摘要:目的:探討壓瘡進一步治療護理的方法。方法:選高血壓基底節區腦出血手術治療出院后發生壓瘡的患者40例。對照組20例,平均年齡66.9歲,主要采用傳統換藥、理療等方法。治療組20例,平均年齡68.5歲。在對照組治療的基礎上,采用高壓氧艙內壓瘡局部高壓吹純氧治療壓瘡。結果:治療組Ⅰ~Ⅱ期壓瘡經1療程治愈。Ⅲ~Ⅳ期壓瘡經3療程后愈合。Ⅴ~Ⅵ期3~4療程后90%愈合,10%愈合至皮下組織。對照組相同分期的愈合時間均長10~15天。結論:高壓氧艙內在壓瘡局部吹純氧可以有效治療壓瘡。
關鍵詞:腦出血術后;壓瘡;高壓吹純氧
作者簡介:作者簡介:王文娟,女,本科,護士長,副主任護師。 【中圖分類號】R473.6 【文獻標識碼】B 【文章編號】1672-8602(2014)03-0161-01
壓瘡(pressure ulcer)又稱壓力性潰瘍、褥瘡,是由于人體局部組織骨突部位長時間受壓迫作用,導致血流障礙而產生的皮膚和(或)深層組織壞死[1]。一旦發生壓瘡,不僅給患者帶來痛苦,增加經濟負擔,加重護理人員的工作量,而且會加重病情,延長康復時間,嚴重時可繼發感染引起敗血癥而危及生命[2],一直是醫療、護理領域的棘手問題。2006年1月至2012年4月,我們對20例高血壓基底節區腦出血手術治療出院后發生壓瘡的患者采用高壓氧艙內壓瘡局部高壓吹純氧治療,取得了滿意的療效,現總結報告如下。
1 資料及方法
1.1 一般資料:從2006年1月至2012年4月,我院高血壓基底節區腦出血手術治療出院后發生壓瘡的患者,共40例,其中男24例、女16例;年齡49~78歲;均系長期臥床患者;40例患者共發生壓瘡52處,面積最大9 cm×10 cm,最小2 cm×3cm;根據壓瘡分期標準[3],Ⅰ~Ⅱ期26處,Ⅲ~Ⅳ期19處,Ⅴ~Ⅵ期7處。壓瘡部位:尾骶部32處,肩胛部11處,足跟部9處。隨機分為治療組及對照組。治療組20例,平均年齡68.5歲。對照組20例,平均年齡66.9歲。
1.2 治療方法:對照組:1、淺度潰瘍期應盡量保持局部清潔、干燥,以鵝頸燈照射瘡面,每日2次,每次15min。常規以外科換藥法處理瘡面。2、壞死潰瘍期此期需清創,去除壞死組織,保持引流通暢,用無菌凡士林紗布及敷料包扎,1~2d更換敷料1次。對于潰瘍較深、引流不暢者,應用3%過氧化氫溶液沖洗,以抑制厭氧菌。感染的瘡面局部應用有效抗菌素。對有竇道形成者應注意充分沖洗和引流。必要時可行瘡面植皮術或肌皮瓣移植修復術。使用褥瘡氣墊床,它可3~5分鐘交替按摩一次,并具有良好的通透性,有利于褥瘡的愈合。治療組:在對照組治療的基礎上,加用高壓氧艙內壓瘡局部高壓吹純氧治療。采用煙臺YC2200.14型高壓氧艙,治療壓力0.2mPa,吸純氧90分鐘,包括加壓及減壓時間各20分鐘,平均分為三段,每段30分鐘,間隔10分鐘呼吸空氣。每天1次,12次為一個療程,間隔2~3d進行下一個療程,一般治療1~4療程。高壓氧治療前后按常規做好壓瘡的局部護理。面罩對壓瘡面進行高壓下吹純氧。吹氧后的瘡面用無菌紗布遮擋。
2結果
治療組13處Ⅰ~Ⅱ期壓瘡經1療程治愈。8處Ⅲ~Ⅳ期壓瘡經1療程后創面干燥,2療程后潰瘍面縮小,3療程后創面逐漸愈合。4處Ⅴ~Ⅵ期壓瘡經1療程后創面干燥,2~3療程后潰瘍面縮小,3~4療程后90%愈合,10%愈合至皮下組織。同時患者的神經功能障礙程度均有明顯減輕。對照組相同分期的愈合時間均比治療組長10~15天,并有2例Ⅴ~Ⅵ期患者因壓瘡感染死亡。
3 護理
對初次治療的患者及家屬,講解高壓氧治療過程和療效,告知升壓階段可能會出現的不適反應及配合方法。進艙前詳細了解患者的病情,監測生命體征。禁止有各種活動性出血、未經治療的惡性腫瘤、氣胸、上呼吸道感染導致耳咽管阻塞、高度近視及視網膜剝離等禁忌證的患者進艙。教會患者及陪艙人員捏鼻鼓氣、吞咽、打哈欠等調壓動作。進艙后再次指導患者做適當的調壓動作,指導陪屬正確使用面罩對壓瘡面進行高壓下吹純氧。出艙后及時了解患者及陪艙人員的感受,觀察患者壓瘡面變化,認真書寫高壓氧治療與護理記錄;指導患者攝入高熱量、高蛋白、高維生素的飲食,保證充分休息;觀察和詢問患者及陪艙人員有無皮膚瘙癢、關節疼痛等癥狀,警惕減壓病的發生。
4 討論
治療組患者,壓瘡愈合快,治療組比對照組同期壓瘡病人治療時間縮短5~10天。其原理是高壓氧治療能使血中溶解氧量顯著增加,提高血氧張力,增加血氧彌散范圍,克服組織的供氧障礙,能增加缺血區的血流量,改善微循環的血液流變功能,改善低氧組織的血供[4]。壓瘡采用高壓氧艙內壓瘡局部高壓吹純氧治療,是基于高壓氧環境下抑制壓瘡的厭氧菌生長繁殖,減少厭氧菌產氣,使組織中形成的氣體減少,有利于改善微循環,減少壞死組織,加速創口生長,促進結痂和愈合。
參考文獻
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[4] 楊益,吳嗣洪,金其昌,等.高壓氧治療基礎與臨床[M].上海:科學技術出版社,2005:161-163.