模板微電鑄工藝制備金字塔形鎳納米尖

胡亞明，梁軍生，2*，楊金鶴，3，王大志，王立鼎，2

(1.大連理工大學(xué) 遼寧省微納米技術(shù)及系統(tǒng)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，遼寧 大連 116024；2.大連理工大學(xué) 精密與特種加工技術(shù)教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，遼寧 大連 116024；3. 海信新研發(fā)中心，山東 青島 266100)

1 引 言

近年來(lái)，納米尖在傳感器[1]、光學(xué)[2]、醫(yī)學(xué)[3]等方面得到了廣泛應(yīng)用。目前，穩(wěn)定可靠且容易控制的納米尖制作工藝仍然面臨著很多挑戰(zhàn)。另一方面，單晶硅作為天然的各向異性半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的機(jī)械性質(zhì)及成熟的加工工藝，已經(jīng)成為了微納器件制造的首選材料[4-5]。因此，國(guó)內(nèi)外相關(guān)學(xué)者對(duì)硅基納米尖的制備工藝展開(kāi)了廣泛的研究，主要包括濕法腐蝕[6-7]和干法刻蝕[8-9]。Resnik等[10]基于凸角腐蝕原理，利用KOH、TMAH和HNA腐蝕溶液分別刻蝕(100)晶向和(111)晶向的單晶硅片制備得到了縱橫比為0.5～1.2的硅針尖；并且通過(guò)氧化銳化工藝將針尖曲率半徑成功減小至20 nm。崔巖等[11-12]研究了掩模偏轉(zhuǎn)方向?qū){米尖端形貌的影響，成功地制備了四面體和八面體錐針。進(jìn)一步地，他們還研究了刻蝕液的濃度，添加劑(IPA)和銳化方法對(duì)納米尖端形貌的影響，為微懸臂梁探針的制備奠定了理論基礎(chǔ)。隨后，Han等[13]發(fā)現(xiàn)在KOH溶液中添加I2KI比添加IPA更易獲得陡直的硅針(針尖頂部開(kāi)口角度小至28°)。但是在異向腐蝕工藝中硅尖的形貌容易受到實(shí)驗(yàn)環(huán)境變化的影響，比如刻蝕溫度、腐蝕溶液濃度的變化，容易發(fā)生欠刻蝕或過(guò)刻蝕現(xiàn)象[6，16]。對(duì)于各向異性腐蝕方法，后續(xù)的氧化銳化工藝常被用來(lái)進(jìn)一步減小硅尖的曲率半徑，這造成了工藝的繁瑣同時(shí)又增加了針尖被破壞的風(fēng)險(xiǎn)。針對(duì)上述問(wèn)題，Burt[14]和Li[15]分別設(shè)計(jì)了三角形掩模和五邊形掩模，這兩種掩膜可以使尖端在腐蝕過(guò)程中具備自銳化能力，在一定程度上提高了工藝穩(wěn)定性和實(shí)驗(yàn)效率。祝福生[16]等提出通過(guò)優(yōu)化刻蝕溫度控制系統(tǒng)、改變槽體內(nèi)刻蝕液的溢流方式以及改變刻蝕樣片在刻蝕液中的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)等方法，以?xún)?yōu)化濕法腐蝕設(shè)備來(lái)提高硅濕法刻蝕的均勻性。除了濕法腐蝕技術(shù)外，干法刻蝕也被嘗試用來(lái)制造納米硅尖。Zhang[17]利用電感耦合等離子體干法刻蝕并結(jié)合CsCl掩模自組裝技術(shù)制作出了縱橫比高達(dá)15的納米硅尖陣列。該方法可快速有效地應(yīng)用于納米硅尖的大面積制造。然而，由于CsCl自組裝掩模位置和尺寸難以精確確定，該方法很難控制納米尖的高度和位置。因此，該工藝不適用于對(duì)納米尖的位置及高度有一定要求的場(chǎng)合。

綜上所述，干/濕法刻蝕技術(shù)能夠用來(lái)制造不同形狀和具有不同深寬比的硅針以應(yīng)用于微傳感器、光學(xué)成像等眾多場(chǎng)合[1-4]。然而，這兩種方法對(duì)操作條件，例如工作溫度、溶液濃度、氣體壓力刻蝕劑成分等十分敏感，最小硅尖形成的時(shí)刻難以準(zhǔn)確控制，以至于過(guò)刻蝕和欠腐蝕在加工程中頻繁發(fā)生，刻蝕的均勻性和穩(wěn)定性難以保證[6，16]。因此，研究一種穩(wěn)定可靠，容易控制的納米尖制作工藝具有重要意義。

