7nm+EUV工藝大規模量產EUV光刻機能否走出一波行情

諸玲珍

臺積電近日宣布，已經開始了7nm+Euv工藝的大規模量產，這是該公司乃至整個半導體產業首個商用Euv極紫外光刻技術的工藝。作為Euv設備唯一提供商，市場預估荷蘭ASML公司籍此Euv設備年增長率將超過66%。這個目標是否能實現？Euv工藝在發展過程中面臨哪些挑戰？產業化進程中需要突破哪些瓶頸？

EUV設備讓摩爾定律再延伸三代工藝

EUV光刻機在5nm及以下工藝具有不可替代性，在未來較長時間內應用EUV技術都將成為實現摩爾定律發展的重要方向。

光刻是集成電路生產過程中最復雜、難度最大也是最為關鍵的工藝，它對芯片的工藝制程起著決定性作用。193nm浸沒式光刻技術自2004年年底由臺積電和IBM公司應用以來，從90hm節點一直延伸到10nm節點，經歷了12年時間，是目前主流的光刻工藝。但是進入7nm工藝后，它的制約也越來越明顯，因此EUV工藝堂而皇之走上舞臺。

全球E13V光刻技術的研發始于20世紀80年代，經過近40年的發展，EUV技術從原理到零部件再到原材料等已經足夠成熟，并且在現階段的產業應用中體現了較明顯優勢。

賽迪智庫集成電路研究所王珺在接受《中國電子報》記者時表示，極紫外光（EUV）短于深紫外光（DUV）的波長，這讓EUv光刻技術的應用顯著提升了光刻機曝光分辨率，進而帶動晶體管特征尺寸的縮減。制造企業在28nm及以下工藝的解決方案使用浸沒式和多重曝光技術。但是進入7nm工藝，DUV的多重曝光次數增長太多，讓制造成本、難度、良率、交付期限均顯著惡化。在關鍵層應用EUV光刻技術，從而減少曝光次數，進而帶來制造成本與難度的降低，這讓EUV光刻技術具備了足夠的生產價值。……