一種硒化鉬半導體薄膜及其制備方法和應用

專利申請?zhí)? CN201810690566

公開號: CN109148158A

申請日:2018.06.28公開日:2019.01.04

申請人: 廣東工業(yè)大學

本發(fā)明公開了一種硒化鉬半導體薄膜及其制備方法和應用，所述硒化鉬半導體薄膜由將混合溶劑、硒源、鉬源以及還原性試劑混合均勻制得反應前驅液，再將FTO導電玻璃與反應前驅液充分反應后制得。其制備方法包括如下步驟：S1：將混合溶劑、硒源、鉬源以及還原性試劑混合均勻制得反應前驅液；S2：對FTO導電玻璃進行前期表面洗滌處理；S3：將FTO導電玻璃與反應前驅液充分接觸，在高溫高壓的條件下充分反應后，在FTO襯底上制備得到硒化鉬半導體薄膜。本發(fā)明制備得到的硒化鉬半導體薄膜具有物相均勻、結晶良好、純度較高、致密等優(yōu)點，制備工藝簡單、成本低廉，由本發(fā)明所制備的硒化鉬半導體薄膜在染料敏化太陽能電池和光催化水解制氫應用中具有良好的前景。