閃存這位問題“少年”

一直籠罩在“前景堪憂”陰云中的閃存，正在給業界創造更大的想象空間。

自誕生之日起，閃存就始終問題纏身。一方面，它沒有主內存的數據存取速度快；另一方面，它沒有磁盤的可讀寫次數多。但恰恰是這種“中庸”，使得閃存近年來在消費電子等新領域得到了快速發展和應用。而與此同時，有關它生存和前景的話題，也一直處于或明或暗的爭論中。

首當其沖的，無疑是閃存正在面臨著與磁盤相同的物理制造瓶頸。目前業內所公認的是，45納米制程對于現有的閃存存儲單元設計是一道坎。而對于大多數閃存制造商而言，無法推進閃存的容量、縮小體積，就意味著無法在該領域進一步獲取利潤。

在摩爾定律之下，可以預見的危機就像遠處的一座大山。一方面，半導體制造商在不斷研發新技術，盡可能長的延續閃存的生機；另一方面，它們也在積極地開發新型的替代技術。

2006年9月，三星宣布已成功開發出40納米制程工藝、容量達4GB的NAND閃存芯片（目前主流閃存芯片中的一種分支技術）。同時，三星還表示，將采用一種名為“CTF”的新型架構，來替代由東芝公司發明的、傳統閃存中一直采用的“浮柵”結構，可使“閃存制程達到30納米甚至20納米”。

如果該技術能夠實現，無疑將極大地打擊業內的其他競爭者。分析師對三星所言的這一“神秘”的技術充滿了興趣，因為要實現40納米制程已經“很富挑戰性”。可以看到，幾年前便把賭注押在NAND閃存上的三星，正在該領域奮力一搏。

在非易失性存儲器（Non-Volatile Memory）的家族中，閃存近在眼前的危機還來自一些新興技術的威脅。相變內存（PRAM、PCM及OUM)便是其中之一。在過去幾年中，IBM、英特爾、瑞薩、索尼、東芝、三星等公司都已經紛紛大舉投入相變內存的研發。

2006年12月中旬，IBM宣布已成功與奇夢達、旺宏聯合研發出了一種相變內存，利用一種“復雜的半導體合金，交換速度比閃存快500倍，而寫入數據的功耗還不到閃存的一半”，因此有望取代目前已被廣泛采用的閃存芯片。此消息剛一公布，立刻就有人將之稱為“閃存殺手”。

實際上，從IBM在存儲方面的腳步遷移，也可以看到整個存儲業發展的新脈絡。IBM的研發重心已從其早先的磁盤技術向軟件技術偏離，而相變內存正是其關注的一個新焦點。

因此也就不難理解，為何在IBM舉辦的紀念磁盤50周年的慶典上，IBM企業級磁盤存儲服務器開發部總監Steve Broadbent，以及IBM系統與科技事業部系統架構師陳國豪，在介紹IBM存儲未來的發展之時，會“偏離主題”地提到SCM（Storage Class Memory）和PCM。陳國豪認為，在未來五年，SCM和PCM所帶來的存儲和價格上面的優勢將對現有閃存構成極大威脅，這也將是存儲產業在消費電子和PC領域的一個新立足點。

新舊技術間的博弈還在進行當中。在光存儲領域，藍光與HD- DVD標準的爭奪已把眾人拖得精疲力竭，早在幾年前便已宣稱到來的藍光時代，至今也未實現普及化發展，卻還混在一片喧囂之中。占據存儲主導地位的磁盤陣列近年來略顯疲態，而“隱居多年”的磁帶卻開始在企業級應用中煥發新貌。直到現在，DRAM芯片也沒有像預言中的那樣一路敗北，而作為“半導體產業中最不穩定的市場”，生產商在DRAM和NAND閃存之間的平衡仍將繼續。同樣，一直籠罩在“前景堪憂”陰云中的閃存，也正在給業界創造更大的想象空間。