專利申請?zhí)? CN201811013179
公開號: CN109136926A
申請日:2018.08.31公開日:2019.01.04
申請人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
一種用于銅鉬膜層的刻蝕方法和刻蝕裝置,刻蝕方法包括:步驟S10,在基板上形成銅鉬膜層;步驟S20,在銅鉬膜層上形成預(yù)定圖案的光刻膠;步驟S30,將形成有光刻膠的基板置于刻蝕裝置中;步驟S40,對刻蝕裝置內(nèi)部進(jìn)行紫外線照射,以及向刻蝕裝置內(nèi)充注臭氧;步驟S50,利用刻蝕液對銅鉬膜層進(jìn)行刻蝕。本發(fā)明能夠提高刻蝕效率和產(chǎn)能,另外,也能夠減少刻蝕液的用量,進(jìn)而降低刻蝕液的成本。