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層間反對稱交換耦合的前沿進展

2024-06-03 00:00:00楊洪新李彭朱英梅崔琪睿

摘要:層間反對稱交換耦合,或者層間DzyaloshinskiiMoriya(DM)相互作用,存在于以鐵磁/非磁/鐵磁金屬異質結為單元的多層薄膜體系中.其物理來源是體系的對稱性破缺、自旋軌道耦合(spinorbitcoupling,SOC)以及RudermanKittelKasuyaYosida(RKKY)機制.層間DM相互作用的理論于20世紀90年代提出,但是由于其強度較小,直到2019年才被實驗觀測到人工反鐵磁結構中的手性交換偏置效應所證實.近期的實驗證明層間DM相互作用能幫助無外場自旋軌道轉矩(spinorbittorque,SOT)翻轉垂直磁化,對于新興自旋電子學器件設計意義重大.簡要介紹層間DM相互作用的理論推導、相關實驗現象、第一性原理的計算方法以及可能的應用,為今后層間DM相互作用相關的研究拋磚引玉.

關鍵詞:Dzyaloshinskii-Moriya相互作用;層間反對稱交換耦合;層間Dzyaloshinskii-Moriya相互作用;RKKY交換相互作用;自旋軌道轉矩效應

中圖分類號:O469 文獻標志碼:A 文章編號:1001-8395(2024)04-0427-10

doi:10.3969/j.issn.1001-8395.2024.04.001

1 前言

對稱的交換相互作用,或者海森堡交換相互作用決定相鄰自旋間呈共線鐵磁或者反鐵磁排列;反對稱的DzyaloshinskiiMoriya(DM)相互作用[12]則會導致磁矩呈順時針或者逆時針旋轉.DM相互作用源自磁性體系中自旋軌道耦合(SOC)和反演對稱性破缺,廣泛存在于非對稱的磁性塊體、鐵磁金屬復合多層膜和二維磁性材料中[38].在對稱性破缺的鐵磁金屬薄膜體系和二維磁性材料中,界面型DM相互作用是受到極大關注的研究熱點,它是形成磁斯格明子態、手性Néel型磁疇壁的關鍵因素[313],在自旋耦合轉矩磁隨機存儲器SOTMRAM,以及基于磁疇壁和磁斯格明子的賽道存儲器的設計中意義重大[1418].

在鐵磁金屬非磁鐵磁金屬多層薄膜體系中,非磁中間層兩側的鐵磁金屬層之間磁矩的鐵磁或者反鐵磁排列由層間的海森堡交換相互作用(IEI)決定.層間交換相互作用遵循RudermanKittelKasuyaYosida(RKKY)機制,隨著鐵磁層間距離呈現振蕩衰減行為[1922],這一機制使調制鐵磁復合多層膜結構磁基態及實現人工反鐵磁體系成為可能,是現代磁存儲設備和自旋電子學器件應用的關鍵元素[9,12].RKKY機制認為,在鐵磁非磁復合體系中,不同鐵磁金屬原子間通過被極化的非磁原子的傳導電子發生交換相互作用.早期關于RKKY機制的理論忽略了SOC效應,因此通常討論的層間交換相互作用只包含對稱項.1976年,Smith[23]在鐵磁非磁復合體系中發現非磁性原子對導電電子的自旋軌道散射會產生RKKY型DM相互作用.更直接地,Xia等[24]在1997年通過理論推導發現,在非對稱的鐵磁金屬非磁鐵磁金屬多層薄膜體系中考慮有SOC效應的層間交換相互作用,能很自然地導出層間DM相互作用項.這種相互作用可能在多層膜體系內部和磁性層之間產生非共線磁結構和手性磁結構.然而,受到隨層間距離增大的強衰減性、樣品質量、對稱性及幾何形狀的影響,層間DM相互作用明確的實驗證據一直是研究者們關注的熱點.2019年,FernándezPacheco等[25]和Han等[26]分別在人工反鐵磁材料體系中構建厚度梯度和反演對稱性破缺的塊體材料,通過檢測手性交換偏置效應證明層間DM相互作用的存在.基于層間DM相互作用可能的應用前景,本文對層間反對稱交換耦合的物理機制、理論計算、實驗現象觀測以及應用的相關研究進行回顧與總結,并對其未來發展做出展望.

