









摘要:【目的】分析不同配體添加量對CsPbBr3鈣鈦礦納米晶表面修飾后的光學性能影響,實現納米晶穩定性和光學性能提升?!痉椒ā客ㄟ^水相合成方法合成CsPbBr3鈣鈦礦納米晶,制備過程原位引入短碳鏈的L-天冬氨酸(L-aspartate,L-Asp)和油胺(oleylamine,OAm)配體對納米晶的表面進行修飾,并研究Cs4PbBr6向CsPbBr3的晶相轉變機制。【結果】L-Asp和OAm配體均勻吸附于納米晶表面,使納米晶在水中具有優異的分散性,且結晶性良好;CsPbBr3鈣鈦礦納米晶的最大發射波長為517 nm處,半峰寬為17 nm,分散在水中11 h后依舊能夠具有綠色發射且發射峰位沒有明顯移動?!窘Y論】經L-Asp和OAm配體修飾的CsPbBr3鈣鈦礦納米晶在保持優異光學性能的同時還具有良好的溶液穩定性。
關鍵詞:鈣鈦礦;納米晶;表面修飾;光學性能;L-天冬氨酸;油胺
中圖分類號:TN384;TB4文獻標志碼:A
引用格式:
徐天成,李金凱,劉宗明.表面修飾提升CsPbBr3鈣鈦礦納米晶的穩定性[J].中國粉體技術,2024,30(5):1-8.
XU Tiancheng,LI Jinkai,LIU Zongming.Surface modification strategy improves stability of CsPbBr3 perovskite nanocrystals[J].China Powder Science and Technology,2024,30(5):1?8.
近年來,全無機鹵化物鈣鈦礦(CsPbX3,X=Cl,Br,I)納米晶作為一種納米級復合材料引起了廣大材料科學家的關注。CsPbX3具有高光致發光量子產率、極窄的半峰寬、整個可見光區域的可調諧發射和高載流子遷移率,迅速成為光電子器件中最有前途的材料之一[1-7]。鈣鈦礦的缺陷以淺缺陷態能級為主,具有優異的缺陷容忍度,導致輻射復合比例較高[8]。與傳統的Ⅲ-Ⅴ族納米晶相比,CsPbX3納米晶具有更高的光致發光量子產率(photoluminescence quantum yield,PLQY),是一種非常有前景的照明和顯示發光材料[9]。
由于鈣鈦礦材料獨特的性質,在水溶液中的穩定性較低,因此通常需要在非極性有機溶劑中進行合成,以避免其分解?!?br>