在微納制造領(lǐng)域，模板剝離技術(shù)常用來(lái)制作具有某種尺寸和特殊結(jié)構(gòu)的金屬或聚合物器件，該技術(shù)主要包含三個(gè)步驟：模具制作、材料沉積和結(jié)構(gòu)釋放[18]。Henzie等[19]通過(guò)制備倒金字塔型硅模具并結(jié)合電子束沉積工藝，制造出了帶有鋒利針尖的金字塔型金屬納米尖，用于貴金屬的光學(xué)性質(zhì)研究。隨后相關(guān)學(xué)者對(duì)該技術(shù)又做了進(jìn)一步研究[20-22]。與干/濕法刻蝕技術(shù)相比，該工藝通過(guò)延長(zhǎng)(100)硅片的自停止刻蝕時(shí)間，可精確獲得具有納米尺度尖端的金字塔型的錐坑，通過(guò)電子束沉積技術(shù)可成功復(fù)制得到納米針尖，避免了過(guò)腐蝕和欠腐蝕現(xiàn)象的發(fā)生。然而，電子束沉積工藝由于復(fù)雜、昂貴，難以進(jìn)一步推廣，且該方法只能獲得納米級(jí)壁厚的針尖，機(jī)械強(qiáng)度有限，限制了金屬納米尖的應(yīng)用。本文提出了基于硅模板微電鑄工藝制備金字塔型Ni納米尖的方法，通過(guò)硅的各向異性濕法腐蝕制備高精度硅模具，利用微電鑄工藝精確復(fù)制硅模具的形貌和尺寸，并在KOH溶液中腐蝕Si模具從而制得納米Ni尖。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，采用微電鑄工藝并結(jié)合(100)硅片的各向異性腐蝕技術(shù)，能夠均勻穩(wěn)定地制作出金字塔型Ni納米尖，為Ni納米尖的大量制備和應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。

2 實(shí) 驗(yàn)

在論文中，Ni納米尖的制作主要包含：硅模具的制作、微電鑄工藝及Ni納米尖釋放這三個(gè)步驟。圖1描述了Ni納米尖制備的工藝流程，其中硅模具的制作步驟為圖1(a)～1(f)，Ni微電鑄為圖1(g)～1(h)，納米尖釋放為步驟圖1(i)。

2.1 硅模具制作

本實(shí)驗(yàn)采用天津市半導(dǎo)體研究所生產(chǎn)的2英寸N型(100)雙面拋單晶硅片作為硅模具基板，其厚度為(220±10) μm，電阻率為1～10 Ω·cm。硅模具制作工藝流程如圖1(a)～1(f)所示。首先在單晶硅片表面熱生長(zhǎng)一層厚度約為2.4 μm的SiO2(4英寸氧化爐，中國(guó)電子科技集團(tuán))，氧化溫度為1 180 ℃，時(shí)間約為10 h(圖1(a))；其次在其上旋涂一層BP212正性光刻膠(北京科華微電子材料有限公司)，低速600 r/min，9 s；高速2 400 r/min，30 s，并置于85 ℃熱板上前烘半小時(shí)，去除溶劑固化膠膜(圖1(b))；接著利用曝光機(jī)(SUSS MA6)對(duì)Si片紫外曝光45 s，將正方形掩模圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上(圖1(c))；然后在0.5% NaOH溶液中顯影，形成正方形膠膜窗口陣列，并置于85 ℃熱板上后烘以去除殘留的顯影液(圖1(d))；下一步利用濕法腐蝕(HF酸緩沖液，HF∶氟化銨∶水=3∶6∶10)或干法刻蝕(八氟環(huán)丁烷，電感耦合等離子體干刻機(jī)AMS100)圖形化暴露的SiO2，形成正方形SiO2窗口掩蔽陣列(圖1(e))，之后將硅片依次置于丙酮、乙醇和去離子水中各超聲5 min，去除表面的光刻膠膜；最后將硅片置于85 ℃，40%的KOH溶液中，進(jìn)行各向異性腐蝕(圖1(f))。為消除刻蝕過(guò)程中產(chǎn)生的H2氣泡帶來(lái)的微掩模作用，整個(gè)過(guò)程中采用磁力攪拌[6]使腐蝕均勻。模具刻蝕完畢后，再次利用丙酮、乙醇和去離子水將硅片清洗干凈并用氮?dú)獯蹈伞?/p>

