中美貿(mào)易摩擦下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展困境及突破路徑研究
——以重慶市為例

馬 寶,羅惠月

(1.重慶渝富資本運(yùn)營集團(tuán)有限公司,重慶 401147;2.電子科技大學(xué) 集成電路科學(xué)與工程學(xué)院,四川 成都 610054;3.重慶渝富控股集團(tuán)有限公司,重慶 401147)

0 引言

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石,也是我國推進(jìn)新型工業(yè)化,加快建設(shè)制造強(qiáng)國、質(zhì)量強(qiáng)國、數(shù)字中國的重要抓手。2014年后,我國大力推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展,在存儲器、功率半導(dǎo)體、傳感器等領(lǐng)域均有所突破。然而,近幾年美國持續(xù)打壓我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),以啟動“301調(diào)查”、挑起中美貿(mào)易摩擦、修訂“瓦森納協(xié)議”、實(shí)施《芯片與科學(xué)法案》、收緊“出口管制”等方式,限制我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高精尖領(lǐng)域升級。目前我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵材料、高端裝備、先進(jìn)工藝等環(huán)節(jié)仍較為薄弱,產(chǎn)業(yè)面臨“卡脖子”困境。黨的二十大提出,我國要以國家戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向,集聚力量進(jìn)行原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān),堅(jiān)決打贏關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅(jiān)戰(zhàn)。為此,亟需厘清半導(dǎo)體領(lǐng)域中面臨的關(guān)鍵問題,借助相關(guān)成功經(jīng)驗(yàn),探索有效的突破之路。

1 我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的關(guān)鍵問題

1.1 對外依存度高,高端集成電路產(chǎn)品多以進(jìn)口為主

我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢在于終端市場空間大,應(yīng)用場景豐富。然而中高端工控領(lǐng)域、高端通信、新能源汽車等領(lǐng)域的高附加值半導(dǎo)體產(chǎn)品卻以進(jìn)口為主,如集成電路產(chǎn)品。國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)品多聚集在中低端消費(fèi)領(lǐng)域。《2021年中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展?fàn)顩r報告》顯示,2020年我國半導(dǎo)體產(chǎn)品進(jìn)口額達(dá)到3 767.8億美元,年增長率為13.6%,其中集成電路產(chǎn)品進(jìn)口額為3 500.4億美元,占總進(jìn)口額的92.9%;出口額為1 522.8億美元,年增長率為11.9%;貿(mào)易逆差總額為2 245億美元,與上年相比,貿(mào)易逆差額增長14.64%。近些年,中美貿(mào)易摩擦持續(xù)升溫,美國不斷限制高端半導(dǎo)體產(chǎn)品及其配套產(chǎn)品出口中國,如限制英偉達(dá)、AMD等向中國出口高性能GPU產(chǎn)品。

1.2 以模仿追趕為主,自主創(chuàng)新能力較弱

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是典型的技術(shù)、知識密集型產(chǎn)業(yè),細(xì)分領(lǐng)域多,產(chǎn)品技術(shù)迭代十分迅速,產(chǎn)業(yè)發(fā)展對基礎(chǔ)研究、先進(jìn)工藝積累、自主研發(fā)創(chuàng)新等要求極高。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期,我國就已開啟推動本地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展工作。當(dāng)時我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅落后國際先進(jìn)水平一代左右。然而,20世紀(jì)80年代前后,我國放緩自主研發(fā)步伐,開始大規(guī)模引進(jìn)國外技術(shù)和生產(chǎn)線,陷入“引進(jìn)-落后-再引進(jìn)-再落后”的怪圈[1]。例如,1982年后全國33個單位不同程度地引進(jìn)了各種集成電路產(chǎn)線,但其中大部分為國外已淘汰的低端產(chǎn)線和二手產(chǎn)線。這些項(xiàng)目引進(jìn)建設(shè)周期長、產(chǎn)能小,產(chǎn)品產(chǎn)出后已落后于市場需求,不僅缺乏經(jīng)濟(jì)效益,還削弱了我國半導(dǎo)體自主創(chuàng)新能力。

1.3 產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)薄弱,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚及協(xié)同效應(yīng)不明顯

