In（acac）3和Sn（acac）2Cl2的合成及表征

喻德翔，鄭 萍，常橋穩，趙 群

（1.云南師范大學化學化工學院，云南昆明 650500；2.云南師范大學職業技術教育學院，云南昆明 650092；3.昆明貴金屬研究所，云南昆明 650031）

In（acac）3和Sn（acac）2Cl2的合成及表征

喻德翔1，鄭 萍2*，常橋穩3，趙 群1

（1.云南師范大學化學化工學院，云南昆明 650500；2.云南師范大學職業技術教育學院，云南昆明 650092；3.昆明貴金屬研究所，云南昆明 650031）

介紹了化學法制備氧化銦錫（ITO）納米材料的兩個重要合成原料In（acac）3和Sn （acac）2Cl2的合成方法。以InCl3·4H2O為原料，在pH值為9.0的檸檬酸溶液中制備In（acac）3；以SnCl4·5H2O與乙酰丙酮為原料，在甲苯溶劑中加熱回流制備Sn（acac）2Cl2。通過IR、NMR、XRD檢測手段對合成的產物進行表征分析。討論了各種實驗條件對合成反應的影響，總結出In（acac）3的最佳合成條件是：檸檬酸濃度為84 mmol·L－1，pH值為9.0；制取Sn（acac）2Cl2的最佳溶劑是甲苯。

乙酰丙酮銦；檸檬酸；乙酰丙酮氯化錫；甲苯

乙酰丙酮鹽［1－3］是一類重要的金屬有機化合物，它在化工、醫藥、石油、生物、電子器件、新型功能材料等領域被廣泛應用。In（acac）3和Sn （acac）2Cl2不僅可以作為多種化學反應的催化劑，還具有很好的生物活性（用于制藥產業）。2012年，美國的布朗大學和先進材料股份有限公司（Jonghun Lee，Sunghwan）等［4］以In（acac）3和Sn（acac）2Cl2為原料，用溶劑熱法制備了厚度最小、透明度最高、導電性最好的ITO薄膜。由于該法工藝簡單、成本低，有望成為新的ITO薄膜［5－7］生產工藝。

對In（acac）3和Sn（acac）2Cl2的合成，國內外均已有報道［8，12］，但合成的工藝尚不理想，也缺少對兩種化合物結構的詳細表征。本文在已有合成工藝的基礎上進行了改進，找到了理想的工藝條件，培養出規則晶體，并通過單晶－XRD具體解析了化合物的結構。……