郭強強,劉寶文,王雪淳,張曉鑫
(唐山師范學院 化學系,河北 唐山 063000)
長余輝發光材料被定義為是一類對環境無污染,可以節約電能的創新型照明材料。它普遍被人們用于發光涂料、標識指示、低度照明等,在我國古代就有明月珠和夜光杯的記載,這些都是長余輝發光材料[1]。隨著長余輝材料的研究與發展,大量新型長余輝材料應運而生,如長余輝玻璃、陶瓷等[2]。其在傳統的照明、消防安全和軍事信息等范疇的應用也越來越廣泛[3]。硅酸鹽體系中以Na2Ca3Si2O8為基質的熒光粉,存在著熒光特性好、Ca2+離子格位易取代且化學性質穩定等優點,廣受科研工作者的青睞。傅胤榮等[4]研究了Tb3+離子在Na2Ca3Si2O8基質中的發光性質,其結論是Tb3+離子的摻雜量對該材料的能級躍遷有明顯影響。改變Tb3+離子的摻雜量可改變發射光的顏色,因此在多彩熒光粉中具有重要的應用。
Wei Lu等[5]研究了多摻Na2Ca3Si2O8熒光粉,在材料中摻雜了稀土Tb3+,Mn2+離子,通過控制Tb3+,Mn2+的摻雜量,得出 Tb3+-Mn2+兩者之間存在著能量傳遞現象的結論。調節Mn2+離子的摻雜量,該樣品的發射光可以由藍光調至紅光。弓中強等[6]通過高溫固相法在CO還原氣氛下合成了一系列熒光粉,運用熒光壽命分析的表征方法,得知Tb3+-Sm3+和Tb3+-Eu3+之間也存在能量傳遞,兩者的發射光顏色皆可通過改變摻雜離子的摻雜量進行調節,前者可由黃綠色漸變為白光。后者可由黃綠色漸變為黃光再到紅光。
論文采用高溫固相法合成了以硅酸鹽為基質,摻雜Ce3+離子的Na2Ca3-xSi2O8熒光粉,對其發光性能及其外貌做進一步的探究
通過高溫固相法成功合成一系列單摻雜Ce3+的Na2Ca3Si2O8晶體粉末樣品。使用CaCO3(99.0%)、SiO2(99.0%)、Na2CO3(99.8%)and Ce2O3(99.99%)作為原材料,根據Na2Ca3-xSi2O8:xCe3+的標稱化學組成決定起始物料的質量,然后使用酒精作為潤濕介質,在瑪瑙研缽中徹底濕磨樣品。在1200℃下的還原性氣氛中,用管式爐煅燒樣品5h。最后讓樣品在爐內冷卻到室溫,研磨成微粒進行后面的測定。
2.1.1 摻雜Ce3+熒光粉的形貌
圖1為摻雜Ce3+熒光粉在不同放大倍數下的掃描電鏡圖。從圖中可以看出,該試樣的形貌不規則且粒徑分布不均勻,增大電鏡倍數可以看出材料的表面較為光滑,其表面上散落的細微顆粒是其自身的顆粒,形成原因是制備過程中研磨導致的。

圖1 Na2Ca2.97Si2O8:0.03Ce3+掃描電鏡圖
Fig.1 SEM photographs of Na2Ca2.97Si2O8:0.03Ce3+
2.1.2 摻雜Ce3+熒光粉的發光性能

圖2 Na2Ca3-xSi2O8:xCe3+的激發光譜圖
圖2為摻雜Ce3+熒光粉的激發光譜圖,用405nm的發射波長激發每個樣品得到。整個激發光譜由三個激發峰組成,分別是位于245,289,339nm的寬帶激發峰。波長范圍分別在220~260nm、260~310nm、310~380nm內。在激發光譜圖中,其波長范圍和激發峰的形狀是完全一致的,激發光的強度卻是不同的。這與Ce3+離子的摻雜量有很大程度的關系,當其稀土離子摻雜量增加時,發光強度先是增強隨后減弱,樣品Na2Ca2.97Si2O8:0.03Ce3+,達到最大值。

圖3 Na2Ca3-xSi2O8:xCe3+的發射光譜圖
圖3是摻雜Ce3+離子的Na2Ca3Si2O8熒光粉的發射光譜圖,圖中所示為Ce3+離子摻雜量不同的樣品在340nm的激發波長下,在350~600nm的波長范圍內,存在一個寬峰。摻雜量不同,峰的位置發生了小幅度的移動,隨著Ce3+離子的增加,峰的位置由401nm移動到410nm,說明發生了紅移。上述現象可能是因為Ce3+離子數目的增多,促進Ca2+離子的格位被Ce3+離子取代并在晶格中生成無序O2-空位,使晶格扭曲,能級劈裂從而導致光譜發生紅移[7]。

圖4 Ce3+的摻雜量對樣品發光強度的影響
圖4為Ce3+離子摻雜量對熒光粉發光強度的影響規律示意圖。從圖中可以看出,以摻雜量x=0.03為分界點,該類熒光粉發生了熒光淬滅現象。其原因大致相同,過高的離子數量反而增加了能量的消耗,使其發光強度降低。

圖5 Na2Ca3-xSi2O8:xCe3+長余輝發光衰減曲線
圖5是在室溫下檢測的Na2Ca3-xSi2O8:xCe3+熒光粉的余輝衰減曲線。從圖中可以看出Ce3+離子的摻雜量對其余輝衰減有較大的影響。在緩慢衰減階段持續時間最長的是摻雜量為x=0.03的樣品。通過非線性擬合出的衰減常數也可以解釋,由下式得出:
I=At-n
式中,I為激發結束t時后的發光強度;衰減常數用n表示。當衰減常數n值越小時,其余輝時間越長。
從圖5中可看出,Ce3+的摻雜濃度對于長余輝發光的衰減現象產生了很大影響。原因可能離子取代后會導致晶胞產生比較嚴重的變形,這種變形會導致電子陷阱的密度變大,而電子陷阱的密度以及深度與長余輝材料的余輝時間密切相關,密度越大、深度越深,材料的余輝時間就越長。但過多的取代可能造成晶體的變化,從而余輝時間變短。還可用衰減常數說明,如表1所示,x=0.03時,n值最小,余輝時間最長。

表1 試樣的衰減常數
Ce3+離子摻雜的Na2Ca3Si2O8長余輝熒光粉,微觀粒子出現團聚現象且結構復雜。隨著Ce3+離子摻雜量的增加,該熒光粉發光性能提高,當x=0.03時,樣品發光強度達到最大。之后隨著Ce3+離子的摻雜量增加,發光強度逐漸減弱,有熒光濃度淬滅現象發生。通過非線性擬合出衰減常數,表明x=0.03時余輝時間最長。總之,摻雜比例為Na2Ca2.97Si2O8:0.03Ce3+的熒光粉為最佳樣品。