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈較長,不僅有上游材料、設(shè)備等支撐產(chǎn)業(yè)鏈,還包括中游制造和下游應(yīng)用環(huán)節(jié),各環(huán)節(jié)中又存在多個細(xì)分環(huán)節(jié)。其中高純度硅片、高性能光刻膠、EVU光刻機(jī)、等離子刻蝕機(jī)、EDA軟件等關(guān)鍵原材料、高端裝備、核心零部件等都主要依賴于國外。據(jù)統(tǒng)計(jì),制備高端芯片所用的12英寸大硅片90%由日韓歐的廠商供應(yīng),國內(nèi)自給率極低,不足10%。2019年,美國修訂《瓦森納協(xié)議》,收緊了大硅片技術(shù)管制要求,精準(zhǔn)地描述了限制出口我國的硅片技術(shù)參數(shù),極大阻礙了我國大硅片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。另外,我國雖已布局了四大集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū),但集聚區(qū)間缺乏協(xié)同,單個聚集區(qū)內(nèi)也未有效形成產(chǎn)業(yè)內(nèi)循環(huán)。如重慶擁有良好的汽車終端市場,也培育和引進(jìn)了華潤微、中電科等功率半導(dǎo)體企業(yè),但企業(yè)間還未形成有效的供應(yīng)關(guān)系,各企業(yè)發(fā)展未考慮地區(qū)戰(zhàn)略發(fā)展需要。

1.4 本土高端人才缺乏,關(guān)鍵要職人員更為稀缺

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展離不開研發(fā)能力強(qiáng)、工藝技術(shù)精湛、經(jīng)驗(yàn)豐富的高端人才。而我國集成電路專業(yè)人才十分緊缺。《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才發(fā)展報告(2020-2021年版)》數(shù)據(jù)顯示,2020我國集成電路從業(yè)人員約為54.1萬人,人才需求約76.65萬人,存在20余萬人的人才缺口。行業(yè)骨干專家及領(lǐng)軍人物更為稀缺。近些年,多數(shù)美籍華人回流國內(nèi)創(chuàng)業(yè),部分外籍專家也在我國半導(dǎo)體龍頭企業(yè)擔(dān)任研發(fā)、管理、市場等要職。去年10月初,美國出臺最嚴(yán)《出口管制》條例,限制美籍人員參與我國半導(dǎo)體開發(fā)等相關(guān)活動。截至目前,已有部分美籍人士撤離我國,還有部分身居要職人士面臨兩難抉擇,我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再受重創(chuàng),產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度被迫放緩。

2 美日貿(mào)易摩擦下的日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

2.1 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起歷程

20世紀(jì)60年代日本開始從美國引進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。此時,與美國在軍事領(lǐng)域發(fā)展半導(dǎo)體的策略不同,日本將半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用終端聚焦在民用市場[2]。為促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展,日本迅速建立了一套有效的官產(chǎn)學(xué)研一體化體系。一方面以政府主導(dǎo),統(tǒng)籌規(guī)劃產(chǎn)業(yè)發(fā)展路徑,實(shí)施產(chǎn)業(yè)政策,為企業(yè)提供融資便利與稅收優(yōu)惠,并嚴(yán)格限制外國企業(yè)投資本國半導(dǎo)體企業(yè);另一方面政府牽頭,組織超大規(guī)模集成電路研發(fā)(Very Large Scale Integration,VLSI)等產(chǎn)學(xué)研合作項(xiàng)目,化解了企業(yè)無力承擔(dān)巨額研發(fā)費(fèi)用和產(chǎn)業(yè)化的難題,加快了相關(guān)技術(shù)、高端設(shè)備和核心材料的國產(chǎn)化進(jìn)程。此時期,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展,產(chǎn)品市場份額迅速提升,甚至超越美國,成為全球最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)國。1987年后,日本半導(dǎo)體銷售額的全球占比從28%迅速提升至46%;而同一時期美國的半導(dǎo)體銷售市場份額從55%下降至40%[3]。在存儲器市場,日本表現(xiàn)最優(yōu),不僅成功搶占美國已有的市場份額,還迫使美國最大半導(dǎo)體企業(yè)英特爾放棄存儲器業(yè)務(wù)。

2.2 美日貿(mào)易摩擦的具體體現(xiàn)

