基于MOSFET 的電動汽車電源開關(guān)設(shè)計

尹百通，龔元明

(上海工程技術(shù)大學 機械與汽車工程學院，上海 201620)

0 引言

隨著近年來電動汽車的興起，汽車電子化程度越來越高，傳統(tǒng)繼電器上電磁干擾與電弧灼燒現(xiàn)象的弊端逐漸顯現(xiàn)出來[1]，而MOSFET(場效應(yīng)管)是多數(shù)載流子導電的電壓控制器件，具有輸入阻抗高、開關(guān)速度快、高頻性能好等優(yōu)勢[2]，在各類電源開關(guān)尤其電動汽車上應(yīng)用廣泛[3]。本文詳細介紹開關(guān)電源的工作原理和結(jié)構(gòu)組成，其中著重闡述了MOSFET 驅(qū)動器與MOSFET 的匹配設(shè)計以及驅(qū)動器的相關(guān)特性，最后，將電源開關(guān)放置在不同的電流下進行耐受能力測試。

1 電源開關(guān)總體設(shè)計與工作原理

電源開關(guān)總體可以分為五個模塊：電源穩(wěn)壓模塊、溫度采集模塊、光耦隔離模塊、MOSFET 驅(qū)動器模塊及MOSFET 工作模塊。

相較于之前的開關(guān)電源電路[4]，其突出優(yōu)勢為：(1)MOSFET 選用的是ATOOL66608 型號，具有通大電流、低阻值的顯著特點；(2)增加了TC4432 驅(qū)動器，可以為MOSFET 提供更高的驅(qū)動電流，有效提高開關(guān)速度[5-6]；(3)通過光耦隔離的方式，有效減少外界噪聲和電磁信號的干擾。

電源開關(guān)結(jié)構(gòu)圖如圖1 所示。

圖1 電源開關(guān)結(jié)構(gòu)圖

電源開關(guān)工作原理：(1)首先接入12 V 電壓，經(jīng)電源穩(wěn)壓模塊，將電壓轉(zhuǎn)換為5 V。(2)5 V 電壓經(jīng)光耦隔離模塊以及DC/DC 芯片，將電壓升高為9 V 電壓，為MOSFET驅(qū)動器供電。(3)控制信號通過光耦隔離模塊將信號傳送到MOSFET 驅(qū)動器，從而控制MOSFET 的快速通斷[7]。

2 電源開關(guān)硬件設(shè)計

電源開關(guān)的主要模塊由電源穩(wěn)壓模塊、溫度采集模塊、光耦隔離模塊、MOSFET 驅(qū)動器模塊、MOSFET 工作模塊這五部分組成。其中最重要的是MOSFET 驅(qū)動器模塊，它關(guān)系到MOSFET 開關(guān)速率的快慢。

2.1 電源穩(wěn)壓模塊

電源芯片選用的型號是LM2596-5，它是一款開關(guān)穩(wěn)壓電源的芯片，該芯片具有出色的線路和負載調(diào)節(jié)能力，能夠驅(qū)動3 A 的負載。在Vin端通入12 V 電壓后，芯片Vout引腳輸出的電壓為5 V，為內(nèi)部其他元件供電。在電路設(shè)計時，在Vin端加入兩個濾波電容，在輸出端加一個肖特基二極管1N5819，提供過壓保護，RC 電路用于整流濾波。此電源電路輸入電壓范圍廣，輸出電壓穩(wěn)定，具有低功耗模式和熱關(guān)斷限流保護，以至于不需要散熱器[8]。電源穩(wěn)壓模塊如圖2 所示。

圖2 電源穩(wěn)壓模塊

2.2 溫度采集模塊

此模塊選用的是LM50 芯片，具有良好的溫度檢測，工作原理是將采集到的溫度轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的電壓數(shù)值輸出[9]。為了能更加準確地測量MOSFET 的實際溫度，將溫度傳感器布置在靠近MOSFET 并在同一平面上，要求具備良好的耐熱性和穩(wěn)定性。溫度傳感器原理參考圖如圖3 所示。

圖3 溫度采集模塊

2.3 光耦隔離模塊

為了消除電容的耦合效應(yīng)，輸入開關(guān)信號必須經(jīng)過光耦器件的隔離才可以作為MOSFET 驅(qū)動器的控制輸入信號，光耦器件可以提供較高的隔離電壓和信號傳輸頻帶，具有不錯的電氣隔離效果。使用時，光耦器件兩側(cè)需要兩個不同的供電電壓，尤其是輸出端需要一個單獨的供電電壓來輸出控制信號，此時需要電路中的DC-DC升壓芯片來作為另一個供電電壓。

采用光電隔離方法來作為驅(qū)動器的控制信號輸入，如圖4 所示，光耦隔離電路由光耦隔離器件和DC-DC 升壓芯片組成。隔離電壓不僅為光耦隔離芯片供電，而且也很好地為MOSFET 驅(qū)動器供電[10]。當需要導通和斷開MOSFET 的操作時，撥動開關(guān)，電壓驅(qū)動信號經(jīng)光耦隔離芯片，將信號傳到MOSFET 驅(qū)動器，由MOSFET 驅(qū)動器來控制MOSFET 的導通與斷開。

