林世澤,房超青(通信作者)
福建省泉州市第三醫院精神科(福建泉州 362121)
精神分裂癥是我國重點防治的精神疾病,一旦患病,不僅會影響患者生命質量,還會帶來不同程度的社會安全問題。認知功能缺陷作為精神分裂癥的核心癥狀之一,涉及記憶、注意、言語、思維、推理及執行功能等多方面,其中記憶損害是廣泛存在而非選擇性的[1]。前瞻性記憶(prospective memory,PM)作為記憶的一種類型,是指記住于將來某個特定時間完成某項任務或按時完成某項任務。PM 損傷很可能是導致患者基本社會功能受損的重要原因,近年來,精神分裂癥患者的PM 功能缺陷受到越來越多的關注[2],在精神分裂癥患者的無癥狀一級親屬中亦存在PM 前瞻記憶功能缺陷[3]。現階段,藥物治療手段對精神分裂癥患者認知功能的改善收效甚微,甚至會產生一定的不良反應。重復經顱磁刺激(repetitive transcranial magnetic stimulation,rTMS)作為一種非侵入性、安全、無痛苦的治療方法,有研究發現,采用rTMS 治療可改善精神分裂癥患者的執行、記憶和言語功能[4]。基于此,本研究采用不同模式rTMS 對精神分裂癥患者進行治療,探討其對PM 的影響,現報道如下。
選取2019年1月至2020年12月在我院就診的120例精神分裂癥患者,隨機分為偽刺激組、1 Hz組、10 Hz組、θ短陣快速脈沖刺激(theta burst stimulation,TBS)組,各30例。偽刺激組男14例,女16例;年齡21~35歲,平均(28.34±3.12)歲;病程3~10年,平均(5.4±0.6)年;平均陽性和陰性精神癥狀評定量表(positive and negative syndrome scale,PANSS)[5]評分(72.63±11.30)分。1 Hz組男15例,女15例;年齡21~35歲,平均(29.32±3.27)歲;病程3~10年,平均(5.6±0.7)年;平均PANSS評分(70.32±12.80)分。10 Hz組男13例,女17例;年齡21~35歲,平均(30.08±2.98)歲;病程3~10年,平均(5.5±0.5)年;平均PANSS評分(71.43±10.60)分。TBS組男16例,女14例;年齡21~35歲,平均(29.34±3.04)歲;病程3~10年,平均(5.7±0.5)年;平均PANSS評分(72.11±12.30)分。4組一般資料比較,差異無統計學意義(P>0.05),具有可比性。本研究已獲得醫院醫學倫理委員會批準。
納入標準:符合國際疾病分類第10版(International Classification of Diseases-10,ICD-10)精神分裂癥診斷標準[6];病情穩定,當前正在服用非典型抗精神病藥物;可接受神經心理檢查,并簽署知情同意書。排除標準:有藥物、酒精濫用史;過去1個月接受過電休克治療;患有嚴重軀體疾病或腦器質性病變;有顱腦損傷史及精神發育遲滯;嚴重不合作;存在聽覺或視覺障礙。
儀器選用南京偉思醫療科技股份有限公司生產的Magneuro 60經顱磁刺激儀,“8”字形線圈。4組分別接受偽刺激、左側背外側前額葉(left dorsolateral prefrontal cortex,L-DLPFC)1 Hz低頻刺激、L-DLPFC 10 Hz高頻刺激、TBS 4種模式rTMS治療,5次/周,共治療4周(20次),具體操作模式如下。(1)偽刺激組:翻轉刺激磁頭,確保與患者頭部完全貼合,其余操作同其他真刺激組。(2)1 Hz組:治療部位為L-DLPFC,刺激強度為110%運動閾值,刺激頻率為1 Hz,20 min/d(30串刺激,每串刺激持續5 s,間歇30 s,共1500次刺激)。(3)10 Hz組:治療部位為L-DLPFC,刺激強度為110%運動閾值,刺激頻率為10 Hz,20 min/d(30串刺激,每串刺激持續5 s,間歇30 s,共1500 次刺激)。(4)TBS組:治療部位為L-DLPFC,刺激強度為80%運動閾值、單次共給予1200個脈沖、單次總刺激維持約19 min,基本刺激頻率為5 Hz、每200毫秒進行1個短陣刺激、每個短陣刺激中含3個頻率為50 Hz的單個脈沖(每10個短陣刺激表示1個刺激串,間隔8 s,共400個短陣刺激)。
采用PM 實驗室范式評估PM 測試法對PM 進行評估,該記憶測試法共分為兩個組塊,即基于事件的前瞻性記憶(event-based prospective memory,EBPM)組塊和基于時間的前瞻性記憶(time-based prospective memory,TBPM)組塊,每個組塊滿分為8分,評分越高提示患者記憶能力越強[7],采用以上方法比較4組治療前及治療4周后的EBPM 評分和TBPM 評分,以及1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分差值。
