韋新穎
廣西河池市宜州區第三人民醫院 廣西 河池 546300
精神分裂癥屬于重度致殘性疾病,致殘率較高,且患者病程遷延,預后較差,會造成較大的社會負擔[1]。目前關于該疾病的治療仍未取得突破性進展,藥物治療依從性差且不良反應多,且對認知功能效果并不明確,影響患者社會功能恢復。經顱磁刺激(Transcranial Magnetic Stimulation,TMS)是基于電磁感應原理的一種聚焦的非侵入式物理治療技術,技術發展成熟,且安全性較高,已經在精神分裂癥患者中獲得一定認可[2]。本文通過綜述TMS在精神分裂癥患者中的應用效果,報道如下。
由于其刺激脈沖不同,臨床一般分為四種刺激模式,包括單脈沖經顱磁刺激(sTMS)﹑成脈沖經顱磁刺激(pTMS)﹑重復經顱磁刺激(rTMS)﹑爆發模式脈沖刺激(TBS)[3]。其中sTMS是臨床發展相對成熟的技術,且安全性較好,已經在抑郁癥﹑精神分裂癥患者中獲得輔助治療。隨著腦電圖﹑正電子發射計算機斷層掃描不斷發展,治療方案逐漸完善后,可實現精準定位,可視化治療。既往關于rTMS治療仍處于探索階段,普遍存在刺激方案差異大,且治療機制仍需要不斷證實[4]。
目前認為rTMS治療精神分裂癥機制并不清楚,但潛在機制為外部刺激調節大腦皮層興奮性,產生持續的神經效應,從而改善精神分裂癥各癥狀群。研究顯示[5],rTMS在電生理﹑神經遞質及網絡水平,可對神經可塑性產生影響,實現局部與遠程效應。
rTMS可通過調節多種神經遞質調節大腦皮層興奮性,改善精神分裂癥癥狀。近年來發現腦源性神經營養分子(BDNF)是患者發病及預后的重要因素,主要是由于患者血清BDNF濃度減低,且與認知功能損害程度存在一定關系。陳琪學者[6]研究顯示,rTMS治療后患者血漿BDNF﹑GABA濃度均較治療前升高,通過提升腦內BDNF水平,進而促進腦內GABA釋放來實現。
腦區損傷﹑腦網絡水平功能障礙是精神分裂癥潛在發病機制之一,陽性癥狀主要是由于顳頂葉皮層(TPC)﹑顳頂聯合區(TPJ),而陰性癥狀與認知功能損傷與左側背外側前額葉皮質(DLPFC)功能底下存在一定關系[7]。神經影像學研究顯示[8],低頻rTMS能夠改善聽覺語言幻覺(AVHs)與聽覺語言處理期間左側緣上回參與減少存在關系[9]。
TMS與EEG結合可成為強大的研究工具,可直接評估GABA介導的皮質抑制作用,闡述神經分裂癥病理生理,以及rTMS的治療機理[10]。在手法與慢性神經分裂癥患者的研究中,發現rTMS具有激活β/γ波段振幅及相位一致性的作用,與陰性陽性癥狀改善存在一定關系。高頻rTMS作用于左側DLPFC,可呈現出左側PFC α頻段功率優勢,提高大腦偏側化程度,改善認知功能。還有學者指出[11],rTMS刺激小腦可降低左側額葉及顳葉靜息態γ頻段功率,與抑郁癥狀﹑陰性癥狀均存在一定關系,提示了小腦作為新型刺激靶點,在精神分裂癥患者中治療意義理想。
由于rTMS治療更加溫和,在精神分裂癥患者中已經獲得一定認可,配合藥物也能夠達到較為理想的效果[12]。
治療陽性癥狀常用的刺激部位一般為TPJ或TPC,陰性癥狀與認知功能大多選擇DLPFC。近年來研究顯示,rTMS能夠誘發局部與遠程腦區的調控效果,對于健康人群的研究,發現rTMS作用于左側顳葉可同時產生顳葉外,尤其是額葉的遠程調節作用,共同參與注意力調控過程,改善患者認知功能。高頻rTMS通過刺激小腦,能夠治療陰性癥狀,改善患者認知功能與情感癥狀[13]。選擇解剖學定位,解剖學定位大多根據國際標準腦電電極10-20導聯系統,操作較為簡單,應用更加廣泛,定位準確與操作者的解剖學基礎經驗存在一定關系。但由于不同機體之間存在細微差異,僅僅通過解剖學定位,會使得臨床中TMS治療效果存在差異。通過腦影像導航技術定位,導航經顱磁刺激(nTMS)能夠無創性對大腦皮層功能趨于實施定位,在精神疾病中獲得廣泛認可。目前使用較多的一般為無框架磁共振成像導航系統,或者根據文獻數據庫,獲得平均神經成像數據,將靶點導入每個被試的腦結構像,利用無框架立體定向光學跟蹤導航,實時監控頭部與線圈位置,確保靶點精確性[14]。
高頻刺激為≥5Hz刺激,一般選擇10Hz﹑20Hz,能夠提高大腦皮層功能興奮性,可改善精神分裂癥陰性癥狀,使得患者認知功能好轉。高頻rTMS可對大腦皮層產生抑制作用,短暫且快速的緩解陽性癥狀。低頻刺激為<5Hz刺激,可抑制大腦皮層功能興奮性,改善精神分裂癥陽性癥狀。爆發模式脈沖刺激(TBS)是一種以5Hz(θ頻段)為基礎刺激頻率,屬于新型爆發模式脈沖刺激,與低頻rTMS較為類似,能夠快速抑制大腦皮層興奮性。TBS的優勢就在于利用較低的刺激強度以及更短的刺激,快速調節大腦皮層興奮性改變,縮短刺激時間,耐受性會更加理想[15]。
湯姿瑛等[16]學者指出,rTMS治療4周后,PANSS總分﹑陽性因子分及陰性因子評分較治療前下降,對陰性癥狀有較好的改善作用。在刺激小腦部位的研究中,發現對陰性癥狀改善意義,使用較高的刺激參數,能夠達到一定治療效果。既往已經多項研究證實高頻rTMS具有短暫的陽性癥狀改善效果,但缺乏臨床試驗驗證刺激模式,提高其療效。蒲麗學者[17]研究指出,高頻重復經顱磁刺激治療以陰性癥狀為主的精神分裂癥患者,可改善陰性癥狀,與治療前比較,患者治療第3周末﹑第11周末時BNSS總分﹑PANSS陰性因子分均明顯降低。
高頻 rTMS 作用于左側DLPFC,能夠改善患者認知功能,具有一定持續性。高頻rTMS刺激左側DLPFC可有效提高工作記憶,在后續隨訪中,發現其對語言功能的長期作用。趙婧等[18]學者指出,TBS模式rTMS治療可以改善老年慢性精神分裂癥患者的陰性癥狀及認知功能,治療組在治療前后的Mattis癡呆評定量表-2及其各分量表的評分差異均有統計學意義。越來越多的證據顯示,小腦對于認知調控的意義,高頻刺激小腦在健康人群中,發現了對不同程度的認知改善情況。
rTMS對精神分裂癥治療期間,具有良好的效果,能夠證實rTMS具有良好的安全性,大多患者均獲得了理想的治療效果,操作較為簡單,作為輔助治療有良好的發展前景。近年來發展的多模態神經成像技術,通過研究神經生物學機制,提供了重要手段,對指導治療具有重要科學意義。未來研究需要不斷優化治療模式,規范患者治療周期,為精神分裂癥治療提供精準安全有效的手段。