柯雄,李淑娟,陳佳輝,陳日耀,3,劉耀興,3
(1.福建師范大學 環境科學與工程學院,福建 福州 350007;2.山東商業職業技術學院 電子信息學院,山東 濟南 250000;3.福建省污染控制與資源循環利用重點實驗室,福建 福州 350007)
目前,含銅廢水處理法有化學沉淀法[1]、離子交換法[2]、吸附法[3]、濕法還原法[4]、鐵碳微電解法[5]、膜分離法[6]、植物修復法[7]、電化學法[8]等。其中電化學法具有靈敏度高、反應速率快、可控、無二次污染等特點,常被用于去除水體重金屬和有機物[9]。碳納米管(CNTs)具有優越的機械力學性能、導熱導電性能以及易被修飾等特點,在復合材料[10]、航天航空[11]、電子通信[12]、化學醫藥[13]等領域得到了廣泛應用。鈦網(Ti-mesh)因具有物理強度高、化學性以及導電性強等特點,常被用作電極載體[14]。本研究制備了羧基單壁碳納米管的鈦網電極(SWCNTs-COOH@Ti-mesh),利用其去除廢水中的Cu2+。考察應用電壓、電解質濃度、溶液 pH、Cu2+初始濃度等參數對Cu2+去除的影響。
硝酸鈉、硝酸、硫酸、硝酸銅、丙酮、N,N-二甲基甲酰胺(DMF)均為分析純;SWCNTs(比表面積大于380 m2/g,長度5~30 μm,孔徑1~2 nm)、纖維素微孔濾膜(孔徑為450 nm)、40目鈦網均為工業品;實驗用水為蒸餾水和超純水。
CHI630E電化學工作站;DF1720SB5A型直流穩壓電源;ESCALAB 250Xi X射線光電子能譜儀;85-2型數顯恒溫磁力攪拌器;PinAAcle 900F原子吸收分光光度計;SU8000冷場發射掃描電子顯微鏡;DHG-9146A鼓風干燥箱;電解槽(有機玻璃),自制。
1.2.1 Ti-mesh的預處理 將鈦網剪成面積6 cm×4 cm的Ti-mesh,放入濃度0.50 mol/L HNO3中超聲浸洗20 min,去除其表面氧化物。再用丙酮、蒸餾水分別超聲20 min,取出,放置陰涼處晾干,備用。
1.2.2 SWCNTs的氧化處理及電極制備 稱取0.5 g 的 SWCNTs于150 mL三口燒瓶中,加入45 mL H2SO4、15 mL HNO3,在恒溫加熱磁力攪拌器中70 ℃回流反應24 h。用纖維素微孔濾膜過濾,用蒸餾水淋洗至中性。于60 ℃鼓風干燥箱干燥15 h,即可得到SWCNTs-COOH[15]。稱取400.00 mg SWCNTs-COOH 超聲分散于200 mL的DMF中,振蕩形成2.00 mg/L的SWCNTs-COOH-DMF懸浮液。將兩片Ti-mesh作為陰陽極平行插入SWCNTs-COOH-DMF溶液中,施加40 V的直流電壓。由于SWCNTs-COOH在氧化處理后攜帶羥基、羧基和磺酸基等負電荷官能團,其在電場力作用下向陽極移動,并沉積在Ti-mesh表面。沉積5~20 s后取出,置于鼓風干燥箱中(120 ℃)去除有機溶劑,即可得到SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極。
實驗裝置如圖1所示,采用直流電源提供電壓。Ti-mesh為陽極,SWCNTs-COOH@Ti-mesh為陰極,電極間距2.5 cm。磁力攪拌,保持溶液均勻,防止發生濃差極化現象。含Cu2+廢水溶液由Cu(NO3)2配制而成,以NaNO3為電解質。

