2015年，宋建博等[25]基于標(biāo)準(zhǔn)的 SiC襯底 Al GaN/GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)工藝研制了毫米波段單片微波集成電路(MMIC)芯片，研制的2級(jí)PA在27～30 GHz頻段，工作電壓為25 V時(shí)，輸出功率大于2.6 W，功率附加效率大于15%，功率增益大于9 dB。

與GaAs、InP相比，GaN基毫米波器件表現(xiàn)出良好的擊穿電壓特性、高增益、高頻段和較好的噪聲特性，可以增大發(fā)射組件中PA的輸出功率，實(shí)現(xiàn)更遠(yuǎn)距離的探測(cè)，而且可以增加接收組件中LNA以及收/發(fā)開(kāi)關(guān)的承受功率和可靠性，更利于其在國(guó)防、航天以及無(wú)線通信的應(yīng)用。在國(guó)內(nèi)，2013年，由中科院微電子所牽頭的國(guó)家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目“氮化鎵基毫米波器件和材料基礎(chǔ)與關(guān)鍵問(wèn)題研究”通過(guò)驗(yàn)收。在國(guó)際上，2015年，美國(guó)愛(ài)國(guó)者防空與導(dǎo)彈防御系統(tǒng)采用雷聲公司技術(shù)進(jìn)行升級(jí)，GaN基有源電子掃描相控陣?yán)走_(dá)技術(shù)取代了原來(lái)的GaAs技術(shù)。上述重大研發(fā)計(jì)劃都預(yù)示著GaN基毫米波技術(shù)在未來(lái)毫米波技術(shù)發(fā)展中的重要地位。

3 結(jié)束語(yǔ)

近年來(lái)，各種新技術(shù)層出不窮，其中石墨烯由于其特有的高遷移率、良好噪聲性能等特點(diǎn)，在LNA應(yīng)用中有很大的優(yōu)勢(shì)，能廣泛應(yīng)用于W波段以及以上的毫米波單片集成電路中，特別適合于毫米波成像、超寬帶通信、雷達(dá)及電子戰(zhàn)系統(tǒng)等。2014年，美國(guó)高技術(shù)局（DARPA）在其官網(wǎng)宣布，基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）技術(shù)研發(fā)成功一種全Si單片集成的94 GHz發(fā)射/接收芯片，用于未來(lái)戰(zhàn)場(chǎng)無(wú)線通信。從當(dāng)前市場(chǎng)占有率來(lái)說(shuō)，GaAs材料和InP材料仍然是毫米波單片集成電路的主流襯底材料，GaN由于其高功率的特點(diǎn)，重點(diǎn)應(yīng)用在軍事與航天領(lǐng)域，隨著對(duì)毫米波無(wú)線通信距離增大的需求，GaN基毫米波技術(shù)也逐漸進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用。隨著毫米波技術(shù)逐漸占據(jù)未來(lái)5 GHz通信、汽車(chē)電子等重要領(lǐng)域，全Si集成的CMOS 毫米波SOC技術(shù)勢(shì)必將逐漸成為主流。

[1] SUN S, RAPPAPORT T S, HEATH R W, et al. MIMO for millimeter wave wireless communications: beamforming, spatial multiplexing, or both [J]. IEEE Commun Mag, 2014, 52(12): 110-121.

[2] FARSAEI A A, MOKHTARI-KOUSHYAR F, JAVAD SEYED-TALEBI S M, et al. Improved two-dimensional millimeter-wave imaging for concealed weapon detection through partial fourier sampling [J]. J Infrared Millim Terahertz Waves, 2016, 37(3): 267-280.

[3] MITOMO T，ONO N，HOSHINO H, et al. A 77 GHz 90 nm CMOS transceiver for FMCW radar applications [J]. IEEE J Solid State Circuits, 2010, 45(4): 928-937.

[4] CHANG H Y, LIU Y C, WENG S H, et al. Design and analysis of a DC-43.5 GHz fully integrated distributed amplifier using GaAs HEMT-HBT cascode gain stage [J]. IEEE Trans Microwave Theory Tech, 2011, 59(2): 443-455.

[5] 盛柏楨. 微波、毫米波單片集成電路（MIMIC）技術(shù) [J]. 集成電路通訊, 2004, 22(1): 31-33.

[6] 嚴(yán)蘋(píng)蘋(píng), 陳繼新, 洪偉. 毫米波單片低噪聲放大器的研制 [J]. 東南大學(xué)學(xué)報(bào), 2010, 40(3): 449-453.

[7] YU Y, YOGESH B K, STEN E G, et al. Monolithically integrated 200 GHz double-slot antenna and resistive mixers in a GaAs-mHEMT MMIC process [J]. IEEE Trans Microwave Theory Tech, 2011, 59(10): 2494-2503.

[8] CHAD E P, WASIF T K, GEORGE E P, et al. A 60 GHz active receiving switched-beam antenna array with integrated butler matrix and GaAs amplifiers [J]. IEEE Trans Microwave Theory Tech, 2012, 60(12): 3599-3607.

