用于銅鉬膜層的刻蝕方法及刻蝕裝置
2021-04-04 17:11:17
中國鉬業(yè) 2021年3期
關(guān)鍵詞：方法
專利申請?zhí)? CN201811013179
公開號: CN109136926A
申請日:2018.08.31公開日:2019.01.04
申請人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
一種用于銅鉬膜層的刻蝕方法和刻蝕裝置，刻蝕方法包括：步驟S10，在基板上形成銅鉬膜層；步驟S20，在銅鉬膜層上形成預(yù)定圖案的光刻膠；步驟S30，將形成有光刻膠的基板置于刻蝕裝置中；步驟S40，對刻蝕裝置內(nèi)部進(jìn)行紫外線照射，以及向刻蝕裝置內(nèi)充注臭氧；步驟S50，利用刻蝕液對銅鉬膜層進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明能夠提高刻蝕效率和產(chǎn)能，另外，也能夠減少刻蝕液的用量，進(jìn)而降低刻蝕液的成本。
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