伴枕區癇樣放電癲癇患兒認知功能損害狀況及影響因素分析

緱夢帆 郭建梅

1)濮陽市油田總醫院，河南 濮陽 457000 2)鄭州大學附屬兒童醫院 河南省兒童醫院 鄭州兒童醫院，河南 鄭州 450000

兒童癲癇以良性局灶性癲癇為主，臨床特征表現為陣發、反復發作、暫時性腦功能紊亂等，受發病部位影響，患兒可出現不同程度的認知功能損害[1]。目前，小兒癲癇的發病機制尚未明確，可能與圍生期缺氧缺血、遺傳代謝病、皮質區域發育異常、腦結構異常、顱內出血、顱內感染、腦軟化、腦腫瘤等多種因素有關[2]。目前臨床尚無治療兒童癲癇的特效方法，主要采用藥物、手術治療及神經調控，雖可控制患兒癲癇發作次數及時間，但難以改善患兒認知功能損傷，患兒預后風險仍較高。研究顯示兒童期癲癇較成人癲癇更易發生癲癇認知功能損害，患兒發病后，隨病程延長，可出現持續性智力損害，對患兒未來認知發展有持續負面影響，可引發學習、社交等多方面的障礙[3]。但有研究指出，目前多數癲癇患兒無認知障礙，提示癲癇患兒發生認知障礙的風險較低[4]。由此可見，目前臨床對于兒童癲癇與認知功能障礙間的關系尚無統一定論。研究顯示伴癇樣放電的患兒智力損害更為明顯，發生認知功能損害的風險較高[5]。主要原因在于枕區是癇樣放電的常見發病部位，位于機體后頭部，是處理視覺信息的中樞，部分癲癇患兒并發枕區癇樣放電后，出現幻覺、幻視、黑蒙等視覺癥狀，并有惡心、嘔吐等自主神經癥狀。此外，枕區參與視空間關系知覺及視記憶痕跡的形成，并主導言語和言語前置結構的理解，枕區癇樣放電可進一步造成患兒對物體空間感知出現異常，視覺記憶能力和語言理解能力逐漸喪失[6]。而枕區癇樣放電持續的時間越長，發生頻次越高，患兒認知功能的損害越嚴重，預后不良的風險進一步升高。癲癇患兒的認知功能損害還受多種因素影響，若不對認知損害相關的危險因素進行分析，易造成認知損害持續進展，引起記憶力及智力持續減退，最終可完全喪失軀體功能和社會功能，家庭及社會經濟負擔加重[7]。本研究選取258例癲癇伴枕區癇樣放電患兒，分析其認知功能損害情況，并對影響認知功能損害的因素進行分析，以指導針對性干預措施的制定。

1 資料與方法

1．1一般資料回顧性分析濮陽市油田總醫院2018-07—2019-07治療的258例癲癇伴枕區癇樣放電患兒的臨床資料，年齡3～10(6.78±2.51)歲；男133例，女125例；發病時間0.2～5(3.63±1.15)a。患兒家屬對此次研究知情同意，且研究的設計符合醫學倫理要求。

1．2入選標準(1)納入標準：①符合《臨床診療指南·癲癇病分冊(2015修訂版)》[8]中有關小兒癲癇的診斷標準；②經腦電圖檢查，可見枕區單側或雙側的棘慢復合波，有枕區癇樣放電；③每月平均發作2～6次；④臨床資料齊全。(2)排除標準：①合并先天性腦發育異常患兒；②合并先天性視神經受損患兒；③合并腦部惡性腫瘤患兒；④合并精神疾病患兒；⑤難治性癲癇患兒。

1．3方法

1．3．1 資料調查：采用濮陽市油田總醫院自制調查表收集患兒臨床資料，克倫巴赫系數為0.834，調查內容包括：(1)起病年齡：分為<6歲和≥6歲。(2)病程：分為<1 a和1～5 a。(3)發病原因：分為遺傳性癲癇、免疫性腦炎、腦外傷、高熱、其他。(4)病灶部位：分為顳葉癲癇、枕葉癲癇、額葉癲癇、其他。(5)發作類型：分為部分性發作和全面性發作。部分性發作包括簡單部分發作和復雜部分發作，簡單部分發作表現為手指頭抽搐、腿部抽搐，復雜部分發作表現為對癲癇發作沒有意識，發作時對所做的事情沒有意識。全面性發作表現為全身強直陣攣性發作，患兒有全身抽搐癥狀，可在較短時間內結束，或持續一段時間。(6)用藥數量：分為單藥用藥和多藥用藥。(7)發作頻率：分為<3次/月和≥3次/月，記錄患兒癲癇發作次數。(8)發作持續時間：分為<5 min/次和≥5 min/次。(9)社會家庭關愛：分為充足和不足，通過與家屬交流溝通獲取患兒家庭及社交信息，判定患兒家庭支持和社會支持情況。

1．3．2 認知功能評估：受檢患兒取坐位，保持清醒狀態，囑患兒集中注意力、微閉雙眼。采用Dantec公司Keypoint肌電/誘發電位儀進行事件相關電位(event-related potentials，ERP)檢測，按國際EEG 10/20系統安放電極，記錄電極置于中央中線(Cz)及頂中線(Pz)，參考電極置于刺激同側乳突，手腕接地。選取聽覺Oddball模式對患者進行刺激，參數設置：非靶刺激頻率1 kHz，概率為80%，靶刺激隨機分布于非靶刺激中，頻率為2 kHz，概率為20%，刺激強度90 dB。靶刺激疊加30次，帶通范圍1～30 Hz，靈敏度為10 μV/cm。將患兒覺察到的靶刺激總數與儀器顯示次數比較，判斷符合程度，每位受檢者重復測試兩次，結果取平均值。基本波形為頭頂Cz點記錄的P300，檢測P300波幅和潛伏期，正常兒童波幅約為13 μV，潛伏期約為312 ms，以潛伏期<正常兒童2.5 μV，且波幅>正常兒童2.5 ms定義為認知功能損害。存在認知功能損害患兒為認知功能損害組，未發生認知功能損害患兒為無認知功能損害組。