(a)氧化(a)Oxidation

(f)自停止刻蝕(f)Anisotropic etching

(b)甩膠與前烘(b)Spin-coated photoresist and pre-baking

(g)濺射與剝離(g)Sputtering and stripping

(c)曝光 (c)Exposure

(h)微電鑄(h)Micro-electroforming

(d)顯影與后烘(d)Development and post-baking

(i)Ni尖的釋放(i)Release of Ni tips

(e)圖形化SiO2(e)Patterning of SiO2

圖1 金字塔型Ni納米尖的制作工藝流程

2.2 Ni納米尖的微電鑄工藝

實(shí)驗(yàn)采用的(100)單晶硅片的電阻率為1～10 Ω·cm，為提高其導(dǎo)電性能，采用濺射與正膠剝離工藝制備了一層厚度為200 nm的Ni膜，當(dāng)作微電鑄的種子層。其制備過(guò)程如下：首先利用十字網(wǎng)格陣列掩模版，采用與上述相同的光刻工藝在硅模具表面制備一層BP212膠膜。接著在模具表面磁控濺射(薄膜沉積系統(tǒng)，LAB18)一層厚度為200 nm的Ni膜，并隨即在丙酮中利用剝離工藝去除多余金屬，形成相互連接的網(wǎng)格(圖1(g))，引導(dǎo)金屬離子在微電鑄過(guò)程中沉積在模具上以復(fù)制在模具上錐坑的形貌。然后將上述模具作為陰極與電鑄電源負(fù)極相連進(jìn)行電鑄(圖1(h))。圖2為微電鑄裝置的示意圖，裝置主要由脈沖電源、儲(chǔ)液槽、陽(yáng)極、陰極、恒溫水浴和磁力攪拌器組成。其中，陽(yáng)極為高純鎳板，可通過(guò)陽(yáng)極溶解補(bǔ)充從電介質(zhì)中取出的鎳離子。同時(shí)，為了確保導(dǎo)電Si模板與電路之間的可靠連接，本文設(shè)計(jì)了專(zhuān)用不銹鋼夾具，并將工件固定在不銹鋼夾具中，構(gòu)成電鑄陰極。表1和表2給出了Ni電鑄液的基本成分及電鑄條件[23-24]。其中，硼酸作為緩沖劑能調(diào)節(jié)溶液的PH值，氯化鎳作為陽(yáng)極活化劑，可以改善溶液的分散性降低鑄層應(yīng)力。在電鑄開(kāi)始階段采用小電流密度，使電鑄金屬晶粒細(xì)小保證金屬層的致密性；后續(xù)增加電流密度以提高電鑄速率。在電鑄過(guò)程中，這里使用雙槽雙路精密電鑄機(jī)，通過(guò)往復(fù)陰極移動(dòng)和電鑄液循環(huán)過(guò)濾的方式保持電鑄液的均勻性，減少金屬沉積層的缺陷。

圖2 微電鑄裝置示意圖Fig.2 Framework of micro-electroforming device

表1 鎳電鑄液成分Tab.1 Solution of nickel electroforming

表2 微電鑄的工作條件Tab.2 Conditions of micro-electroforming

2.3 Ni納米尖釋放

電鑄完成之后，利用去離子水清洗模具2～3次，并用氮?dú)獯蹈梢匀コ龤埩舻娜ルx子水。為釋放鑄層中的應(yīng)力以防止金屬蜷曲和剝落，將電鑄后的模具在380 ℃條件下真空退火2 h，然后冷卻至室溫，以保證金字塔型Ni納米尖的完整性。最后利用KOH溶液腐蝕Si模具來(lái)釋放Ni納米尖，如圖1(i)所示。

