萬遠浪,羅貴陽,谷肄靜,張冰瑤,潘新偉,郭 沖,霍永林
(貴州大學材料與冶金學院,貴州 貴陽 550025)

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鈰酸鋇基電解質在SOFC中已被廣泛應用,但是這種材料在CO2和水蒸汽氛圍中的電導率會受到嚴重的影響[4]。鋯酸鋇陶瓷具有良好的化學穩定性、低的熱膨脹系數等優點[11],但其晶界電阻很大影響其電導率較低[5-6]。Baek等[7]用固相反應法制備了BaZr0.8-0.01xPd0.01xY0.2O3-δ(x=0.5,1,2,3),發現BaZr0.77Pd0.03Y0.2O3-δ質子導體在濕潤的氫氣(5%)氛圍中,溫度在600 ℃以下的電導率為8.60×10-3S·cm-1,且致密度達到了96.4%。
本文采用高溫固相法合成BaZr1-xSmxO3-δ電解質,并研究摻雜量對電解質導電性能的影響規律,為中溫電解質研究工作提供理論支撐。
以BaCO3(成都金山化學試劑有限公司,分析純)、Sm2O3(阿拉丁工業有限公司,分析純)和ZrO2(阿拉丁工業有限公司,分析純)作為原料,通過高溫固相法制備摻雜Sm的BaZrO3電解質。首先,ZrO2和Sm2O3在900 ℃的溫度下干燥2 h,BaCO3在100 ℃的溫度下干燥5 h,除去水分。按化學計量比分別稱取適量BaCO3,ZrO2和Sm2O3,與無水乙醇、氧化鋯球混合球磨24 h,氧化鋯球和原料總質量比為3:1,干燥。在1250 ℃的空氣中煅燒粉體10 h,得到BaZr1-xSmxO3-δ粉體。將粉體壓片,在280 MPa下冷等靜壓5 min。最后樣品片在1700 ℃下燒結10 h制備出BaZr1-xSmxO3-δ(x=0.05,0.1,0.15,0.2),下文分別用S1,S2,S3,S4表示。
采用X射線衍射儀(D/Max2500,日本)對所制備的樣品進行結構和物相分析,輻射源為Cu-Kα(波長為0.154 nm),外加電流為40 mA,加速電壓為40 kV,掃描速度為4°/min,掃描角度2θ范圍為10~90°。
所有樣品在測試前均需打磨且涂抹導電膠銀膏0.28 mm2,并與電化學工作站相連進行EIS測試。分別在空氣或含有4%H2O的H2混合氣中,溫度區間為500~800 ℃,溫度每間隔50 ℃進行測試電阻,計算電導率。
圖1為S1、S2、S3和S4的XRD譜圖。可見,所有樣品的衍射峰均清晰尖銳,表明煅燒后的材料具有良好的結晶度,與標準PDF卡片(空間點群為Pm-3m,PDF#06-0399)對比,可得所有樣品的峰位都與標準PDF卡片的峰位保持一致,說明所制備的樣品都保持一樣的晶體結構,并且隨著Sm元素摻雜量的增加,沒有出現其他明顯的雜質峰,表明Sm3+取代Zr4+的位置,成功摻雜到基體的晶體結構中并保持完好的立方鈣鈦礦結構。

圖1 BaZr1-xSmxO3-δ電解質XRD圖Fig.1 XRD pattern of BaZr1-xSmxO3-δ electrolyte
分別在空氣和4% H2O/H2下測試阻抗,計算電導率,所得Arrhenius曲線如圖2、圖3所示,隨著溫度的升高,電導率隨著增大,而且Arrhenius曲線呈線性趨勢,這說明兩種氣氛下的離子擴散行為是熱激活所導致的。隨著Sm摻雜量的增加,電導率隨著增大。當摻雜量為0.15時,兩種氣氛下的電導率都達到了最大值,隨著摻雜量的繼續增加,材料的電導率下降。這是由于塊體材料中,質子的傳導依靠氧空位缺陷的傳輸,其傳輸機制是相鄰氧空位的旋轉擴散機制,隨著摻雜量的升高,氧空位濃度升高,電導率也隨之增加,這表明Sm摻雜可以有效為BaZrO3材料的晶體結構中產生氧空位傳輸通道,載體便通過這些通道進行傳導,加快離子的傳輸,提高導電性能。當Sm2O3摻雜量較小時,材料中氧空位增加的數量并不明顯,而當摻雜量達到一定值以后,可使得增加的氧空位傳輸通道充裕,此時材料的電導率達到最大值。而隨著氧空位濃度的繼續增加,電導率降低,這是由于當氧空位達到一定濃度時,更多的氧空位將會導致缺陷締合現象產生[8],使得部分氧空位失效,導致電導率出現下降現象。圖2和圖3對比可以看出,在空氣氣氛下的電導率明顯比在4%H2O/H2氣氛下略高,這是由于在空氣氣氛下存在電子空穴電導和離子電導,而在4%H2O/H2氣氛下,H2O的存在抑制了電子空穴的傳導,所以導致比在空氣氣氛下的電導率略低,這也表明在兩種氣氛下的傳輸方式主要是依靠離子傳導。

圖2 BaZr1-xSmxO3-δ電解質在空氣氣氛下的Arrhenius曲線Fig.2 Arrhenius curve of BaZr1-xSmxO3-δ electrolyte in air atmosphere

圖3 BaZr1-xSmxO3-δ電解質在4%H2O/H2氣氛下的Arrhenius曲線Fig.3 Arrhenius curve of BaZr1-xSmxO3-δ electrolyte in 4%H2O/H2 atmosphere
本文采用高溫固相法制備BaZr1-xSmxO3-δ電解質材料。XRD結果顯示所有樣品都保持完好的立方鈣鈦礦結構。電學性能結果顯示,Sm摻雜可以有效地降低材料總阻抗,提高總電導率,隨著摻雜量的增大,電導率先增大后降低。S3在空氣和4%H2O/H2下都有最大電導率。因其具有良好的化學穩定性,可以作為一種中高溫固體電解質材料。