HgOCuSe電子結構的密度泛函研究
2012-12-31 00:00:00花亮
科技創新導報 2012年24期
摘要：采用基于密度泛函理論的第一性原理方法計算研究了HgOCuSe材料的電子結構，發現費米面主要由Se 4p Cu 3d和O 2p 電子組成。從鍵長和拉普拉斯電子密度分布分析，得出Hg-O鍵為離子鍵而Cu-Se鍵為共價鍵。
關鍵詞：層結構硫系化合物 費米面 電子結構
中圖分類號：O631文獻標識碼：A文章編號：1674-098X（2012）08（c）-0016-02
