提高氫化爐進料溫度的措施

宋張佐，顧國寶，劉陽贊

（昆明冶研新材料股份有限公司，云南曲靖 655011）

提高氫化爐進料溫度的措施

宋張佐，顧國寶，劉陽贊

（昆明冶研新材料股份有限公司，云南曲靖 655011）

四氯化硅熱氫化是改良西門子法生產多晶硅的關鍵環(huán)節(jié)，氫化爐的穩(wěn)定運行是維持系統(tǒng)物料平衡的決定因素。分析了四氯化硅、氫氣的進料狀況對氫化爐運行的影響，并提出了既提高進料的溫度，又節(jié)能降耗的措施。

多晶硅；熱氫化；四氯化硅；氫化爐

改良西門子法是多晶硅生產的主流工藝，采用此方法生產的多晶硅占世界總產量的80%左右［1］，該法的特點在于能實現物料的閉路循環(huán)［2］。四氯化硅熱氫化是改良西門子法實現閉路循環(huán)的關鍵環(huán)節(jié)，它將還原爐生產多晶硅時產生的副產物四氯化硅，轉化為原料（三氯氫硅）。但氫化反應轉化率較低，四氯化硅轉化率最好也只達20%［3］。氫化轉化率直接關系到多晶硅的生產成本和產量，提高轉化率和氫化爐穩(wěn)定連續(xù)運行時間是多晶硅生產企業(yè)實現節(jié)能降耗需要攻克的一大難題。本文根據生產經驗，認為，提高氫化爐的進料溫度可一定程度上提升氫化轉化率及氫化爐連續(xù)穩(wěn)定運行時間。

1 熱氫化工藝簡介

四氯化硅熱氫化是將汽化后的四氯化硅與預熱后的氫氣混合，通入氫化爐，并在爐內（1250℃左右）反應生成三氯氫硅和氯化氫。爐內的溫度通過石墨或C－C熱場通電發(fā)熱維持，其主反應方程式［4］如下：氫化爐內反應產生的尾氣送至尾氣回收。尾氣回收工序將反應生成的三氯氫硅及未轉化的四氯化硅分離提純后又分別送至還原爐及氫化爐。四氯化硅熱氫化工藝流程如圖1所示。

圖1 四氯化硅熱氫化工藝流程Figure 1 Hot hydrogenation process of SiCl4

2 進料狀況對氫化爐運行的影響

2.1 四氯化硅汽化對氫化爐運行的影響

四氯化硅在與氫氣混合之前，需要將其預熱、汽化。在操作上，控制氣態(tài)四氯化硅的進料量及其在爐內的氣流分布比控制液態(tài)四氯化硅更容易。若存在四氯化硅汽化不完全、輸送管道有死角、汽化后再冷凝等情況，則會導致四氯化硅在進入氫化爐時夾帶有液體。夾帶液態(tài)四氯化硅的氣流進入氫化爐后，不能在爐內按正常狀況進行分布，如圖2。

圖2 液態(tài)四氯化硅沿基盤面流動情況Figure 2 Liquid SiCl4 flow along the base disk

液態(tài)四氯化硅接觸基盤或推動石墨粉塵接觸電極都會使氫化爐絕緣性降低，嚴重時可導致氫化爐瞬間跳停。若大量的低溫四氯化硅進入氫化爐，則會使爐內溫度下降，從而達不到最佳反應溫度，最終降低氫化爐轉化率。

2.2 液態(tài)四氯化硅對進料控制的影響

為了準確控制進入氫化爐的四氯化硅與氫氣的量比，混氣臺四氯化硅輸料管上設置有質量流量計。對于測定氣態(tài)物質的質量流量計來說，一旦氣體中夾帶著液態(tài)，流量計顯示值波動就較大，不能準確測定流量，如圖3。在氫化爐進料初期，若不能有效地排除進料流里的液態(tài)物質，就無法準確地控制進入氫化爐的四氯化硅流量。進入爐內物料的忽多忽少，必將造成爐內運行狀態(tài)的不穩(wěn)定，情況嚴重時就會直接導致氫化爐的跳停。

圖3 進料流量計波動情況Figure 3 Fluctuations of flowmeter in feed

2.3 氫氣溫度對氫化爐運行的影響

四氯化硅氫化使用的氫氣，絕大部分是由尾氣回收的，溫度為常溫，而爐內溫度是1250℃，兩者差距較大。氫氣的流量又遠大于四氯化硅的流量。氫氣進入氫化爐后，使氫化爐內的溫度急劇下降，靠近基盤部分的溫度下降過多，絕緣下降也較快。隨著氫化爐功率的提升，氫氣量也逐步增大，大量的常溫氫氣沖刷、腐蝕保溫罩內部件，影響其使用壽命。如圖4所示。

2.4 進料溫度對氫化爐運行的影響

當氫化爐的功率及進料量達到最大設計值時，氫化爐將處于一個穩(wěn)定的運行狀態(tài)，爐內的物料、溫度、壓力、轉化率也都處于平衡狀態(tài)。但若進料的溫度有波動，爐內的氣流分布、溫度、轉化率也會隨之波動。爐內氣流及其他參數的波動會改變氣流對加熱體、保溫罩內壁、保溫罩底板等表面的沖刷路線，微塵有可能波動至電極絕緣環(huán)處使絕緣值下降，從而導致氫化爐跳停。因此，進料前段能否穩(wěn)定控制進料溫度對氫化爐穩(wěn)定運行有至關重要的作用。