3 結(jié)果和討論

3.1 硅模具尺寸分析

在(100)單晶硅片的各向異性腐蝕過(guò)程中，(110)面的腐蝕速率最高，(111)面的腐蝕速率最低，這是由各晶面的原子密度及各原子之間的成鍵方式?jīng)Q定的[25-26]。刻蝕的最終結(jié)果由腐蝕速率最低的晶面決定。圖3描繪了倒金字塔型錐坑形成的過(guò)程：以正方形SiO2掩蔽窗口為例，在刻蝕開(kāi)始時(shí)(100)晶面首先被腐蝕，隨后在窗口邊緣處暴露出與上表面成54.74°的(111)面，隨著腐蝕的進(jìn)行(100)面逐漸縮小而4個(gè)(111)面逐漸增大，最后相交于一點(diǎn)形成倒金字塔型錐坑。與凸角腐蝕相比，該工藝操作簡(jiǎn)單、容易控制，不存在過(guò)刻蝕和欠腐蝕的現(xiàn)象，只要延長(zhǎng)刻蝕時(shí)間便可穩(wěn)定得到具有納米尖的錐坑。

(a)刻蝕進(jìn)行中(a)Etching is in progress

(b)刻蝕自停止(b)Etching stops automatically圖3 倒金字塔型錐坑刻蝕過(guò)程Fig.3 Etching process of inverted pyramid pits

圖4為刻蝕時(shí)間與錐坑刻蝕深度的關(guān)系，由圖可見(jiàn)，刻蝕深度和刻蝕時(shí)間大體呈線性關(guān)系，擬合直線的斜率即為刻蝕速率。在85 ℃，40%的KOH溶液中(100)晶面的刻蝕速率為1.11 μm/min，由此可計(jì)算出深度為90 μm的錐坑所需要的刻蝕時(shí)間約為81 min。為使錐坑能夠充分自停止刻蝕，實(shí)驗(yàn)中將刻蝕時(shí)間延長(zhǎng)至100 min。在錐坑刻蝕完成后，采用場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(SUPRA55德國(guó))觀察錐坑的刻蝕形貌，圖5(a)為倒金字塔型錐坑的整體俯視SEM圖，圖5(b)為其底部的SEM放大圖。由圖5(a)可以看出，模具的俯視圖中，4個(gè)(111)面?zhèn)缺诘慕痪€構(gòu)成正方形對(duì)角線，倒金字塔型錐坑底部匯于對(duì)角線交點(diǎn)上。圖5(b)為錐坑底部120 000×倍率的SEM圖，可以看出錐坑的4個(gè)側(cè)壁相對(duì)平整，且經(jīng)過(guò)自停止?jié)穹涛g交于底部一點(diǎn)。

圖4 錐坑刻蝕深度與刻蝕時(shí)間的關(guān)系Fig.4 Fitting curve of depth and time for pyramid pits

(b)錐坑底部放大圖(b)Close-up image圖5 倒金字塔型錐坑的掃描電鏡圖Fig.5 Scanning electron micrographs (SEMs) of inverted pyramidal pits

為了分析模具的刻蝕精度，這里在SEM視圖中測(cè)量了錐坑上表面的長(zhǎng)度和寬度。由于(100)單晶硅的自停止?jié)穹涛g精度與其上SiO2圖案化刻蝕窗口的制作精度密切相關(guān)，本研究分別對(duì)比了氫氟酸濕法刻蝕和ICP干法刻蝕這兩種不同開(kāi)窗口工藝下的硅模具上錐坑的開(kāi)口尺寸。圖6展示了采用HF溶液圖形化SiO2掩蔽窗口后得到的錐坑SEM圖，圖7為從圖6測(cè)得的8組長(zhǎng)、寬尺寸統(tǒng)計(jì)直方圖。

圖6 氫氟酸圖案化的錐坑長(zhǎng)/寬尺寸

圖7 氫氟酸圖案化錐坑尺寸直方圖Fig.7 Statistical histogram of size of inverted pyramid pits (HF etching of SiO2)

由圖7可見(jiàn)，錐坑上表面的平均長(zhǎng)度和寬度分別為152.175 μm和150.9 μm，與設(shè)計(jì)尺寸(正方形掩模尺寸)128 μm×128 μm相比，在自停止刻蝕中正方形窗口的長(zhǎng)、寬雙邊總側(cè)蝕量分別為18.89%和17.89%。總側(cè)蝕量主要由HF溶液圖形化SiO2窗口的側(cè)蝕量和單晶硅濕法刻蝕過(guò)程SiO2掩膜下的側(cè)蝕量構(gòu)成。其中，以HF溶液流動(dòng)性造成的SiO2掩膜窗口的側(cè)蝕為錐坑模具總側(cè)蝕量的主要來(lái)源。