[9] CHANG C L, TSENG C H, CHANG H Y. A new monolithic Ka-band filter-based voltage-controlled oscillator using 0.15 μm GaAs pHEMT technology [J]. IEEE Microwave Wireless Lett, 2014, 24(2): 111-113.

[10] 彭龍新, 詹月, 李光超, 等. 毫米波高性能收發(fā)多功能芯片 [J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2015, 35(5): 433-437.

[11] KLAS E, IZZAT D, HERBERT Z. InP DHBT distributed amplifiers with up to 235 GHz bandwidth [J]. IEEE Trans Microwave Theory Tech, 2015, 63(4): 1334-1341.

[12] HIRATA A, YAMAGUCHI R, KOSUGI T. 10 Gbit/s wireless link using InP HEMT MMICs for generating 120 GHz-Band millimeter-wave signal [J]. IEEE Trans Microwave Theory Tech, 2009, 57(5): 1102-1109.

[13] 鐘英輝, 李凱凱, 李新建, 等. 基于InP基HEMTs的W波段高增益低噪聲放大MMIC [J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2015, 34(6): 668-672.

[14] ERIKSSON K, SOBIS P J, GUNNARSSON S E, et al. InP DHBT amplifier modules operating between 150-300 GHz using membrane technology [J]. IEEE Trans Microwave Tech, 2015, 63(2): 433-440.

[15] LEONG K M K H, MEI X, YOSHIDA W, et al. A 0.85 THz low noise amplifier using InP HEMT transistors [J]. IEEE Microwave Wireless Compon Lett, 2015, 25(6): 397-399.

[16] 郝躍, 張金風(fēng), 張進(jìn)成, 等. 氮化物半導(dǎo)體電子器件新進(jìn)展 [J]. 科學(xué)通報(bào), 2015, 60(10): 874-881.

[17] 宋建博, 方家興, 程知群, 等. 毫米波GaN基HEMT功率MMIC [J] .半導(dǎo)體技術(shù), 2015, 40(6): 417-420, 456.

[18] MASUDA S, OHKI T, MAKIYAMA K, et al. GaN MMIC amplifiers for W-band transceivers [C]//Microwave Conference, 2009. EuMC 2009. New York, IEEE, 2009: 1796-1799.

[19] QUAY R, TESSMANN A, KIEFER R, et al. Dual-gate GaN MMICs for MM-Wave operation [J]. IEEE Microwave Wireless Compon Lett, 2011, 21(2): 95-97.

[20] WEBER R, SCHWANTUSCHKE D, BRüCKNER P, et al. A 67 GHz GaN voltage-controlled oscillator MMIC With high output power [J]. IEEE Microwave Wireless Compon Lett, 2013, 23(7): 374-376.

[21] OPPERMANN M, THUROW F, BUNZ B. GaN/SiC MMICs and packaging for use in future transmit/receive modules [C]//Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC), 2014. New York, USA: IEEE, 2014: 1-4.

[22] 劉果果, 魏珂, 黃俊, 等. 最大振蕩頻率為 200 GHz的藍(lán)寶石襯底AlGaN/GaN HEMT [J]. 紅外與毫米波學(xué)報(bào), 2011, 30(4): 289-292.

[23] 陶洪琪, 余旭明, 任春江, 等. 毫米波10 W GaN HEMT功率MMIC [J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2012, 32(5): F0003-F0003.

[24] 任春江, 陶洪琪, 余旭明, 等. 0.15 μm GaN HEMT及其應(yīng)用 [J]. 固體電子學(xué)研究與進(jìn)展, 2013, 33(3): 215-219.

[25] 宋建博, 方家興, 程知群, 等. 毫米波GaN基HEMT功率MMIC [J].半導(dǎo)體技術(shù), 2015, 40(6): 417-420.

（編輯：陳豐）

Development on semiconductor materials research at millimeter wave band

SHI Xiang1, ZHANG Chao2
(1. Changzhou Institute of Technology, Changzhou 213002, Jiangsu Province, China; 2. Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)

Millimeter wave integrated circuits technology was the most necessary for millimeter wave application system. Compound semiconductors, such as gallium arsenide, indium phosphide undoubtedly occupy an important position in the millimeter wave integrated circuits manufacturing. Following the gallium arsenide and indium phosphide, gallium nitride materials as the representative of the third generation semiconductor materials become the millimeter wave integrated circuits manufacturing materials research focus. In this paper, the GaAs, InP, GaN as the representative of the millimeter wave integrated circuits semiconductor substrate materials technology and its development, are summaried and prospected.

millimeter wave integrated circuits; compound semiconductor; review; GaAs; InP; GaN

10.14106/j.cnki.1001-2028.2016.12.003

TN015

A

1001-2028（2016）12-0012-05

2016-09-06

時(shí)翔

江蘇省科技項(xiàng)目資助（No. BRA2015076）

時(shí)翔（1974-），男，江蘇宿遷人，副教授，博士，研究方向?yàn)槲⒉ā⒑撩撞夹g(shù)，E-mail: shix@czu.cn 。

時(shí)間：2016-11-29 11:30:51

http://www.cnki.net/kcms/detail/51.1241.TN.20161129.1130.003.html