Lp-PLA2、Hcy及S100β對缺血性腦卒中后VD的預測價值研究

韓玉華 周俐紅 李艷麗

血管性癡呆（vascular dementia，VD）是腦卒中后認知功能障礙，缺血性腦卒中后較為常見，在腦組織損傷后早期即可表現(xiàn)出認知功能障礙［1］，早期的干預級治療能夠降低VD的發(fā)生，延緩VD的進展，改善患者的預后［2］。與神經(jīng)功能相關的細胞因子在腦組織損害早期即可出現(xiàn)改變，能夠反應腦組織結構和功能的損害程度。脂蛋白相關磷脂酶A2（lipoprotein-associated phospholipase A2，Lp-PLA2）能夠通過誘導高血脂癥，加劇膽固醇及甘油三酯的沉積，進而誘導神經(jīng)元細胞的損傷［3］；同型半胱氨酸（homocysteine，Hcy）能夠誘導氧化應激性反應，加劇神經(jīng)元細胞的損傷凋亡程度［4］；S100β蛋白能夠誘導變性蛋白的沉積，加劇神經(jīng)元細胞的壞死［5］。均在腦血管疾病的發(fā)生及進展中發(fā)揮重要的作用。目前腦卒中后VD的早期預測尚缺乏有效方法，為了探索缺血性腦卒中后VD早期具有價值的預測指標，本文就Lp-PLA2、Hcy和S100β在缺血性腦卒中的表達變化及其對VD的預測價值進行研究，現(xiàn)報告如下。

1 資料與方法

1.1 一般資料

選取2018年3月至2019年12月本院收治的200例缺血性腦卒中患者，依據(jù)是否發(fā)生VD分為VD組和非VD組，選取同期健康體檢者30例，其中非VD組121例，年齡52～77歲，平均（62.8±8.6）歲，男70例、女51例；腦梗死部位分布：基底節(jié)區(qū)68例、腦葉例33例、腦干14例、其他部位6例；合并高血壓75例、糖尿病25例、高血脂42例；吸煙48例；受教育年限（12.0±3.5）年。NVD組年齡50～79歲，平均（64.3±10.1）歲，男48例、女31例；腦梗死部位分布：基底節(jié)區(qū)47例、腦葉20例、腦干9例、其他部位3例；合并高血壓50例、糖尿病16例、高血脂23例；吸煙23例；受教育年限（11.6±2.7）年。對照組年齡49～75歲，平均（61.7±7.4）歲，男20例、女10例；吸煙12例；受教育年限（11.4±3.8）年。三組年齡、性別、合并疾病情況、吸煙率、受教育年限等基線資料差異無統(tǒng)計學意義（P＞0.05）。

納入標準：①缺血性腦卒中診斷符合中華醫(yī)學會神經(jīng)病學分會腦血管病學組2016年發(fā)布的《中國急性缺血性腦卒中診治指南》中缺血性腦卒中診斷標準［6］；②發(fā)病時間＜24小時；③患者年齡≤79歲；④患者無意識障礙或循環(huán)、呼吸功能障礙，預計能夠2周后能夠配合相關調查；⑤家屬對研究內(nèi)容知情同意。排除標準：①既往具有認知功能障礙、阿爾茨海默疾病或精神系統(tǒng)疾病；②既往腦卒中病史或腦外傷病史；③合并自身免疫性疾病；④腦干梗死或大面積腦梗死。

1.2 方法

患者入組后采集空腹靜脈血5 mL，低溫分離血清，深低溫保存，分批檢測。血清Hcy檢測采用免疫熒光法，檢測儀器為UniCel DxI 800免疫發(fā)光儀（貝克曼庫爾特公司），試劑購自北京九強生物公司，Lp-PLA2、S100β檢測采用酶聯(lián)免疫吸附法，檢測儀器為酶標儀（賽默飛世爾公司），試劑購自南京建成生物工程研究所。

1.3 認知功能評分

患者治療3個月后對VD組患者進行認知功能評分，簡明精神狀態(tài)量表（mini-mental state examination，MMSE）評分及分組標準［7］，MMSE量表主要包括：定向力（10分）、注意力和計算力（5分）、記憶力（3分）、回憶能力（3分）、語言能力（9分），總分為30分，輕度認知功能障礙：13～23分、中度認知功能障礙：5～12分、重度認知功能障礙：＜5分。

1.4 統(tǒng)計學方法

采用SPSS 21.0軟件進行數(shù)據(jù)處理，計量資料采用（），兩組間比較用t檢驗，多組間比較用方差分析。計數(shù)資料用n（%）表示，用χ2檢驗；相關性分析采用Pearson線性相關分析法；繪制ROC曲線評估Lp-PLA2、Hcy和S100β對VD的預測價值，P＜0.05為差異具有統(tǒng)計學意義。

2 結果

2.1 3組患者的血清Lp-PLA2、Hcy、S100β比較

3組患者的血清Lp-PLA2、Hcy、S100β比較結果：VD組＞NVD組＞對照組，差異有統(tǒng)計學意義（P＜0.05）。見表1。

表1 3組血清Lp-PLA2、Hcy、S100β、NLRP3比較（±s）Table 1 Comparison of serum Lp-PLA2，Hcy，S100β，NLRP3 and MMSEscores between 3 groups of patients（±s）

表1 3組血清Lp-PLA2、Hcy、S100β、NLRP3比較（±s）Table 1 Comparison of serum Lp-PLA2，Hcy，S100β，NLRP3 and MMSEscores between 3 groups of patients（±s）