2 層間DM 相互作用

2.1 層間DM 相互作用的物理機制

1958年,Dzyaloshinsky[1]提出存在一項反對稱交換耦合,使得部分磁矩傾向于非共線排列,可以在反鐵磁晶體中產生部分未補償的磁矩.這個相互作用的存在能解釋αFe2O3、MnCO3和CoCO3等反鐵磁晶體中微弱自發磁化的來源.這一能量項即DM相互作用項[1]為

EDMI =Dij·(Si×Sj), (1)

其中,Dij為原子對i、j間的反對稱交換作用矢量,Si(j)為自旋矢量.1959年,Anderson[27]將自旋軌道耦合效應引入到Anderson超交換理論中,完善了DM相互作用的理論解釋.Moriya[2]明確指出這一相互作用存在于對稱性破缺的磁性體系中,并且依賴SOC效應.

一般地,在鐵磁/非磁/鐵磁多層金屬薄膜中,鐵磁層間磁矩呈平行或者反平行排列,由RKKY機制的對稱型交換相互作用決定[1922].1990年起,一些實驗工作發現,在一些鐵磁/非磁/鐵磁多層金屬薄膜體系中存在非共線磁,當時多數研究者認為這是源于不同鐵磁層之間存在2種相互作用的競爭,即形如Jij(Mi· Mj)的雙線性型交換和形如J′ij(Mi·Mj)2的雙二次型交換,其中Mi(j)為不同鐵磁層中的磁矩[2830].但是,雙二次型交換強度太弱,不足以解釋實驗現象.文獻[31]提出存在層間DM相互作用引起多層膜中非共線磁基態.他們將SOC效應引入Anderson的sd混合模型,并通過二階微擾展開求解,得到層間海森堡交換J(k)和層間DM相互作用D(k)的解析形式[24]:

其中,k是倒易空間波矢,m是電子質量,KF是費米面波矢,C、BKFK和TKFK均為散射矩陣,其中C是對稱的項;BKFK為SOC無關的項,且為波矢量q的偶函數;TKFK為SOC相關的項,且為波矢量k的奇函數.Xia等[24]指出,在對稱的磁性結構中,TKFK為0,因此層間DM項D(k)也取決于SOC效應和對稱性破缺.

另一方面,1976年,Smith[23]在稀磁合金中發現非磁性原子對導電電子的自旋軌道散射會產生RKKY機制的DM相互作用.文獻[3234]把RKKY型DM相互作用推廣到磁性金屬非磁金屬多層膜體系.如圖1(a)所示,對于磁性金屬原子位點i和j以及非磁原子位點l,磁性金屬原子之間的DM相互作用表達式[3234]為:

其中,Rli、Rlj和Rij表示磁性金屬原子與非磁性原子間的距離矢量,V1是與非磁原子d軌道的SOC強度相關的系數.這一機制即所謂的FertLévy模型,其中DM相互作用矢量方向取決于磁性原子和非磁性雜質的相對位置,強度會受到非磁原子自旋軌道耦合強度的影響.2019年,Vedmedenko等[35]把FertLévy的三位點模型擴展到鐵磁/非磁/鐵磁多層金屬薄膜體系,明確了反對稱層間交換,即層間DM相互作用的概念.如圖1(b)所示,Vedmedenko等[35]考慮了一個具有兩層鐵磁原子和一層非磁原子的三明治結構,并利用原子級蒙特卡洛方法估算了兩層鐵磁原子間的層間DM相互作用的強度,大約為層間海森堡交換作用的10-2量級.

