佰維存儲(chǔ)積極布局HBM+DDR5驅(qū)動(dòng)高質(zhì)量發(fā)展“5+2+X”戰(zhàn)略助推核心價(jià)值提升

2023年，受全球經(jīng)濟(jì)環(huán)境和行業(yè)周期影響，存儲(chǔ)市場(chǎng)需求不振，但眼下行業(yè)曙光已現(xiàn)。去年三季度末以來(lái)，三星、SK海力士等國(guó)際存儲(chǔ)廠均采取減產(chǎn)等舉措，供給端邊際改善成效顯著。而隨著下游應(yīng)用市場(chǎng)回暖，存儲(chǔ)市場(chǎng)需求持續(xù)復(fù)蘇。集邦咨詢認(rèn)為，2024年DRAM和NAND價(jià)格有望連續(xù)四季看漲。

供給、需求、價(jià)格端共振下，存儲(chǔ)行業(yè)拐點(diǎn)加速形成。以佰維存儲(chǔ)為例，其2023年報(bào)與2024年一季報(bào)于4月30日同步披露。2023年，公司營(yíng)收359075.22萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)20.27%，而去年四季度營(yíng)收146829.78萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)83.46%，環(huán)比增長(zhǎng)50.72%，同時(shí)毛利率環(huán)比回升11.19個(gè)百分點(diǎn)。此外一季報(bào)顯示，2024年一季度公司營(yíng)收172664.23萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)305.80%，毛利率環(huán)比增長(zhǎng)15.40個(gè)百分點(diǎn)，凈利潤(rùn)16756.23萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)232.97%，剔除股份支付后，同比增長(zhǎng)300.69%。公司整體經(jīng)營(yíng)持續(xù)向好， 2024年全年表現(xiàn)值得期待。

此外，秉持“存儲(chǔ)賦能萬(wàn)物智聯(lián)”深遠(yuǎn)使命，佰維存儲(chǔ)更以前瞻戰(zhàn)略思維和市場(chǎng)洞察，全面制定了能夠有效驅(qū)動(dòng)自身穩(wěn)健發(fā)展的中長(zhǎng)期戰(zhàn)略——“5+2+X”戰(zhàn)略。據(jù)悉，該戰(zhàn)略分別從“手機(jī)、PC、服務(wù)器、智能穿戴和工車規(guī)五大應(yīng)用市場(chǎng)”、“二次增長(zhǎng)曲線”和“存算一體、新接口、新介質(zhì)和先進(jìn)測(cè)試設(shè)備等創(chuàng)新領(lǐng)域的探索開(kāi)拓”三大維度，深度聚焦公司短中長(zhǎng)期發(fā)展。借此公司將持續(xù)構(gòu)建新質(zhì)生產(chǎn)力，服務(wù)產(chǎn)業(yè)和國(guó)家戰(zhàn)略方向，并驅(qū)動(dòng)自身核心價(jià)值持續(xù)提升。

硬核技術(shù)實(shí)現(xiàn)自身高質(zhì)量發(fā)展國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程下凸顯發(fā)展?jié)撃?/h3>

佰維存儲(chǔ)專注半導(dǎo)體存儲(chǔ)器研發(fā)設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要服務(wù)為先進(jìn)封測(cè)服務(wù)，其中半導(dǎo)體存儲(chǔ)器按照應(yīng)用領(lǐng)域不同又分為嵌入式存儲(chǔ)、PC存儲(chǔ)、工車規(guī)存儲(chǔ)、企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)和移動(dòng)存儲(chǔ)等。多年發(fā)展積累，公司在存儲(chǔ)介質(zhì)特性研究、固件算法開(kāi)發(fā)、存儲(chǔ)芯片封測(cè)、測(cè)試研發(fā)、全球品牌運(yùn)營(yíng)等方面擁有強(qiáng)大核心競(jìng)爭(zhēng)力。2023年，公司研發(fā)投入24，998.04萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)97.77%。截至2023年年底，公司共取得307項(xiàng)境內(nèi)外專利，其中包括95項(xiàng)發(fā)明專利和148項(xiàng)實(shí)用新型專利。