圖4 物料沖刷腐蝕保溫罩情形Figure 4 Material erosion－corrosion situations of insulation cover

3 提高進爐物料溫度的措施

3.1 管道冷凝積液回收

在四氯化硅進料之前，需將上次開車后殘留于管道內且不能被完全汽化的氯硅烷排出系統(tǒng)。由于此部分氯硅烷純度較高，如果將其直接排至廢液處理系統(tǒng)，不僅造成精制物料浪費，而且會增大廢液處理系統(tǒng)的負荷。因此，將其引致氯硅烷回收裝置，然后，分離提純。這樣，既能實現氯硅烷的循環(huán)利用，又能降低廢液的處理負荷，同時，還有效地提高了四氯化硅進爐的溫度。

3.2 用尾氣加熱氫氣

氫化爐內反應溫度高達1250℃，反應產生的尾氣送至回收系統(tǒng)之前需經多級冷卻。而氫化回收的氫氣為常溫，進入氫化爐之前還需要提高溫度。尾氣與回收的氫氣溫差較大，可實現有效換熱。用尾氣加熱氫氣，既能有效地提高氫氣進入氫化爐前的溫度，又能實現節(jié)能降耗。

3.3 排除汽化器內的高沸物

四氯化硅在進入氫化爐之前，需要在汽化器內吸熱汽化。隨著系統(tǒng)運行時間的增加，四氯化硅物料流中夾雜的高沸點物質會富集于汽化器內。隨著高沸物濃度的增加，在同等熱量下，四氯化硅的汽化量會減少，四氯化硅出汽化器時的溫度也會下降。連續(xù)或定期排除汽化器內的高沸物能穩(wěn)定四氯化硅的汽化量，進而避免因四氯化硅出汽化器溫度下降導致后續(xù)流程的溫度下降。

3.4 將電伴熱改為蒸汽盤管伴熱

汽化后的四氯化硅在進入氫化爐之前還要流動一段距離。為了保持四氯化硅的溫度，較為方便的做法是采用電伴熱，但電伴熱功率較小，且不能隨著負荷的改變調整發(fā)熱量。現場使用也發(fā)現，電伴熱容易損壞且不利于檢修。根據生產實際情況，將電伴熱改為蒸汽盤管伴熱。蒸汽盤管伴熱效率比電伴熱較好，且可根據負荷的變化調整供熱量，使用、檢修成本也較低。

3.5 合理設置氫化爐的進料位置

氫化爐采用固定規(guī)格的熱場，不同于還原爐。氫化爐內的空隙不會隨著氫化爐的運行而發(fā)生變化。氫化爐需要多層保溫，一般采用的保溫罩均有內罩及外罩。若合理設置氫化爐內的噴料位置，使進料在內罩與外罩間迂回流動，換熱后再進入反應場，則能有效地提升氫化爐進料的溫度。

3.6 提高冷卻水的溫度

氫化爐在運行時，需要用水冷卻尾氣、基盤及其他部位。在尾氣冷卻器、進料換熱器處，也存在物料與水之間的換熱。合理提高冷卻水的溫度（3～5℃），可以避免基盤及進料換熱器帶走過多的熱量，從而減少四氯化硅與氫氣的混合料進入氫化爐時的熱量損失，以提高（或維持）氫化爐進料口噴料的溫度。

［1］ 楊濤.改良西門子法生產多晶硅工藝設計探討［J］.貴州化工，2009，34（3）：7－11.

［2］ 黃琰，李國安.多晶硅氫化爐防接地改造［J］.江西化工，2012（1）：120－121.

［3］ 陳涵斌，李育亮，印永祥.四氯化硅轉化技術的現狀與發(fā)展趨勢［J］.氯堿工業(yè)，2009，4（4）：27－30.

［4］ 馬卓煌，宋東明.改良西門子法熱氫化反應模擬及工藝參數優(yōu)化［J］.氯堿工業(yè)，2013，49（6）：27－30.

Measures to Raise Feeding Temperature of SiCl4Converter

SONG Zhang－zuo，GU Guo－bao，LIU Yang－zan

（Kunming Yeyan New－material Co.，Ltd，Qujing 655011，China）

Hot hydrogenation of SiCl4is a critical step in achieving the closed cycle of polycrystalline silicon production based on the modified Simens process.The stable running of SiCl4converter is a determining factor in maintaining material balance in the system.In this paper，based on the production experience，the author has done an analysis on how the feeding situation of SiCl4and H2influences the running of SiCl4converter，and has put forward some effective measures to raise the feeding temperature.

polycrystalline silicon；hot hydrogenation；SiCl4；SiCl4converter

TQ127.2

A

1004-275X（2014）04-0068-03

12.3969／j.issn.1004-275X.2014.04.020

收稿：2013-12-24

宋張佐（1986－），男，助理工程師，主要從事多晶硅生產技術工作。