Ⅱ-Ⅵ在5G無線領(lǐng)域取得硅薄膜金剛石技術(shù)新突破

美國時間1月4日，工程材料和通信器件領(lǐng)導(dǎo)者II-VI公司宣布，一項應(yīng)用在5G無線通信領(lǐng)域的硅薄膜金剛石技術(shù)獲得突破，這項成果是在與美國南佛羅里達州大學(xué) (USF)的聯(lián)合研究中獲得的。

如今，移動通信設(shè)備商正計劃用5G無線技術(shù)來提高他們的高速寬帶服務(wù)，比起現(xiàn)有技術(shù)所能達到的性能，大帶寬和高功率器件的需求將更加急迫。Ⅱ-Ⅵ公司和USF聯(lián)合研究完成了項目的第一階段，這個研究項目最早于2016年6月啟動，旨在希望通過使用硅薄膜金剛石技術(shù)來發(fā)展一種新技術(shù)平臺，讓下一代高速電子器件能夠運用在5G手機中。

Ⅱ-Ⅵ公司平臺技術(shù)發(fā)展孵化部門總經(jīng)理Dr. Wen-Qing Xu表示：“盡管Ⅱ-Ⅵ公司是工程材料和通信薄膜技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，但我們與USF的合作將加快技術(shù)的創(chuàng)新，幫助我們在5G無線器件市場爆發(fā)前做好充分準備。”

據(jù)了解，Ⅱ-Ⅵ公司和USF的合作研究獲得來自佛羅里達高新通路委員會MGRP的補助支持，研究將關(guān)注原型器件的特點和器件設(shè)計、建模與制造。

佛羅里達州電子工程學(xué)院副教授Dr. Jing Wang表示：“通過這項合作研究，USF的研究團隊可以提升在微機電硅薄膜金剛石領(lǐng)域的專業(yè)度，同時可以快速向II-VI公司提供技術(shù)方案。MGRP對本項目的支持，也是近年來十多個項目之一。”

對II-VI公司來說，新硅薄膜金剛石技術(shù)平臺將完善該公司在高速無線應(yīng)用領(lǐng)域GaAs和SiC工程材料的產(chǎn)品組合。 (Iccsz訊)