圖4 光耦隔離電路

2.4 MOSFET 驅(qū)動器

按照該場效應(yīng)管的管芯尺寸與電壓或電流，在對該驅(qū)動器與場效應(yīng)管進行配對時將會面臨較大困難。在設(shè)計環(huán)節(jié)，需要遴選合適的驅(qū)動器，此時需要對以下參量進行考慮：電流驅(qū)動能力、傳輸延時、靜態(tài)電流等。對驅(qū)動器遴選也受到其功率耗用影響。隨后對該場效應(yīng)管的工作頻率與柵極電荷有關(guān)聯(lián)性的驅(qū)動器功耗進行分析，同時分析按照該元件的導通、截止時間，將驅(qū)動器與柵極電荷進行更好地匹配[11-13]。

2.4.1 MOSFET 驅(qū)動器的功耗

在對場效應(yīng)管柵極進行充放電時，都要得到相同能量支持，不管充放電有著怎樣的快慢過程，譬如柵極電壓的增長與下降，為此，該驅(qū)動器電流驅(qū)動能力并不會對其柵極容性負載所涉及的驅(qū)動器功耗產(chǎn)生不利影響。

該驅(qū)動器功耗主要構(gòu)成包括：

(1)該柵極電容充放電所形成的功耗：

其中，CG為MOSFET 柵極電容；VDD為MOSFET 驅(qū)動器電源電壓(V)；F為開關(guān)頻率。

(2)該驅(qū)動器對靜態(tài)電流進行吸收，由此形成的功耗為：

其中，IQH、IQL依次為驅(qū)動器輸入為高、低電平，開關(guān)波形占空比則是D。

(3)該驅(qū)動器交越導通電流所形成的功耗：

其中，CC為交越常數(shù)(A*sec)。

為了獲取式(1)的值，就需要對該場效應(yīng)管的柵極電容進行查詢，它又涉及兩個電容，即柵極與柵漏電容，后者又可以稱作米勒電容。通常，較容易犯錯的就是將MOSFET 輸入電容(亦即是CISS)用作該場效應(yīng)管的總柵極電容。對該柵極電容進行確認的方法就是總柵極電容，用QG表示。這類信息通常在場效應(yīng)管的典型特性曲線之中。

表1 展示的是60 V、400 A、N溝道MOSFET 數(shù)據(jù)手冊中的典型實例。數(shù)據(jù)表中的給定數(shù)值，與對應(yīng)的測試條件(也就是漏極與柵極電壓)具有相關(guān)性，這些測試條件將會對柵極電荷值帶來明顯影響。

表1 數(shù)據(jù)手冊中柵極電荷的表示

圖5 展示了該場效應(yīng)管在測試環(huán)境下柵極電荷所呈現(xiàn)出來的典型特征曲線，從而確保該功耗的柵極電荷值也能很好滿足使用條件。

圖5 總柵極電荷-柵源電壓(60 V，400 A，N 溝道MOSFET)

對圖5 曲線進行分析，在VGS=10 V 成立下，該總柵極電荷即為205 nC(VDS=30 V)。利用Q=C·V 關(guān)系式，計算出柵極電容為20.5 nF，這顯著高于表1 給出的14.2 nF的輸入電容。這意味著，對此柵極電容進行計算時，能夠利用總柵極電荷來對相應(yīng)的電容進行推導。倘若是通過該柵極電荷最大值對最壞情形進行設(shè)計，此值就需要按照設(shè)計的柵源與漏源電壓加以動態(tài)調(diào)整。

通過表1 所提出的該場效應(yīng)管信息作為案例，在VGS達到10 V，該開關(guān)頻率也就是F為0.25 MHz，而漏源電壓則是30 V，該場效應(yīng)管的柵極電容充放電就會形成該驅(qū)動器的功耗，具體如下：

2.4.2 峰值電流驅(qū)動的需求

對場效應(yīng)管驅(qū)動器進行分析，需要對其內(nèi)外要素進行綜合考慮，分析它們對該驅(qū)動器所帶來的功耗。為此，需要對其功耗進行科學計算，然后再選擇合適的封裝模式，并對結(jié)溫進行計算[14-15]。

該場效應(yīng)管需要和其驅(qū)動器進行匹配，此時需要結(jié)合其導通與截止速度來進行科學設(shè)計。而這種速度與柵極電容充放電速度關(guān)系緊密。場效應(yīng)管的柵極電容、導通、截止時間等，和相應(yīng)驅(qū)動器的驅(qū)動電流存在密切關(guān)系，具體如下：

