楊 梅,吳 菊,劉加麗,李孟培,方 青,葛媛媛
(1.皖西學院 材料與化工學院,安徽 六安 237012;2.安徽仿生傳感與檢測技術省級實驗室,安徽 六安 237012)
生活中引發鎘中毒的實例很多,如吸入了含有隔粉塵的細小顆粒物,在鎘生產線旁吃飯,未能保持實驗室正常的空氣流通等等。由此引發的一系列鎘中毒的發生,如由于誤食含有鎘的食物引發的惡心、腹痛、腹瀉、肌肉酸痛。最不易被發現的便是慢性鎘中毒,由于長期生活在含有鎘的環境中,未能及時地察覺到潛在的危險,時間久了會對人體的腎臟、肺部及骨骼造成嚴重的傷害,如“痛痛病”、腎結石、肺功能衰退等。因此環境中鎘的檢測是非常重要的。目前測定鎘含量的方法有很多,主要有石墨爐原子吸收光譜法(GFAAS)、電感耦合等離子體質譜法(ICP-MS)、膠體金免疫層析試驗測定法(GICA)等,然而這些方法復雜且不便于運用到實際的生產活動中[1]。而電化學方法由于操作方便,靈敏度高被廣泛地用于重金屬地痕量檢測[2-4]。
筆者在玻碳電極上電沉積納米金,利用自組裝方法將二茂鐵醛縮鄰氨基巰酚shifft堿修飾在納米金表面制備二茂鐵醛縮鄰氨基巰酚shifft堿修飾玻碳電極。利用二茂鐵的富電子特性,建立運用方波伏安法檢測溶液中Cd2+的新方法。研究發現在酸性介質中,該修飾電極對Cd2+有很好的電化學響應,可以用于環境中Cd2+的痕量檢測[5]。
紅外光譜儀(ThermoFisherIS5),電化學工作站(CHI630E型),紫外分光光度計(TU-1950型),三電極體系:以Fc-C=N-C6H5S修飾電極作為工作電極,飽和甘汞電極作為參比電極,鉑絲電極作為為對電極[6]。
二茂鐵甲醛、鄰氨基苯硫酚、氯金酸、鹽酸、硝酸、硫酸、無水乙醇、硝酸鎘等試劑均為分析純,實驗用水均為二次蒸餾水[7]。
1.3.1 制備 Fc-C=N-C6H5S
合成路線如下:

二茂鐵醛縮鄰氨基巰酚shifft堿合成方法參見文獻方法合成[8]。
1.3.2 Fc-C=N-C6H5S的紅外、紫外表征
利用ThermoFisherIS5紅外光譜儀和TU-1950型紫外分光光度計對二茂鐵醛縮鄰氨基巰酚shifft堿分別進行紅外和紫外表征。
1.3.3 Fc-C=N-C6H5S修飾電極的制備
將玻碳電極依次用0.3μm和0.05μm的粉末拋光成鏡面后,分別用乙醇和水超聲清洗后,用氮氣流吹干。將處理后的玻碳電極放在5mmol的氯金酸溶液中在-0.6V-+0.6V電位下利用循環伏安法掃描6圈電沉積納米金,再將電極用蒸餾水清洗,氮氣流吹干后放入含有2mmol/L二茂鐵醛縮鄰氨基巰酚shifft堿的乙醇溶液中浸泡24小時后取出電極,蒸餾水洗滌,氮氣吹干即制得Fc-C=N-C6H5S修飾電極。