采用SPSS 21.0統計軟件對數據進行分析。計量資料以表示,治療前后比較采用t檢驗,多個樣本間比較采用F檢驗,多個樣本兩兩比較采用SNK-q檢驗;計數資料以率表示,采用χ2檢驗。P<0.05為差異有統計學意義。
偽刺激組治療前與治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分比較,差異均無統計學意義(P>0.05);1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分比較,差異均有統計學意義(P<0.05);1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分組間比較及兩兩比較,差異均有統計學意義(P<0.05),見表1。
表1 4組治療前及治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分比較(分,)

表1 4組治療前及治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分比較(分,)
注:a 表示3 組真刺激組治療4 周后的EBPM 評分比較,F=129.0854,P<0.01;3 組間兩兩比較,q1Hz組與TBS組=21.3482,q1Hz組與10Hz組=17.4156,q10Hz組與TBS組=3.9326,P 均<0.01。b 表示3 組真刺激組治療4 周后的TBPM 評分比較,F=33.4178,P<0.01;3 組間兩兩比較,q1Hz組與TBS組=11.5518,q1Hz組與10Hz組=5.3633,q10Hz組與TBS組=6.1885,P 均<0.01。TBS 為θ 短陣快速脈沖刺激;EBPM 為基于事件的前瞻性記憶;TBPM 為基于時間的前瞻性記憶
3組治療前與治療4周后的EBPM 評分、TBPM評分差值比較,差異均有統計學意義(P<0.05),且TBS 組EBPM 評分、TBPM 評分差值最大,見表2。
表2 1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分差值比較(分,)

表2 1 Hz 組、10 Hz 組及TBS 組治療前與治療4周后的EBPM 評分、TBPM 評分差值比較(分,)
注:TBS 為θ 短陣快速脈沖刺激;dEBPM 為基于事件的前瞻性記憶治療前與治療4 周后評分的差值;dTBPM 為基于時間的前瞻性記憶治療前與治療4 周后評分的差值
精神分裂癥患者認知功能損傷的神經生物學機制建立在腦內前額葉、海馬等腦區多巴胺功能下降以及五羥色胺、乙酰膽堿和谷氨酸等神經遞質異常的基礎上[8]。患者PM 損害與前額葉、丘腦、內側顳葉等腦區相關,而現階段藥物治療手段對精神分裂癥患者認知功能的改善收效甚微,甚至會產生一定的不良反應。有研究表明,rTMS 左側顳頂葉、左背和雙側背外側前額葉均可改善精神分裂癥患者的癥狀[9]。
本研究選擇L-DLPFC 作為刺激部位進行rTMS治療,旨在通過交變磁場產生的電流使上述區域腦神經細胞去極化而產生生物效應,進而促進PM 改善。rTMS 可通過給精神分裂癥患者顱內特定區域施加電流,上調皮層興奮性,激活受抑制腦區,增加大腦認知區域功能性改變[10-11]。本研究中,1 Hz組、10 Hz組及TBS組經真刺激治療后的EBPM評分、TBPM 評分均升高,提示不同模式rTMS 均可改善精神分裂癥患者的PM 功能。不同模式rTMS 對大腦皮層的抑制和興奮作用不同,如20 Hz、10 Hz、TBS 等模式對精神分裂癥患者的認知功能均有不同的影響[12]。本研究中,1 Hz 組、10 Hz 組、TBS 組經真刺激治療后的EBPM 評分、TBPM 評分組間比較及兩兩比較,差異均有統計學意義(P<0.05),提示不同模式對PM 的影響程度不同,選擇合適的刺激模式具有實際的臨床意義。本研究中,3組治療前后的EBPM 評分、TBPM 評分差值比較,差異均有統計學意義(P<0.05),且TBS 組EBPM 評分、TBPM 評分差值最大,提示TBS 治療模式為改善精神分裂癥患者PM 損害的最佳模式,有擴大臨床應用的意義。TBS 治療效果更佳的可能機制為TBS 較常規刺激更符合人體神經元的放電模式,有待動物實驗進一步證實。
本研究尚存在許多不足之處:現階段研究樣本量少,考慮到老年患者及長期病程患者對PM 實驗室范式評估PM 測試法的配合度差,故納入的患者年齡及病程均有設定范圍,樣本選擇面較窄,有待擴大樣本群及樣本例數進一步驗證;此外,本研究的刺激部位僅選取了L-DLPFC,目前尚缺少對其他部位干預效果的分析,有待進一步驗證。