美國為穩(wěn)固其在半導(dǎo)體領(lǐng)域的霸主地位,開始采取多項(xiàng)措施強(qiáng)勢限制日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。一是打壓龍頭企業(yè)。1982年,美國以涉嫌盜取美國IBM公司技術(shù)為由,逮捕了日立公司的員工和日本三菱的工程師。1987年,美國又以違反《國家安全機(jī)密法》和《出口管理法》為由,指控日本東芝非法向蘇聯(lián)銷售高技術(shù)國防產(chǎn)品,從而終止東芝在美國的所有合作,并針對性出臺了最嚴(yán)出口管制條例[4]。二是迫使日元升值。1985年,美國與日本、聯(lián)邦德國、法國、英國簽訂《廣場協(xié)議》,下調(diào)了美元對主要貨幣的匯率。此后,日本匯率持續(xù)上升,從1美元兌250日元上下波動,最高上升至1美元兌120日元。日本半導(dǎo)體產(chǎn)品海外市場份額急速萎縮,日本經(jīng)濟(jì)陷入長達(dá)10年的停滯期。三是實(shí)施貿(mào)易限制。1986年美日簽署《日美半導(dǎo)體協(xié)議》,要求日本在電器、通信設(shè)備、電子計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域放寬市場準(zhǔn)入標(biāo)準(zhǔn),擴(kuò)大對美進(jìn)口,美國半導(dǎo)體產(chǎn)品占日本半導(dǎo)體市場的比重不得低于20%[4]。四是扶持競爭對手。在美國連續(xù)打壓下,日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已受重創(chuàng)。在此期間,美國還大力扶持韓國在存儲器領(lǐng)域發(fā)力,并大力推動美國本地存儲器企業(yè)再次崛起,以瓜分日本存儲器產(chǎn)品現(xiàn)有的市場份額。

2.3 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的破局之路

日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)雖然在存儲器市場落下帷幕,但在半導(dǎo)體其他領(lǐng)域仍占有重要地位,特別是關(guān)鍵原材料、高端裝備領(lǐng)域。材料方面,根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì),日本在芯片制造所需的14種主要材料供應(yīng)中穩(wěn)居全球第一,日本企業(yè)在全球半導(dǎo)體材料市場上所占的份額也已超過50%。設(shè)備方面,美日共同占有全球半導(dǎo)體設(shè)備市場80%以上份額,其中日本約占30%。

2.4 日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)破局的經(jīng)驗(yàn)

之所以日本在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中還能取得顯著成績,主要源于:一是具有堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。日本政府在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期發(fā)揮了舉足輕重的作用,政產(chǎn)學(xué)研一體化制度激發(fā)了企業(yè)自主創(chuàng)新活力,激活了本地半導(dǎo)體市場需求,為本國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了扎實(shí)的基礎(chǔ)。二是找準(zhǔn)了戰(zhàn)略發(fā)展方向。受美國打壓后,日本被迫放棄其具有優(yōu)勢的存儲器產(chǎn)業(yè),而后將重心投入到半導(dǎo)體產(chǎn)品的支撐領(lǐng)域和基礎(chǔ)領(lǐng)域中,即半導(dǎo)體核心材料和關(guān)鍵裝備,這使日本成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的一部分。三是發(fā)揮產(chǎn)業(yè)集聚效應(yīng)。日本九州島被稱為日本的“硅島”,島上匯集了索尼、東芝、日立等龍頭企業(yè),還云集了200多家配套的半導(dǎo)體設(shè)備制造及零部件制造企業(yè)[5]。另外,九州地區(qū)共設(shè)有31所工科專業(yè)的大學(xué),強(qiáng)化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究,也為本地提供人才保障。同時,各大學(xué)先后設(shè)立6家技術(shù)許可辦公室,助推大學(xué)研究成果的轉(zhuǎn)化。

3 日本經(jīng)驗(yàn)啟示下我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)對中美貿(mào)易的策略

3.1 加強(qiáng)基礎(chǔ)研究,增強(qiáng)自主創(chuàng)新能力

一是促進(jìn)高校、研究機(jī)構(gòu)在物理、材料等基礎(chǔ)學(xué)科的研究,努力探索前沿科技。目前我國半導(dǎo)體研究多集中在應(yīng)用領(lǐng)域,關(guān)注基礎(chǔ)研究的卻不多。如目前半導(dǎo)體產(chǎn)品主要以硅為襯底,但在特殊領(lǐng)域,砷化鎵、碳化硅等也為重要的基礎(chǔ)材料。未來,隨著半導(dǎo)體應(yīng)用場景的不斷豐富,現(xiàn)有的材料面臨物理極限,亟需探索更高效、更節(jié)能的新材料應(yīng)對未來材料技術(shù)的迭代。二是加強(qiáng)基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)研究,引領(lǐng)技術(shù)迭代。如英飛凌的IGBT產(chǎn)品已發(fā)展至第7代,而我國仍在沿用其原有結(jié)構(gòu)研發(fā)產(chǎn)品,未有突破性的新工藝結(jié)構(gòu)。三是為研究人員創(chuàng)造舒適的研究環(huán)境,增強(qiáng)自主創(chuàng)新內(nèi)生動力。基礎(chǔ)研究的經(jīng)濟(jì)效益不明顯,研究人員內(nèi)生動力弱,需要政府、研究機(jī)構(gòu)及社會提供足夠的物質(zhì)和精神保障。