憑借硬核技術(shù)實(shí)力，佰維存儲(chǔ)已擁有嵌入式存儲(chǔ)、固態(tài)硬盤、內(nèi)存模組、存儲(chǔ)卡等豐富產(chǎn)品梯隊(duì)，產(chǎn)品線包含NAND、DRAM存儲(chǔ)器的各個(gè)主要類別。此外，公司擁有從產(chǎn)品規(guī)劃、設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)再到先進(jìn)制造的全棧能力，并擁有全球營(yíng)銷網(wǎng)絡(luò)，具備面向全球市場(chǎng)推廣的能力。目前，DRAM和NAND主要由三星、SK海力士等海外廠商掌控，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商市占率仍較低，我國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)國(guó)產(chǎn)化前景頗為廣闊。而佰維存儲(chǔ)等國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)解決方案廠商正在大力提升自主研發(fā)水平和產(chǎn)業(yè)化能力，并通過(guò)定增等方式呈現(xiàn)上行周期加碼態(tài)勢(shì)，后續(xù)伴隨國(guó)產(chǎn)化需求提升，有望獲得增量市場(chǎng)空間。

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)助力發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力前瞻布局HBM+DDR5驅(qū)動(dòng)長(zhǎng)期發(fā)展

在新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革背景下，算力、數(shù)據(jù)成為關(guān)鍵生產(chǎn)要素，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)更成為發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力的強(qiáng)勁引擎。去年以來(lái)，AI大模型帶來(lái)算力需求暴漲，更多數(shù)據(jù)需要被存儲(chǔ)，生成式AI市場(chǎng)擴(kuò)張推動(dòng)AI服務(wù)器內(nèi)存需求快速攀升。英偉達(dá)去年底推出搭載HBM3e內(nèi)存的新一代圖形處理器，帶來(lái)容量、帶寬和性能的全面升級(jí)。TrendForce研究顯示，2023-2025年HBM市場(chǎng)規(guī)模CAGR有望達(dá)40%-45%以上。

佰維存儲(chǔ)此前在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，其擬定增募資建設(shè)的晶圓級(jí)先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目，可構(gòu)建HBM實(shí)現(xiàn)的封裝技術(shù)基礎(chǔ)。可以預(yù)見(jiàn)，后續(xù)公司項(xiàng)目投產(chǎn)，將給予市場(chǎng)更大想象空間。此外，AI大模型興起催生海量算力需求，而數(shù)據(jù)處理量和傳輸速率大幅提升使AI服務(wù)器對(duì)芯片內(nèi)存容量和傳輸帶寬提出更高要求。據(jù)IDC最新《中國(guó)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)跟蹤報(bào)告2023》顯示，2023年中國(guó)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)66億美元。目前，佰維存儲(chǔ)已推出適用于服務(wù)器應(yīng)用的企業(yè)級(jí)SSD、CXL 2.0 DRAM、RDIMM產(chǎn)品，正在進(jìn)行市場(chǎng)推廣。

業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，AI是推動(dòng)芯片行業(yè)實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)力，并將推動(dòng)存儲(chǔ)行業(yè)復(fù)蘇。未來(lái)隨著DRAM、NAND價(jià)格回暖，疊加HBM和DDR5等高端產(chǎn)品市場(chǎng)需求攀升，存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域公司有望持續(xù)受益。佰維存儲(chǔ)緊抓AI發(fā)展與服務(wù)器升級(jí)帶來(lái)的HBM和DDR5重大發(fā)展契機(jī)，積極在周期低點(diǎn)加強(qiáng)戰(zhàn)略備庫(kù)，加之其綜合競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，未來(lái)將充分受益行業(yè)復(fù)蘇，在夯實(shí)存儲(chǔ)主業(yè)基礎(chǔ)上，助力發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力，并有望開(kāi)啟全新成長(zhǎng)周期。