2.2 層間DM 相互作用的實驗觀測

文獻[2526]首次確認層間DM相互作用存在的實驗證據在非對稱的鐵磁/非磁/鐵磁多層膜結構中的手性交換偏置效應[2526].交換偏置效應是指在磁性體系中,磁滯回線相對于零場偏移的現象.早期觀測到的交換偏置效應出現在鐵磁/反鐵磁多層膜體系,該效應可以用來釘扎參考鐵磁層,被廣泛應用于磁性隨機存儲器的磁阻讀頭中[3637].2019年,FernándezPacheco等[25]在Pt/Co/Pt/Ru/Pt/CoFeB/Pt反鐵磁界面結構中利用磁光克爾效應觀測到了室溫手性交換偏置效應,如圖2(a)所示.同年,Han等[26]設計并制備了具有厚度梯度的垂直磁化Ta/Pt/Co/Pt/Ru(tRu)/Pt/Co/Pt人工反鐵磁結構,同樣利用磁光克爾效應觀測到了類似交換偏置效應的磁滯回線.2020年,Bollero等[38]制備了具備反演對稱性破缺的Ru/SmCo5/Cr/Pt/CoFeB多層膜,通過磁光克爾效應,也觀測到了手性交換偏置效應,但是他們并未對這種效應的機制進行分析.

2021年,Avci等[39]通過測量TbFe/Co/Pt/Co等體系中的霍爾電導,發現沿相反的面內方向磁化時,飽和磁場大小會有明顯差異,如圖2(b)所示.他們改變TbFe/Co/X/Co的中間層X,并對測得的相反方向飽和磁場強度作差,通過擬合得出了一系列體系的層間DM相互作用強度.實驗發現中間層X為Ti、Ta和Ru時也可誘導出層間DM相互作用.他們發現,改變TbFe/Co/Pt/Co中間層Pt厚度能調節層間DM相互作用的強度,Pt厚度為1.2nm時體系的層間DM 相互作用強度達到最大值44μJ/m2.2022年,Guo等[40]設計了鐵磁/絕緣層/鐵磁人工反鐵磁結構Pt/[Co/Pt]2/Co/Pt/NiO/Co/Pt/[Co/Pt]2,通過霍爾效應觀測到了室溫下層間DM相互作用的存在,并利用極化中子反射量化表征了該結構中的非線性磁結構.

在磁性薄膜中,退磁能會主導布洛赫型磁疇壁的形成,這種磁疇壁是沒有手性的;而界面型DM相互作用會誘導手性的奈爾型磁疇壁的產生[9].2020年,Pollard等[41]在非對稱的Co/Pd多層膜體系中利用洛倫茲透射電鏡觀測到了具有手性的布洛赫型磁疇壁,如圖2(c)所示.手性布洛赫型磁疇壁形成的微觀機制是層間DM相互作用.在一些體系中,對稱性破缺可以同時誘導層內和層間DM相互作用.Han等[26]給出了層間DM相互作用和手性交換偏置效應的唯象模型,如圖3所示:當在垂直各向異性的鐵磁/非磁/鐵磁結構中,沒有層間反對稱交換作用(即層間DM相互作用)時,施加面內方向磁化與鐵磁層中的磁化方向無關,此時結構中磁滯回線不會表現出交換偏置;如果該體系存在層間反對稱交換作用,就會對2個鐵磁層中不同的面內磁化方向有手性上的選擇,宏觀的表現即交換偏置效應.

DM相互作用的存在依賴磁性體系對稱性破缺的方式[3,9].Tsurkan等[42]在C2v對稱性的Co/Fe/W(110)多層膜中利用自旋極化的高分辨率電子損失能譜,發現了磁振子能譜在面內和垂直方向均存在不對稱的現象,證實了該體系同時存在層內和層間DM相互作用.Chen等[43]發現,ABC堆垛的Co/Pd/Co結構在不同的Co原子層間存在各向異性的面內對稱性破缺,因此,不同原子層間的層間DM相互作用是各向異性的.

Xia等[24]指出,層間DM相互作用也可能存在振蕩行為,這種振蕩類似RKKY型振蕩.2023年,Liang等[44]通過改變Co/Pt/Ir/Pt/Co多層膜的中間層厚度,證實了層間DM相互作用也存在RKKY型振蕩.目前觀測到的層間DM相互作用的強度為μJ/m2量級,比層內DM相互作用的強度小2個數量級.由于層間DM相互作用的強度小,非平衡態的電子態也可能顯著影響層間DM相互作用.Kammerbauer等[45]利用垂直多層膜面電流使Ta/Pt/Co/Pt/Ru/Pt/Co/Pt多層膜中Co層電子處于非平衡態,并發現該體系存在由電流誘導的層間DM相互作用.