其中：Td為導通/截止時間，Vd為柵極電壓，C為柵極電容，I為峰值驅(qū)動電流。

已知柵極電荷的關(guān)系為：

公式可以轉(zhuǎn)化為：

其中：Q為總柵極電荷。

以下就是借助于設(shè)計參數(shù)，對該驅(qū)動器的峰值電流進行運算。

MOSFET 柵極電荷(Q)=50 nC

MOSFET 柵極電壓(Vd)=10 V

導通/截止時間(Td)=40 ns

代入前面的公式中：

通過該公式，可以算出峰值驅(qū)動電流為1.25 A。其中柵極驅(qū)動電壓大小為10 V，在對驅(qū)動器進行遴選之際，該參量需要得到充分的考慮，為此，該峰值輸出電流即為1.5 A 的驅(qū)動器。

2.4.3 MOSFET 驅(qū)動器的選擇

MOSFET 驅(qū)動器最終選擇的型號為TC4432，它是30 V CMOS 驅(qū)動器，其功耗只有470 mW，適用于高端驅(qū)動器應(yīng)用。它具有如下的優(yōu)點：

(1)高容性負載驅(qū)動能力；

(2)高峰值輸出電流：1.5 A；

(3)輸入電壓范圍廣：4.5 V 至30 V;

(4)延遲時間短：小于78 ns；

(5)輸出阻抗低：7 Ω；

(6)靜電釋放保護：4 kV。

MOSFET 驅(qū)動器的控制輸入支持TTL/CMOS 兼容輸入，驅(qū)動輸出有獨立的拉電流和灌電流輸出引腳，可以提供3 A 峰值電流到容性負載和吸收來自容性負載的1.5 A 峰值電流。

2.5 MOSFET 工作模塊

由于此電源開關(guān)需要通過較大的電流，電路設(shè)計采用MOSFET 并聯(lián)來實現(xiàn)電路的分流，減小單個MOSFET 的電流壓力[16]，因此選用N 溝道增強型MOS 管(AOTL66608)，其漏源電壓為60 V、額定電流可達400 A、導通電阻低至0.85 mΩ。驅(qū)動器及場效應(yīng)管模塊實現(xiàn)機制圖如圖6所示。

圖6 驅(qū)動器及MOSFET 模塊

3 試驗設(shè)計與分析

3.1 試驗說明

試驗?zāi)康臑闇y試MOSFET 電源開關(guān)的電流耐受能力。將電源開關(guān)串聯(lián)在電池包與充放電機電流回路負極主線上,閉合電源開關(guān)后,對電池包進行充放電,讓電流持續(xù)恒流通過電源開關(guān)以測試其電流耐受能力,每次測試過程中電源開關(guān)始終保持閉合狀態(tài)。

如圖7 所示，經(jīng)過驗證，電源開關(guān)溫度最高點為內(nèi)部溫度采集芯片溫度，對此處進行溫度采集可以反映整個繼電器的最高溫度(T3)。在整個測試過程中需記錄下電流和溫度等信息以衡量電源開關(guān)的過電流能力。

圖7 電源開關(guān)溫度監(jiān)控點示意圖

3.2 持續(xù)過電流測試(室溫)

采用恒流充放交替(比如250 A 10 s 充電，再250 A 10 s 放電，如此循環(huán)，理論上跟恒流一樣)來對電源開關(guān)進行持續(xù)過電流測試。

(1)250 A 恒流試驗

250 A 恒流測試流程圖如圖8 所示，試驗記錄的溫度值如表2 所示。溫度變化曲線如圖9 所示。

圖8 250 A 恒流測試流程圖

圖9 溫度-時間曲線(250 A 恒流)

表2 250 A 恒流試驗記錄值

T3為電源開關(guān)內(nèi)部溫度(也是電源開關(guān)最高溫度點)，從試驗開始到結(jié)束溫度始終低于它的最高承受上限溫度80 ℃，外加的NTC 靈敏度和布置位置影響，曲線中的值始終比溫度傳感器值略低，越到末端溫差越大。250 A恒流最終截止時溫度差異為3 ℃。

(2)375 A 恒流試驗

375 A 恒流試驗記錄的溫度值如表3 所示。溫度變化曲線如圖10 所示。

表3 375 A 恒流測試記錄值

圖10 溫度-時間曲線(375 A 恒流)

T3為電源開關(guān)內(nèi)部溫度(也是電源開關(guān)最高溫度點)，從試驗開始到結(jié)束溫度始終低于它的最高承受上限溫度80 ℃。外加的NTC 靈敏度和布置位置影響，曲線中的值始終比溫度傳感器值略低，越到末端溫差越大。375 A恒流最終截止時溫度差異為14 ℃。

通過上述試驗，結(jié)果驗證該電源開關(guān)可以在375 A大電流下穩(wěn)定工作。

4 結(jié)論

本文針對繼電器的電磁干擾和電弧灼燒現(xiàn)象，設(shè)計了一款基于MOSFET 的電源開關(guān)。對電源開關(guān)的工作原理和結(jié)構(gòu)設(shè)計進行介紹，并詳細闡述了MOSFET 驅(qū)動器選型設(shè)計及驅(qū)動器的工作特性，最后通過恒流試驗測試，實驗結(jié)果驗證電源開關(guān)的耐受能力符合要求。