為進(jìn)一步提高SiO2錐坑掩膜窗口的制作精度，采用ICP干法刻蝕代替HF溶液圖形化工藝。圖8為采用ICP圖案化后通過(guò)自停止?jié)穹涛g獲得的錐坑模具掃描電鏡圖，圖9為由圖8獲得的錐坑頂部的長(zhǎng)、寬尺寸統(tǒng)計(jì)直方圖。可以看出，在該工藝下錐坑的長(zhǎng)、寬的平均尺寸分別為140.25 μm和140.06 μm，與設(shè)計(jì)尺寸相比，總的雙邊側(cè)蝕量分別為9.57%和9.42%，與HF圖案化工藝相比，ICP圖案化工藝獲得的錐坑模具側(cè)蝕量小、分辨率高，尺寸誤差降低了約9%。

圖8 ICP圖案化的錐坑長(zhǎng)/寬尺寸

圖9 ICP圖案化錐坑尺寸直方圖

3.2 硅模具表面形貌分析

在觀察硅基錐坑模具形貌時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)一些不明雜質(zhì)顆粒散亂地分布在Si片表面及錐坑側(cè)壁上，如圖10所示。若不去除這些雜質(zhì)，電鑄Ni納米尖的表面會(huì)出現(xiàn)蜂窩狀缺陷，影響納米尖的表面質(zhì)量。為了分析雜質(zhì)成分，采用能譜分析(Energy Density Spectrum，EDS)方法獲得雜質(zhì)的元素組成，測(cè)定結(jié)果如圖11所示。其中，Si峰來(lái)源于實(shí)驗(yàn)所用的單晶硅片本體，并包含Ni，F(xiàn)e，Cu，C等雜質(zhì)成分。表3列出了各元素的含量比。相關(guān)研究[27]認(rèn)為金屬元素Fe，Cu，Ni等源于KOH顆粒，當(dāng)Si片從KOH溶液中取出時(shí)，它們與OH-反應(yīng)生成顆粒沉積在硅片表面上。對(duì)于C元素，可以認(rèn)為來(lái)自空氣或?qū)嶒?yàn)器材上的有機(jī)雜質(zhì)吸附在硅片表面上，因此保持實(shí)驗(yàn)環(huán)境的整潔是相當(dāng)重要的。這些雜質(zhì)顆粒大部分能被H2SO4去掉。

圖10 錐坑側(cè)壁上沉積的雜質(zhì)顆粒

圖11 雜質(zhì)顆粒的能譜分析結(jié)果Fig.11 Energy density spectrum of precipitated impurity particles

表3 顆粒元素組成Tab.3 Elemental composition of precipitated particles

3.3 Ni納米尖形貌分析

在微電鑄過(guò)程中，當(dāng)金屬離子沉積為金屬層時(shí)在鑄層中會(huì)慢慢累積應(yīng)力，沉積金屬層越厚，應(yīng)力越大， 當(dāng)沉積金屬層間內(nèi)應(yīng)力大于沉積金屬層與基底之間的結(jié)合力時(shí)，金屬結(jié)構(gòu)將被破壞，因此必須采取有效措施釋放鑄層中的應(yīng)力。本實(shí)驗(yàn)中Ni納米尖的厚度約為20 μm(小電流密度5 mA/cm2電鑄2 h，大電流密度10 mA/cm2電鑄1 h)，在380 ℃的條件下真空退火2 h，之后隨爐冷卻至室溫。圖12(a)和12(b)分別退火前后的Ni納米尖形貌。由圖12(a)可以看出，未退火的Ni納米尖表面存在Ni膜的蜷曲和剝落，而退火后的Ni納米尖表面平整，如圖12(b)所示。因此，真空退火可有效釋放鑄層中的應(yīng)力，保證結(jié)構(gòu)的完整性。