組別VD組NVD組對照組F值P值n 79 121 Hcy（μmol/L）20.66±4.38 17.42±3.09 12.60±3.37 27.203 0.000 Lp-PLA2（ng/mL）196.4±52.0 133.8±29.1 106.5±25.4 23.104 0.000 NLRP3mRNA（相對表達強度）39.41±10.77 35.76±8.52 27.81±8.87 5.501 0.000 S100β（μg/L）0.95±0.33 0.43±0.18 0.21±0.14 33.296 0.000

2.2 不同認知障礙VD患者的血清Lp-PLA2、Hcy、S100β

不同認知障礙VD患者血清Lp-PLA2、Hcy和S100β比較結果：重度＞中度＞輕度，差異有統(tǒng)計學意義（P＜0.05）。見表2。

表2 不同程度的VD患者的血清Lp-PLA2、Hcy、S100β比較（±s）Table 2 Comparison of serum Lp-PLA2，Hcy，S100βin VD patients with different degrees of dementia（±s）

表2 不同程度的VD患者的血清Lp-PLA2、Hcy、S100β比較（±s）Table 2 Comparison of serum Lp-PLA2，Hcy，S100βin VD patients with different degrees of dementia（±s）

認知障礙程度輕度中度重度F值P值n 42 23 14 Hcy（μmol/L）18.84±3.36 24.80±3.10 28.74±4.20-17.673 0.000 Lp-PLA2（ng/ml）172.3±50.0 238.6±48.6 267.93±49.79-25.643 0.000 S100β（μg/L）0.83±0.31 1.17±0.28 1.49±0.53-54.775 0.000

2.3 VD患者的血清Lp-PLA2、Hcy、S100β與MMSE評分的關系

VD患者的血清Lp-PLA2（r=-0.547，P=0.000）、Hcy（r=-0.511，P=0.000）、S100β（r=-0.628，P=0.000）與MMSE評分均呈顯著的負相關關系，差異有統(tǒng)計學意義（P＜0.05）。

2.4 Lp-PLA2、Hcy和S100β對腦卒中后VD的預測效能

ROC曲線分析顯示，Lp-PLA2、Hcy和S100β水平單獨檢測預測缺血性腦卒中后VD的AUC值為0.726、0.768、0.794，聯(lián)合檢測預測缺血性腦卒中后VD的AUC值為0.892。見圖1。

圖1 Lp-PLA2、Hcy和S100β預測VD的ROC曲線Figure 1 1.ROC curve of predicted VD by Lp-PLA2，Hcy and S100β

3 討論

VD是常見的退行性腦病，在缺血性腦卒中患者，VD的發(fā)病率較高，與卒中后腦組織結構及功能受損有關［7］。能夠導致患者的認知能力漸進性降低，注意力、定向力等均發(fā)生不同程度受損，引起患者的生活質量降低。也是腦卒中致殘的主要原因之一，而且并發(fā)VD的患者，再次發(fā)生惡性腦血管意外的風險明顯上升［8］。而早期的干預及治療能夠改善VD的預后。因此對于缺血性腦卒中患者，對VD進行有效的預測并進行干預對于改善預后具有積極的作用。目前對于腦卒中患者是否發(fā)生VD尚缺乏有效的預測指標［9］。

Lp-PLA2是脂質代謝相關因子，其能夠通過提高脂蛋白或者載脂蛋白的氧化代謝速度，進而影響到氧化應激反應，加劇神經(jīng)元的凋亡；Hcy是胱氨酸代謝相關因子，其能夠提高氮自由基及氧自由基的釋放水平，提高游離自由基對于神經(jīng)元細胞鞘膜組織的損傷程度；S100β是變性蛋白，其過度的沉積能夠誘導神經(jīng)元細胞膜上ATP能量利用功能的缺陷，加劇神經(jīng)元細胞的電傳導的異常。S100β還能夠影響到神經(jīng)膠質細胞的損傷修復能力，進而影響到腦功能評分，尤其在腦退行性病變中，S100β的表達是導致神經(jīng)元損害的原因之一［10］。

本次研究發(fā)現(xiàn)，在缺血性腦卒中患者，Lp-PLA2、Hcy、S100β表達濃度均明顯上升，而且在并發(fā)VD的患者，升高的更為明顯，提示Lp-PLA2、Hcy、S100β參與了缺血性腦卒中神經(jīng)功能損害的過程，而且在VD的發(fā)生中具有重要的作用［11］。在對不同程度的VD患者比較發(fā)現(xiàn)，認知功能損害較重的患者Lp-PLA2、Hcy、S100β升高明顯，提示其對腦組織的損害，可能是引起認知功能障礙的原因之一。可能與以下機制有關［12-13］：①Lp-PLA2的表達上升能夠提高下游膽固醇的沉積風險，加劇高血脂誘導的神經(jīng)功能損害或者癡呆病情進展；②Hcy的高表達能夠提高下游凋亡小體的濃度，增加腦組織的缺血再灌注損傷，影響到癡呆的病情進展；③S100β的上升能夠提高神經(jīng)元細胞鞘膜組織的完整性，從而導致癡呆患者神經(jīng)電生理功能的障礙。張錢林等［14。三種血清學指標對缺血性腦卒中發(fā)生VD的預測效果分析發(fā)現(xiàn)，Lp-PLA2、Hcy和S100β聯(lián)合檢測對缺血性腦卒中后發(fā)生VD具有較好的預測價值。

綜上所述，在VD患者中，Lp-PLA2、Hcy、S100β等的表達濃度明顯上升，同時Lp-PLA2、Hcy、S100β的表達與VD患者的癡呆程度及精神狀態(tài)評分密切相關，聯(lián)合檢測，Lp-PLA2、Hcy、S100β表達水平對缺血性腦卒中后發(fā)生VD具有較好的預測價值。