RADECSWorkshop2018暨第二屆電子器件輻射效應國際會議在京召開

部分參會專家、領導

2018年5月16日至18日，“RADECSWorkshop2018暨第二屆電子器件輻射效應國際會議”在北京成功召開。本次會議旨在構建高端學術交流合作平臺，助推航天強國建設，引領元器件抗輻射專業創新發展。會議由中國航天電子技術研究院主辦，北京微電子技術研究所和哈爾濱工業大學承辦。RADECS（Radiation Effects on Components and Systems）是國際輻射加固領域最重要的權威學術組織之一，本次RADECSWorkshop是第一次在中國舉辦，也是第一次在非歐洲國家舉辦。

RADECS高度重視在中國舉辦的本次會議，派出了由多名專家組成的專業代表團參會。中國航天科技集團有限公司副總經理王海波、科技委副主任江帆、國際業務部副部長郭建平，中國航天電子技術研究院副院長王燕林、科技委原主任謝天懷、科技委副主任趙元富，北京時代民芯科技有限公司副總經理王勇，哈爾濱工業大學副校長郭斌等領導出席會議。中國科學院、中國電子科技集團有限公司、哈爾濱工業大學等60余家單位參會，共有來自15個國家的260余名專家、學者和代表應邀參加了本次會議。趙元富副主任作為大會主席主持了會議。

開幕式上，王海波副總經理發表了題為《中國航天的成就與發展》的主題演講，重點介紹了中國航天在獨立自主、自力更生發展歷程中取得的偉大成就，展望了中國航天科技集團有限公司在創建航天強國建設中“開放包容、合作創新”的發展前景，并結合《筑夢航天》視頻專題介紹了中國航天抗輻射加固元器件的技術發展和取得的豐碩成果。王燕林副院長、郭斌副校長分別致辭，對國內外科技專家、學者表示熱烈歡迎。

會上，16位專家作了報告。趙元富副主任作了題為《納米級集成電路抗輻射加固挑戰和策略》的主題報告。范德堡大學教授KennethGalloway等3位美國知名專家介紹了美國SiC功率器件輻射相關可靠性、新型材料器件（如高K柵堆疊FinFET、SiC/GaN等化合物半導體、石墨烯等二維材料等）的輻射效應以及雙極器件的輻射效應建模等研究成果?？罩锌蛙嚰瘓F防務與航天公司Renaud Mangeret等6位歐洲專家介紹了歐洲有關國家的抗輻射發展情況。大會聯合主席、哈爾濱工業大學李興冀教授、中國科學院微電子所畢津順研究員、西北核技術研究所陳偉研究員、中國空間技術研究院物資部唐民研究員、哈爾濱工業大學鄂鵬教授共5位中國專家交流了雙極器件電離和非電離的協同效應、非易失存儲器輻射效應、中子誘發單粒子效應等研究成果。

在專題研討環節，按照輻射效應的機理及建模、新型器件和電路的輻射效應、抗輻射加固方法和輻射加固保證與評估等 4個專題分類，對5篇特邀報告和38篇學術論文進行了分組研討。此外，55篇學術論文以海報形式進行了展示，論文作者與參會嘉賓進行了深入的探討與交流。同時，會議代表參觀了航天科技工業成果展。

元器件和電子系統的輻射效應及加固技術研究始終是微電子技術領域的制高點，也是衡量一個國家航天技術水平的重要標志。近年來，隨著我國航天微電子技術迅速發展，已基本實現了航天元器件的自主可控。本次會議進一步加強了抗輻射專業國際化交流平臺建設，促進了專業技術的創新與發展，保持了RADECS一貫的專業技術水準。同時，本次會議展示了中國航天獨立自主的發展道路及取得的偉大成就，得到了國外專家的高度評價，增進了與中國合作的意愿。