3.2 建立政產(chǎn)學(xué)研一體化機(jī)制,推動成果轉(zhuǎn)化

一是建立新型舉國體制,集中攻克我國半導(dǎo)體領(lǐng)域被“卡脖子”的關(guān)鍵領(lǐng)域,研究并掌握一批存儲器、高性能邏輯芯片和高端特色工藝領(lǐng)域的核心技術(shù),最終實(shí)現(xiàn)全產(chǎn)業(yè)整體突圍的戰(zhàn)略目標(biāo)。如聯(lián)合一批實(shí)力強(qiáng)的科研院所與國內(nèi)具有影響力的企業(yè)共同攻克“高性能、高算力芯片”難題。二是助推政產(chǎn)學(xué)研深度融合。如地方政府出臺半導(dǎo)體相關(guān)政策前,應(yīng)充分調(diào)研企業(yè)和科研院所,正視本地產(chǎn)業(yè)發(fā)展的薄弱之處,準(zhǔn)確掌握產(chǎn)業(yè)主體的真實(shí)需求。三是建立有效的成果轉(zhuǎn)化機(jī)制。高校及科研院所自主研發(fā)的成果落地需要較長時間的商業(yè)化過程,政府可結(jié)合本地產(chǎn)業(yè)需要設(shè)立一些投入不大、規(guī)模不大的商業(yè)化平臺,引進(jìn)一批產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)進(jìn)駐平臺,驗(yàn)證研究成果。對已具有一定商業(yè)價值的項(xiàng)目,轉(zhuǎn)入孵化園區(qū),注入資源,培育扶持。

3.3 加強(qiáng)內(nèi)循環(huán),打造半導(dǎo)體特色產(chǎn)業(yè)集群

一是以本地資源和產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)為核心,統(tǒng)籌規(guī)劃我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群區(qū),促進(jìn)各集群區(qū)差異化發(fā)展。目前我國已匯集了珠三角、長三角、京津冀和中西部四大產(chǎn)業(yè)集群,但各產(chǎn)業(yè)集群間存在交叉,同質(zhì)化競爭明顯。如長三角、珠三角和中西部都在同步大力發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。二是構(gòu)建內(nèi)循環(huán)機(jī)制,促進(jìn)集群區(qū)間產(chǎn)業(yè)協(xié)同,推動集群區(qū)間建立穩(wěn)定的供應(yīng)鏈關(guān)系,以實(shí)現(xiàn)部分領(lǐng)域國產(chǎn)化替代。我國主要的專業(yè)化代工平臺聚集在長三角地區(qū),其他集群區(qū)內(nèi)的設(shè)計(jì)類企業(yè)的產(chǎn)品也需要代工平臺流片和制造產(chǎn)品,再供應(yīng)給終端運(yùn)營商驗(yàn)證。三是推動集群區(qū)內(nèi)產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建,實(shí)現(xiàn)細(xì)分領(lǐng)域小循環(huán)。如重慶具有廣闊的新能源汽車市場,是本地功率半導(dǎo)體廠商的最佳試驗(yàn)田。