在FertLévy模型以外,界面型DM相互作用也可由Rashba效應誘導產生[4647].Ag(111)界面體系自旋軌道耦合效應較弱,卻存在較強的Rashba效應[48].最近,Arregi等[49]在Co/Ag/Co體系中,仔細分析了層間海森堡交換、雙二次型交換和層間DM相互作用的貢獻,并通過測量分析得出該體系層間DM相互作用為0.20mJ/m2的量級,是目前發現的最大的層間DM相互作用強度.

2.3 層間DM相互作用參量的密度泛函理論計算

在密度泛函理論中計算界面型DM相互作用參量常用的一類方法是基于自旋螺旋的思想[5054].具體地,可以構建實空間自旋螺旋,通過計算相反手性自旋螺旋能量差來計算DM相互作用參量[3,47,54];或者,通過廣義布洛赫定理的一階微擾理論,計算倒易空間的自旋螺旋能量隨自旋螺旋波矢量q的能量色散關系E[q]來擬合DM 相互作用參量[5053].為了計算層間DM 相互作用參量,Han等[26]對Co/Pt/Ru/Co人工反鐵磁結構引入垂直膜面方向傳播的圓錐形自旋螺旋,如圖4(a)所示,其中第i個原子位點的磁矩表達為:

Si =(cosβ,sinβsinqRi,-sinβcosqRi), (5)

其中,q為自旋螺旋波矢量長度,β表示錐角,Ri表示z方向原子坐標.對于相鄰原子層i和j,引入相對傾斜角α=q(Ri-Rj),可以把自旋螺旋能量色散關系E[q]轉化為E[α],并得出層間DM相互作用Dinter和層間海森堡交換Jinter表達式:

通過計算發現,Dinter在μeV量級.

此外,在多層鐵磁薄膜結構中,通過分別計算總體的,以及分別位于上層(X)和下層(Y)中的平面型自旋螺旋隨自旋螺旋波矢量長度q的能量色散關系,分別記為Etot[q]、E//X [q]和E//Y [q],如圖4(b)所示,再通過作差得到層間項

E⊥XY[q]=Etot[q]-E//X[q]-E//Y[q]. (8)

可以通過分別擬合E//X[q]-E//X [-q]和E//Y [q]-E//Y[-q]的解析表達式,得出不同鐵磁層中界面型DM相互作用參量;然后,通過擬合E⊥XY[q]-E⊥XY[-q],可以求解層間DM相互作用參量[55].

倒易空間的自旋螺旋方法能給出解析表達式,可以準確地求解原子級的界面和層間DM相互作用參量.但是,當鐵磁/非磁/鐵磁結構中包含2個原子層以上鐵磁金屬時[40,4344],倒易空間自旋螺旋能量色散E[q]的解析表達式將會變得難以求解.此時,采用實空間自旋螺旋的方法可以簡化計算過程.由于鐵磁/非磁/鐵磁結構在垂直鐵磁層膜面方向沒有周期性,可以采用不同手性的非共線磁結構能量差的方式來計算.具體地,如圖4(c)[40]所示,對于Co/Pt/MgO/Co多層膜,將下層Co的磁矩方向設置為垂直膜面的+z方向,上層Co的磁矩方向分別設置為+x和-x方向,這2個磁構型的手性為逆時針和順時針方向.在考慮自旋軌道耦合效應的情況下,層間DM相互作用參量可以通過計算2個磁構型的能量差給出[40,4344].

3 層間反對稱交換耦合的應用

利用自旋轉矩效應實現磁翻轉是非易失性磁性隨機存儲器(magnetorandom accessmemory,MRAM)信息寫入的關鍵技術.特別地,與基于自旋轉移力矩(spintransfertorque,STT)的磁隨機存儲器相比,基于自旋軌道轉矩(spinorbittorque,SOT)的磁隨機存儲器具有更低的功耗和臨界電流密度,在實現高存儲密度、高速的自旋電子學信息存儲和計算器件上更有優勢.然而,受對稱性的約束[56],垂直磁各向異性的磁體中的磁化方向不能通過普通的面內極化自旋流來翻轉,通常需要額外的面內磁場輔助,這是實際應用中所面臨的障礙.因此,在垂直磁各向異性體系中引入對稱性破缺是消除SOT輔助磁化翻轉過程中的外加磁場的關鍵所在.目前,實驗上引入對稱性破缺的手段主要有:構造楔形結構體系、設計成分梯度結構、構建非對稱的人工反鐵磁結構、引入具有鐵磁反鐵磁界面的交換偏置結構,以及設計低對稱性的強自旋軌道耦合材料鐵磁材料的范德華異質結結構等[5760].

