新型薄膜半導體電子遷移速度創紀錄

據美國趣味科學網站7月16日報道，來自美國麻省理工學院、美國陸軍作戰能力發展司令部（DEVCOM）陸軍研究實驗室和加拿大渥太華大學等機構的科學家，利用名為三元石英的晶體材料，成功研制出一種新型超薄晶體薄膜半導體。薄膜厚度僅100納米，約為人頭發絲直徑的千分之一。其中電子的遷移速度創下新紀錄，約為傳統半導體的7倍。這一成果有助科學家研制新型高效電子設備。相關論文發表于《今日材料物理學》雜志。