圖1 銅去除實驗裝置圖
通過原子吸收分光光度計測定每個取樣時間點的樣品中Cu2+濃度。計算Cu2+去除率。
式中C0——Cu2+初始濃度,mg/L;
Ct——Cu2+在t時刻濃度,mg/L。
在pH為6.0,NaNO3濃度為6 g/L,Cu2+初始濃度為52.48 mg/L,SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面SWCNTs-COOH的量為(2.89±0.05)mg條件下,磁力攪拌吸附4 h,考察SWCNTs-COOH對Cu2+的靜態吸附作用,結果見圖2。

圖2 SWCNTs-COOH對Cu2+的吸附量
由圖2可知,經120 min后,Cu2+濃度從52.48 mg/L 緩慢下降到49.90 mg/L,之后趨于穩定。由此可知,SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極上的SWCNTs-COOH對Cu2+有吸附作用,吸附量為 0.13 mg/mg。
在pH為6.0,應用電壓為2.5 V,Cu2+初始濃度為52.31 mg/L,SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面SWCNTs-COOH的量為(2.58±0.05)mg的條件下,考察電解質NaNO3濃度對Cu2+去除的影響,結果見圖3。

圖3 NaNO3濃度對Cu2+去除率的影響
由圖3可知,Cu2+去除率均隨去除時間的增加而增加。NaNO3濃度為1 g/L時,Cu2+去除率僅為27%。NaNO3濃度≥3 g/L時,Cu2+去除率均可達99%以上。這主要因為隨NaNO3濃度的增加,溶液的導電率也會隨之升高,導致Cu2+由溶液遷移到SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面的速率增加,從而使Cu2+在陰極表面被還原去除,因此Cu2+的去除率隨NaNO3濃度的增加而升高。
在pH為6.0,NaNO3濃度為6 g/L,Cu2+初始濃度為49.56 mg/L,SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面SWCNTs的量為(2.56±0.05)mg的條件下,考察應用電壓對Cu2+去除的影響,結果見圖4。

圖4 應用電壓對Cu2+去除率的影響
由圖4可知,Cu2+去除率隨應用電壓的增加而升高。當應用電壓為2.5 V時,Cu2+去除率高達99%。因為隨著應用電壓的增加,Cu2+離子受到的電驅動力作用也會增大,遷移至SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面的Cu2+量增加,使得陰極表面更多的Cu2+還原為銅原子,提高了Cu2+的去除率。
在應用電壓為2.5 V,NaNO3濃度為6 g/L,Cu2+初始濃度為51.16 mg/L,SWCNTs-COOH@Ti-mesh表面SWCNTs-COOH的量為(3.05±0.05)mg的條件下,考察pH對Cu2+去除率的影響,結果見圖5。

圖5 pH對Cu2+去除率的影響
由圖5可知,前60 min反應時間內,各pH條件下的Cu2+去除速率快。60 min后,各pH溶液中的Cu2+去除率為89%~98%。處理120 min后,各pH條件下的Cu2+去除率均達到100%。理論上pH越高,越有利于Cu2+的去除。這是因為pH越高,溶液中阻礙Cu2+遷移到陰極表面的H+濃度會越低,就會使越多的Cu2+在陰極被還原去除。
在pH為6.0,應用電壓為2.5 V,NaNO3濃度為6 g/L,SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面SWCNTs-COOH的量為(3.25±0.05)mg條件下,考察Cu2+初始濃度對Cu2+去除率的影響,結果見圖6。

圖6 Cu2+初始濃度對Cu2+去除率的影響
由圖6可知,在25 mg/L及50 mg/L的初始濃度條件下,Cu2+最終去除率均可達100%。當Cu2+初始濃度為200 mg/L時,在120 min的處理時間內,Cu2+去除率僅為74%。這是因為當Cu2+初始濃度較高時,由于陰極表面上SWCNTs-COOH的還原點位數量一定,在相同的處理時間內,就會有部分的Cu2+無法得到電子被去除,從而導致Cu2+去除率隨Cu2+初始濃度的增加而降低。
2.6.1 XPS分析 為考察SWCNTs-COOH@Ti-mesh表面Cu2+的價態,對反應后電極進行XPS分析,結果見圖7。