3.4 促進(jìn)外循環(huán),探索對外合作路徑

一是在不受限領(lǐng)域深化國際合作。目前新能源汽車、新能源、數(shù)字經(jīng)濟(jì)、物聯(lián)網(wǎng)等都是社會發(fā)展中出現(xiàn)的新產(chǎn)業(yè)、新業(yè)態(tài),該領(lǐng)域所需半導(dǎo)體為特色工藝產(chǎn)品,不追求先進(jìn)制程,不在中美貿(mào)易摩擦的限制范圍內(nèi)。對此,我國應(yīng)把握機(jī)會,積極與國際領(lǐng)先企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)合作,共同研發(fā)新產(chǎn)品。二是加強(qiáng)與非美國地區(qū)產(chǎn)業(yè)實(shí)體合作。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是全球化程度高的產(chǎn)業(yè),我國在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有重要影響地位。美國單方面的限制,也會直接影響到其他參與國的經(jīng)濟(jì)利益,因此我國與非美國家合作仍有空間。對此,我國應(yīng)營造穩(wěn)定的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)境,實(shí)施合縱連橫的外交策略,充分發(fā)揮《亞太貿(mào)易協(xié)定》、RCEP等國際和區(qū)域貿(mào)易協(xié)議的作用,進(jìn)一步加強(qiáng)與日本、韓國、歐洲供應(yīng)商的供需往來、技術(shù)合作、資本對接,引導(dǎo)海外先進(jìn)技術(shù)補(bǔ)齊我國缺失環(huán)節(jié)。

3.5 加強(qiáng)人才培養(yǎng),輸出多層次專業(yè)化人才

一是加強(qiáng)高端人才培養(yǎng)。目前我國已有28所示范性微電子學(xué)院的高校,可增加此類院校集成電路科學(xué)與工程學(xué)科的碩士、博士招生人數(shù),并創(chuàng)造條件讓這批高端人才參與到國家及地方重要前沿項(xiàng)目的研究中。對工藝類學(xué)科人才,創(chuàng)造條件與國內(nèi)龍頭企業(yè)聯(lián)合培養(yǎng)、定向培養(yǎng),讓高端人才參與到實(shí)踐中,真正解決工藝上的現(xiàn)實(shí)問題。二是加強(qiáng)技能型人才培養(yǎng)。半導(dǎo)體領(lǐng)域除了對高端研發(fā)人才需求旺盛外,操作熟練、技術(shù)精湛、經(jīng)驗(yàn)豐富的技能型人才也十分緊缺,如半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。對此,國內(nèi)職業(yè)院校、社會類培訓(xùn)學(xué)校以及企業(yè)都應(yīng)積極發(fā)揮作用。

4 中美貿(mào)易視角下重慶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議

4.1 以優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ),發(fā)力特色工藝類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

重慶作為老工業(yè)生產(chǎn)基地,承載著產(chǎn)業(yè)變革,成為國內(nèi)先進(jìn)制造業(yè)重鎮(zhèn)的使命。智能產(chǎn)業(yè)和汽摩產(chǎn)業(yè)作為市內(nèi)兩大重點(diǎn)支柱產(chǎn)業(yè),也是未來重點(diǎn)發(fā)力方向。而這兩大產(chǎn)業(yè)離不開高可靠性、低耗能的車規(guī)級和工業(yè)級的特色工藝類半導(dǎo)體,如功率半導(dǎo)體、傳感器等。一是支持本土龍頭企業(yè)轉(zhuǎn)型升級。目前華潤微、萬國半導(dǎo)體的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品還多以消費(fèi)類為主,產(chǎn)品性能低、生命周期短。應(yīng)盡快推動此類產(chǎn)業(yè)加速向車規(guī)級、工業(yè)級產(chǎn)品升級。二是培育本地有潛力的初創(chuàng)型企業(yè)。初創(chuàng)型企業(yè)投入成本不大,但活力強(qiáng),產(chǎn)品更貼近市場需求。可以篩選扶持1～2家潛力大、前景好的企業(yè),培育壯大,從而打造本地品牌。三是引進(jìn)1～2家成熟的廠商。目前國內(nèi)的斯達(dá)半導(dǎo)體、士蘭微、比亞迪半導(dǎo)體等都已擁有成熟的車規(guī)級產(chǎn)品生產(chǎn)線,可引進(jìn)1～2家龍頭企業(yè),帶動重慶功率半導(dǎo)體向高端領(lǐng)域快速轉(zhuǎn)型。

4.2 以產(chǎn)業(yè)協(xié)同為抓手,構(gòu)建完善的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈

雖然重慶已初步形成一條完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,但上游的材料、設(shè)備、IC設(shè)計(jì)較為薄弱,中游制造企業(yè)多為IDM模式,無法帶動中小型配套類企業(yè)發(fā)展,下游終端廠商的半導(dǎo)體類產(chǎn)品主要依賴進(jìn)口,與本地半導(dǎo)體廠商協(xié)同不夠。整體而言,重慶市內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)暫未形成良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈,產(chǎn)業(yè)發(fā)展缺乏協(xié)同性。建議從以下三方面改善:一是強(qiáng)化半導(dǎo)體基礎(chǔ)類行業(yè)。半導(dǎo)體材料為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ),重慶雖有所布局,但產(chǎn)業(yè)分布零散,企業(yè)數(shù)量不多,還未形成集群。因此,需結(jié)合重慶實(shí)際,加大在化合物半導(dǎo)體材料和封裝材料的布局。二是建立1～2條特色工藝類的專業(yè)代工線。設(shè)計(jì)類企業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最優(yōu)活力、附加值最高的環(huán)節(jié),但該類企業(yè)的價值需要通過專業(yè)代工廠實(shí)現(xiàn)。重慶雖已有半導(dǎo)體制造產(chǎn)線,但皆為IDM模式,不對外代工,且產(chǎn)線均為功率半導(dǎo)體產(chǎn)線,產(chǎn)能也較小,無法驅(qū)動設(shè)計(jì)類企業(yè)落戶重慶,本地半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場活力受限。三是推動產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同合作。重慶致力于建立世界級智能網(wǎng)聯(lián)新能源汽車產(chǎn)業(yè)集群,這與車規(guī)級功率半導(dǎo)體密不可分。車規(guī)級功率半導(dǎo)體對可靠性、安全性要求較高,產(chǎn)品需要經(jīng)過長達(dá)2年以上的市場驗(yàn)證期。因此,可以推動本土車廠與功率半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商組建技術(shù)聯(lián)盟,為打通車規(guī)功率半導(dǎo)體本地供應(yīng)提供機(jī)會。

4.3 以產(chǎn)學(xué)研一體化為支撐,培養(yǎng)適應(yīng)本地產(chǎn)業(yè)需求的專業(yè)化人才

人才為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心要素,然而重慶半導(dǎo)體人才培養(yǎng)規(guī)模較小,培養(yǎng)能力不強(qiáng)。目前僅重慶大學(xué)和重慶郵電大學(xué)有微電子相關(guān)專業(yè),學(xué)科排名靠后。對此,可從三方面改善:一是強(qiáng)化學(xué)科教育。強(qiáng)化重慶大學(xué)、重慶郵電大學(xué)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的學(xué)科建設(shè),鼓勵專業(yè)教師外派學(xué)習(xí)培訓(xùn),引進(jìn)一批科研能力強(qiáng)、專業(yè)素養(yǎng)高的高層次專業(yè)教師。二是聯(lián)動科研院校。吸引清華大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、上海交通大學(xué)等一批擁有國家示范性微電子學(xué)院的高校來渝設(shè)立聯(lián)合培養(yǎng)基地,扎實(shí)做好已引進(jìn)的聯(lián)合培養(yǎng)機(jī)構(gòu)的人才培養(yǎng)工作,支持科研院所與本地企業(yè)合作培養(yǎng)實(shí)操型人才。三是強(qiáng)化人才服務(wù)平臺功能,打造人才培訓(xùn)基地,建立人才存蓄池。重慶人社機(jī)構(gòu)、半導(dǎo)體服務(wù)類平臺及科研院所應(yīng)建立聯(lián)動機(jī)制,通過企業(yè)調(diào)研,了解企業(yè)人才需求,聘請名師、行業(yè)領(lǐng)軍人才、企業(yè)骨干,開展針對性社會類半導(dǎo)體人才技能培訓(xùn)課程。此外,對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才獨(dú)立設(shè)檔,建立人才存蓄池,跟蹤人才動向,幫助人才高效匹配本地崗位,消除因信息不對稱帶來的人才流失。

5 結(jié)語

近年來,隨著中美貿(mào)易摩擦持續(xù)升溫,我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展被迫放緩。對此,借鑒日本的經(jīng)驗(yàn),我國可以從加強(qiáng)基礎(chǔ)研究、強(qiáng)化內(nèi)循環(huán)、促進(jìn)外循環(huán)、增強(qiáng)人才培養(yǎng)4個方面著手,尋找破局之路。以重慶市為例,結(jié)合地區(qū)特點(diǎn),本文提出3點(diǎn)建議:一是以優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)為基礎(chǔ),發(fā)力特色工藝類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè);二是以產(chǎn)業(yè)協(xié)同為抓手,構(gòu)建完善的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈;三是以產(chǎn)學(xué)研一體化為支撐,培養(yǎng)滿足本地產(chǎn)業(yè)需求的專業(yè)化人才。