NaOH溶液濃度對激光刻蝕多晶硅片表面織構的影響

賈子凡，宋建宇，肇偉懿

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NaOH溶液濃度對激光刻蝕多晶硅片表面織構的影響

*賈子凡，宋建宇，肇偉懿

(沈陽理工大學理學院，遼寧，沈陽 110159)

利用掃描電鏡表征硅片樣品的表面形貌，用光譜儀測試硅片的反射率，并且用少子壽命測試系統測試硅片電學性能，研究了在進行多晶硅太陽能電池表面織構過程中NaOH溶液濃度對其的影響，結果表明：NaOH溶液濃度選擇10%時，有效清除多晶硅片表面缺陷的同時，硅片表面織構減反射效果顯著，并能兼顧硅片電學性能。

表面織構; 激光刻蝕; 太陽能電池多晶硅片; 溶液濃度

0 引言

利用太陽能電池進行光電轉換是利用太陽能最有效的手段[1]。對于占太陽能電池市場主體地位的多晶硅太陽能電池來說[2]，對硅片表面進行織構處理能夠有效減少硅片表面的光反射，從而提高太陽能電池的光電轉換效率[3]。隨著激光技術的發展和成熟，使用激光對多晶硅太陽能電池表面進行織構化處理成為研究熱點[4-10]。隨著激光技術的不斷成熟，激光刻蝕成為構造多晶硅表面織構的一種重要手段。J. C. Zolper等[4]在1989年首先利用激光交叉刻槽方法制備出完整多晶硅太陽能電池。Malcolm Abbott等[6]在2006年采用新的激光點刻蝕方案制備出雙面刻槽埋柵的太陽能電池。2007年Kurt W. Kolasinski等[7]應用飛秒激光燒蝕和濕法化學刻蝕在單晶和多晶硅上制備了大于1 cm2的周期性的尖峰壯形貌結構，使表面變成黑色，減少了光反射率。L.A. Dobrzanski[8]借助Q-Switched Nd:YAG 激光直寫與KOH溶液化學濕法腐蝕相結合的方法，對多晶硅進行平行掃描和垂直掃描制備類金字塔結構。……