圖7 SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面Cu2+XPS能譜圖
由圖7可知,陰極上呈現一明顯結合能峰,表明Cu2+在陰極表面被去除。該峰出現在932.5 eV附近,經過與標準結合能譜對比,發現是Cu2p3/2峰,表明SWCNTs-COOH@Ti-mesh上的銅為零價。同時發現,在電化學處理銅后,陰極表面形成一層紫紅色鍍層。由XPS分析可知,電化學處理Cu2+時,Cu2+還原為銅原子并沉積在陰極表面被去除。由于陰極表面沉積有SWCNTs-COOH,電極的真實比表面積增大,這就使Cu2+在電極表面更容易結合電子從而被還原。同時SWCNTs-COOH為銅原子沉積在陰極表面提供了更多的沉積點位,最終使Cu2+的去除率升高。
2.6.2 CV分析 為進一步驗證Cu2+在陰極被還原,以SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極為工作電極,鉑片為對電極,Ag/AgCl為參比電極,在掃描速率50 mV/s,電解質NaNO36 g/L條件下,對50 mg/L含Cu2+溶液進行CV分析,結果見圖8。

圖8 正向掃描循環伏安曲線
由圖8可見一明顯的Cu2+氧化電流峰,說明電化學處理過程中陰極表面有Cu2+還原并沉積。因此,正向掃描CV的實驗結果中有Cu2+的氧化電流峰出現,其反應方程參照如下。
Cu2++2e-→Cu
Cu-2e-→Cu2+
CV分析結果與XPS分析結果相符合,說明Cu2+是在陰極表面還原成銅原子,并沉積在SWCNTs上被去除。
為了評估電極在實際應用中的可行性和探究Cu2+在陰極表面的去除機理,在pH為6,應用電壓為2.5 V,NaNO3濃度為6 g/L,Cu2+濃度為63.58 mg/L,SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面SWCNTs-COOH的量為(2.96±0.05)mg條件下,電遷移120 min后,對電極進行施加反向電壓、撤除應用電壓和酸浸3種方式再生處理,結果見圖9。
由圖9可知,施加反向電壓,Cu2+濃度出現先增加后減小的趨勢,這是因為被雙電層吸附在陰極表面的Cu2+重新回到溶液中,使溶液中Cu2+的濃度升高,然后在新電場力作用下,在新的陰極上被去除。所以,該方法不能使電極再生。

圖9 SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極再生過程中Cu2+濃度的變化
撤除應用電壓,Cu2+濃度緩慢增加后趨于平穩,最終濃度為47.20 mg/L。這主要是因為此方法使被雙電層吸附在陰極表面的Cu2+返回至溶液中,卻無法使陰極上的銅原子從電極上脫除。因此,這種方法無法使電極完全再生。
將溶液pH用濃HNO3調至0.8,發現在40 min之后,溶液中Cu2+濃度基本就可以達到其原始濃度。60 min再生后,溶液中Cu2+濃度為63.41 mg/L。這說明銅原子可溶解于強酸性條件下,說明這種方法可以簡單使處理銅后的電極再生。
利用電泳沉積法制備SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極,并用其為電極對廢水中的Cu2+離子進行去除。由Cu2+的去除機理可知,Cu2+的去除是在SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極表面形成吸附雙電層及還原成銅原子而被去除。相比于Ti-mesh,SWCNTs-COOH@Ti-mesh對廢水中的Cu2+離子去除效果更好。Cu2+去除的最佳條件為:當應用電壓為2.5 V,溶液pH為6.0,NaNO3濃度為6 g/L。使用過的SWCNTs-COOH@Ti-mesh電極通過酸浸的方式可進行再生。