(a)退火前(a)Before annealing

(b)退火后(b)After annealing圖12 Ni納米尖的掃描電鏡圖Fig.12 SEM images of Ni pyramids

圖13 Ni納米尖的整體掃描電鏡圖像Fig.13 Overall SEM image of Ni nanotips

圖13為電鑄得到Ni納米尖的整體掃描電鏡圖。在電鑄實(shí)驗(yàn)中，通過(guò)制備不同的掩模版圖形可以實(shí)現(xiàn)Ni金屬尖端的大規(guī)模制備，并通過(guò)統(tǒng)計(jì)得到的Ni納米尖以分析電鑄實(shí)驗(yàn)的復(fù)制精度與尖端最小曲率半徑。圖14為Ni納米尖的掃描電鏡圖，由圖可以看出，Ni納米尖精確地復(fù)制了模板上的金字塔形狀，4個(gè)側(cè)壁對(duì)應(yīng)4個(gè)(111)面且相對(duì)平整，證明了微電鑄工藝并結(jié)合(100)硅片的自停止刻蝕工藝制備納米鎳尖的可行性。為了分析微電鑄Ni納米尖對(duì)硅模板的復(fù)制精度，這里采用與分析硅模板制作精度相同的測(cè)量方法，通過(guò)Ni納米尖的SEM圖獲得金字塔形Ni納米尖的底部長(zhǎng)寬尺寸，統(tǒng)計(jì)結(jié)果如圖15的直方圖所示。由圖可見(jiàn)，金字塔型Ni納米尖底部的場(chǎng)、寬尺寸的平均值分別為138.9 μm和138.4 μm，和圖8中硅錐坑模具的長(zhǎng)、寬尺寸(140.25 μm和140.06 μm)相比，電鑄釋放后圖形的復(fù)制精度在長(zhǎng)、寬方向分別達(dá)到99.06%和98.81%。因此，采用微電鑄工藝可高精度復(fù)制出倒金字塔形硅錐坑模板的形狀和尺寸。

圖14 Ni納米尖底部的長(zhǎng)度和寬度Fig.14 Length and width of bottom of Ni nanotips

圖15 Ni納米尖底部長(zhǎng)寬尺寸統(tǒng)計(jì)直方圖Fig.15 Statistical histogram of Ni shell size

圖16為模板微電鑄獲得的Ni納米尖的尖端形貌掃描電鏡圖。由圖16(a)可見(jiàn)，金字塔形Ni尖各錐面平整光滑，各錐面棱邊銳利清晰；圖16(b)為納米尖端的放大圖，通過(guò)掃描電鏡自帶測(cè)量工具，可直接測(cè)得針尖的曲率半徑為54 nm。由此可見(jiàn)，結(jié)合自停止?jié)穹涛g硅模板的微電鑄工藝，可以方便快捷、高精度地獲得金字塔造型的Ni納米尖。

(a)整體圖(a)Overall

(b)尖端(b)Tip圖16 金字塔型Ni納米尖的掃描電鏡圖Fig.16 SEM images of pyramid nanotips formed by microelectroforming

4 結(jié) 論

本文針對(duì)金屬納米尖難以穩(wěn)定可靠制備的技術(shù)難題，設(shè)計(jì)了基于模板微電鑄技術(shù)的Ni納米尖制備工藝流程，采用(100)單晶硅片的自停止?jié)穹涛g技術(shù)獲得高精度的倒金字塔錐坑模具，進(jìn)一步結(jié)合微電鑄工藝實(shí)現(xiàn)Ni納米尖的高復(fù)制率制備和釋放，最后通過(guò)硅模板濕法刻蝕去除釋放出金字塔型Ni納米尖。對(duì)比研究了氫氟酸濕法刻蝕圖案化和ICP干法刻蝕圖案化工藝對(duì)硅模具加工精度的影響，探討了硅模具的表面形貌及其成因，通過(guò)對(duì)工藝參數(shù)的精確調(diào)控最終獲得表面平整、棱邊分明的金字塔型Ni納米尖，納米尖對(duì)硅模具的復(fù)制率達(dá)到99%，尖端最小曲率半徑為54 nm。上述結(jié)果表明，本文研究的模板微電鑄工藝是一種制備金屬納米尖的有效方法，可實(shí)現(xiàn)金屬納米尖的高效、可靠制備，實(shí)現(xiàn)了金屬納米尖的批量化生產(chǎn)，降低了生產(chǎn)成本，該研究結(jié)果對(duì)擴(kuò)展納米尖的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。