這些在多層膜體系里引入的對稱性破缺也可能誘導出面內型和層間型DM相互作用.層間DM相互作用和SOT磁化翻轉的研究始于2022年.Masuda等[61]在構建了具有楔形生長Co層的Pt/Co/Ir/Co/Pt多層膜結構,并通過霍爾效應測量發現該結構層間DM相互作用強度達到了0.15mJ/m2.但是,該楔形Pt/Co/Ir/Co/Pt多層膜在面內磁場輔助下才能實現SOT磁化翻轉.同年,Huang等[62]設計并制備了非對稱CoFeB/Pt/Co/Pt多層膜,并發現其層間DM相互作用有效場為37Oe,且能實現無外場的垂直磁翻轉.

2022年,文獻[63]在非對稱的Pt/Co/Pt/Ir/Pt/Co/Pt多層膜中發現層間DM相互作用能誘導無外場SOT.具體地,在Pt/Co/Pt/Ir/Pt/Co/Pt多層膜中,上、下2個磁性金屬Co層的近鄰均為Pt層,對于Co層z方向仍存在局部的反演對稱性,因此可以消除結構中層內DM相互作用的影響.通過改變Ir層厚度,使上下2個Co層形成層間反鐵磁結構,且誘導出強度約為11μJ/m2的層間DM相互作用.進一步地,實驗驗證了當輸入電流平行于層間DM矢量方向時,能實現無外場SOT,翻轉鐵磁Co層磁化方向;而當輸入電流垂直于層間DM矢量方向時,則無法翻轉鐵磁層磁化方向,如圖5(a)所示.2023年,文獻[64]采用傾斜濺射工藝,制備了Pt/CoB/Pt/Ru/Pt/CoB/Pt多層膜,并通過霍爾效應測量證實該體系具有層間DM相互作用.他們通過實驗和微磁學模擬進一步證明,該體系無外場SOT磁化翻轉,僅當輸入電流平行于層間DM矢量方向時才能實現,如圖5(b)和圖5(c)所示.相比其他實現無外場SOT磁化翻轉的方法,利用層間DM相互作用實現無外場SOT磁化翻轉可以同時具備高自旋霍爾角、高數據密度、晶圓尺度的均一性以及CMOS工藝的兼容性的優點.

4 總結與展望

層間反對稱交換耦合是RKKY型層間交換的高階效應,可以通過在人工反鐵磁多層薄膜中使用不同厚度的間隔層靈活調控.層間DM相互作用的實現為制造和操縱人工反鐵磁中新奇的物理效應打開了新的思路.特別地,作為實現無外場SOT磁化翻轉的有效方法,層間DM相互作用的實現和調控對于下一代高速、高密度非易失性磁隨機存儲器的設計和應用意義重大.

目前,雖然人們關于層間反對稱交換耦合的研究取得了很大進展,但仍然面臨諸多有待探索和解決的問題.首先,對于大多數體系而言,層間DM相互作用的強度仍遠小于層內DM相互作用的強度,因此,深入研究層間DM相互作用的機制和尋找提高層間DM相互作用的有效手段有待進一步研究.其次,作為最重要的應用,優化器件設計,尋求調控層間DM相互作用,提高SOT磁化翻轉的效率至關重要.此外,層間DM相互作用下的拓撲磁結構形貌以及對磁斯格明子動力學可能的影響仍然是未知的.作為自旋電子學領域的新興課題,層間DM相互作用相關的物理效應和器件設計仍有待進一步探索.

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(編輯 鄭月蓉)

基金項目:國家重點研發計劃(MOST)(2022YFA1405102)、國家自然科學基金(12174405)、寧波重點科技項目(2021000215)和浙江省“先鋒”“領雁”研發計劃(2022C01053)

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