1．4統計學方法采用SPSS 24.0處理數據，計數資料以百分比(%)表示，用χ2檢驗，癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知損害的影響因素采用多項Logistic回歸分析，P<0.05為差異有統計學意義。

2 結果

2．1認知功能損害發生率258例癲癇伴枕區癇樣放電的患兒中19例發生認知功能損害，認知功能損害發生率為7.36%。

2．2影響癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害的單因素分析單因素分析顯示發病原因、病灶部位、社會家庭關愛均與癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害無關(P>0.05)；起病年齡、病程、發作類型、用藥數量、發作頻率及發作持續時間可能是癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害的影響因素(P<0.05)。見表1。

2．3影響癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害的多項Logistic回歸分析將單因素分析顯示可能為影響因素(起病年齡、病程、發作類型、用藥數量、發作頻率及發作持續時間)的分類變量作為自變量并賦值(表2)，以癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害發生與否為因變量，有認知功能損害賦值為“1”，無認知功能損害賦值為“0”，經多項Logistic回歸分析顯示，起病年齡≥6歲、病程1～5 a、全面性發作、多種藥物治療、發作頻率≥4次/月、發作持續時間是癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害的危險因素(OR>1，P<0.05)。見表3。

表2 自變量賦值情況

表3 影響癲癇伴枕區癇樣放電患兒的Logistic多因素分析

3 討論

認知功能損害對癲癇患兒生長發育有嚴重負面影響，目前臨床治療不僅需關注患兒癥狀的治療，還需關注患兒認知功能的改善。因此，對癲癇患兒認知功能損害的影響因素進行分析具有重要意義。部分癲癇患兒病因不明，可能為局灶性癲癇，智力正常，無認知功能損害[9]。而部分癲癇患兒認知功能損害持續進展，經臨床有關治療后仍難以改善，除受癇樣放電影響外，可能還與多種因素有關。

研究[10]表明癲癇并發的認知功能障礙與癲癇本身、癇樣放電、首發年齡、病程、發作頻率等因素有關。本研究中認知功能損害發生率7.36%，提示癲癇伴枕區癇樣放電患兒存在較高的認知功能損害風險；Logistic回歸分析顯示起病年齡≥6歲、病程1～5 a、全面性發作、多種藥物治療、發作頻率≥4次/月、發作持續時間是癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能損害的影響因素，提示癲癇伴枕區癇樣放電患兒的認知功能損害受起病年齡、病程、發作類型、用藥數量、發作頻率及發作持續時間影響，與上述研究結論一致。(1)起病年齡：起病年齡<6歲的患兒，大腦存在功能代償及可塑性，癲癇對患兒認知功能的影響較小[11]。(2)病程：癲癇作為一種反復發作的慢性疾病，隨發作次數增加、發作時間延長，患兒腦組織受損越嚴重，認知功能越差[12]。(3)發作類型：全面性發作時，患兒存在全身抽搐癥狀，能量消耗較大，且全面性發作可引發呼吸暫停，造成腦部組織缺氧，腦組織管理語言、運動等多種功能，缺氧時可引起認知功能損害[13]。(4)多種藥物治療：抗癲癇藥物的作用機制主要為降低神經元興奮性，促進抑制性神經遞質發揮作用，藥物治療可對癲癇患兒認知功能造成一定損傷，而在實施多種藥物治療時，血藥濃度較高，認知損害風險也隨之升高[14-15]。(5)發作頻率和發作持續時間：癲癇發作過程中的缺氧、神經細胞異常放電均會對癲癇患兒的神經元造成損害，而發作頻率越高、持續時間越長，對癲癇患兒認知功能的影響越大[16]。但病程不同的患兒前后發作頻率及發作持續時間不一致，本研究僅對短期內發作頻率和發作持續時間進行探討，結果可能存在偏差，應擴充研究時間，以進一步證實發作頻率和發作持續時間對癲癇伴枕區癇樣放電患兒認知功能的影響。除上述因素外，枕區癇樣放電也是認知功能損害的重要因素，患兒大腦處于發育期，神經元易受到放電干擾，導致神經元間信息傳遞受阻，繼而損傷認知功能[17]。此外，枕區在處理視覺信息中發揮重要作用，發生枕區癲癇或枕區癇樣放電均可造成視覺空間認知異常，進一步增加認知功能損害[18]。

針對上述因素，建議作如下處理：(1)全面收集癲癇患兒資料，根據起病年齡、病程制定合理治療方案，嚴格控制癲癇發作頻率及發作持續時間[19-24]；(2)治療過程中定期監測，了解患兒病情變化，合理應用抗癲癇藥物；(3)指導患者進行體育活動和鍛煉，以減輕抗癲癇藥物的不良反應，改善患兒的認知能力[25-30]；(4)對癲癇患兒進行認知功能教育、自我意識訓練干預，以減輕認知功能損害[31-33]。

癲癇伴枕區癇樣放電患兒的認知功能損害受起病年齡、病程、發作類型、用藥數量、發作頻率及發作持續時間的影響，可針對上述因素，早期積極給予合理的干預，以預防或減輕認知功能損害。