圖1 Fc-C=N-C6H5S修飾電極的制備
將 Fc-C=N-C6H5S修飾電極、甘汞飽和電極和鉑絲電極組成的三電極體系含
有不同濃度Cd2+的0.1mol/LHNO3支持液的電解池中,在-0.2-+0.8V的電位范圍內,陰極富集,于富集電位為-0.2V,靜置時間為120s條件下進行方波伏安法掃描,記錄峰電流[9]。
圖2是Fc-C=N-C6H5S紅外光譜圖,從圖中可以看出波數1635 cm-1說明形成了-C=N鍵。波數為3053cm-1、1410 cm-1、1036cm-1的峰是二茂鐵的特征吸收峰。波數為1480 cm-1是苯環的骨架振動峰,845 cm-1的吸收峰說明苯環上有兩個相鄰氫。波數2574cm-1是巰基的吸收峰[10]。

圖2 Fc-C=N-C6H5S的FTIR圖譜
從圖3可以看出在230nm的吸收峰是二茂鐵基團紫外吸收峰,205nm,270nm的吸收峰是-C=N基團的紫外吸收峰,說明二茂鐵甲醛和鄰氨基苯硫酚發生了shifft堿反應。

圖3 Fc-C=N-C6H5S的UV圖譜
考察了不同支持電解質對電化學響應的影響,實驗結果表明不同支持電解質對于Cd2+的檢測有較大影響。圖4說明在含有1.0×10-7mol/L Cd2+的0.1mol/LHNO3、H2SO4和HCl的方波伏安曲線。結果表明Cd2+在0.1mol/LHCl溶液中響應電流最大。進一步考察了不同濃度的HCl對Cd2+的檢測的影響,圖5說明在含有1.0×10-7mol/L Cd2+的0.1mol/L、0.01mol/L、0.001mol/L HCl的方波伏安曲線[11],結果表明Cd2+在0.1mol/LHCl溶液中響應電流最大,實驗選擇0.1mol/L HCl作為支持電解質。最后討論了富集時間對Cd2+的檢測效果,選擇120秒作為富集時間。

圖4 不同支持電解質對鎘離子的方波伏安曲線的影響

圖5 不同濃度電解質對鎘離子的方波伏安曲線的影響
在最佳實驗條件下,得出修飾電極對Cd2+檢測的方波伏安圖(見圖6A)。實驗表明Cd2+在2nM-80nM濃度范圍內與陽極氧化峰電流呈較好的線性關系(見圖6B),線性方程為i(μA)=0.0227c(nM)+2.8942、相關性系數R=0.997,檢出限是0.95 nM。對20 nM Cd2+的平行測定8次,其相對標準偏差(RSD)為3.6%,表明修飾電極對Cd2+的測定具有較好的重現性[12]。實驗發現, Fc-C=N-C6H5S修飾電極具有較好的穩定性,在室溫下放置10天后再用此電極對20 nM Cd2+進行檢測,RSD為4.9%。

圖6 不同濃度Cd2+在0.1mol/L HNO3中的方波伏安曲線(A)和Cd2+工作曲線(B)
考察了常見無機離子對測定的影響,在20nM Cd2+溶液中加入200 nM Na+、K+、Zn2+、Ca2+、Pb2+、Hg2+、A13+、Cl-、SO42-、NO3-,結果表明對Cd2+的檢測影響較小,說明這種方法具有較好的選擇性。
用Fc-C=N-C6H5S修飾電極分別對高、中、低三種樣品中的Cd2+進行檢測,每組樣品平行測定6次,進行加標回收實驗,實驗結果見表l。表1結果表明本方法回收率為96.7%~102.1%,相對標準偏差為2.7%~3.2%,說明該修飾電極可以用于常規樣品的測定[13]。

表1 加標回收實驗結果
筆者采用電沉積和自組裝方法制備了Fc-C=N-C6H5S修飾電極,利用Fc-C=N-C6H5S的富電子特性結合方波伏案法建立了一種靈敏、高選擇性的檢測痕量Cd2+離子的新方法,研究了Cd2+在修飾電極上的電化學行為,修飾電極響應快速、檢出限低,具有較好的穩定性和重現性。因此,Fc-C=N-C6H5S修飾電極可用于的實際樣品中Cd2+的檢測。
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