晶體管陣列老煉時結溫測量方法研究

呂賢亮，麻 力，任 翔，孫 明

（中國電子技術標準化研究院 基礎產品研究中心，北京 100176）

研究與試制

晶體管陣列老煉時結溫測量方法研究

呂賢亮，麻 力，任 翔，孫 明

（中國電子技術標準化研究院 基礎產品研究中心，北京 100176）

對PNP晶體管陣列采用矩陣熱阻法和溫度敏感參數法（TSP）兩種結溫測量的方法進行對比分析研究，并采用紅外熱像進行試驗驗證。結果表明，采用矩陣熱阻法可以綜合考慮各芯片之間的耦合作用，但由于矩陣熱阻法試驗程序較為復雜，且需要多次換算，從而較容易引入誤差。而溫度敏感參數法操作簡單，測量準確，可以實現實時監測陣列管工作狀態下的結溫。

晶體管陣列；老煉；結溫；溫度敏感參數；矩陣熱阻；紅外熱像

電子器件在功率老煉時通常要求在最高結溫TJmax下進行[1-2]，其老煉的難點和重點均為結溫的測量。現今對于分立器件結溫測量的研究主要集中在單芯片器件，而對多芯片器件的研究則相對較為匱乏。單芯片器件的結溫測量方法對于多芯片器件又不完全適用。

國內普遍采用熱阻換算的方式來確定器件當前工作狀態下的結溫，這種簡單的熱阻換算方式只適用于單芯片器件，而對于復雜的多芯片器件則無法適用。還有學者提出了通過校溫曲線間接獲得器件結溫的方式[3]，該方法強烈依靠器件校溫曲線的線性度，只能對校溫曲線線性度較好的器件進行測試，另外該方法也只適用于單芯片器件。

對此，國外學者在這方面進行了相應的研究，并提出了一些解決方法。在熱阻方面主要有平均熱阻法[4]和芯片獨立熱阻法[5-6]。該兩種熱阻方法，各自都存在一些不足之處，其中平均熱阻法未考慮器件內部各芯片的熱分配和變化問題，并且只能給出各芯片的平均溫度，不適用于結溫有較大差異的情況；而芯片獨立熱阻法對器件中無功耗的芯片不適用，且該方法未考慮芯片之間的耦合熱傳遞作用[7]。在結溫直接獲得方面，有通過三個直流功率直接獲得器件結溫的方法[8]，但是該方法要求三個功率下器件的結溫必須相同，否則，器件的β或Vbe線性度將會嚴重影響測試準確性。

本文采用了矩陣熱阻法和溫度敏感參數法對晶體管陣列的結溫測量方式進行了研究。前者綜合考慮了芯片之間的熱耦合作用；后者通過結溫和溫度敏感參數的一一對應關系很好地回避了校溫曲線線性度和在線監測的問題。

1 結溫測量方法理論基礎

由于器件的結溫無法直接測量，只能通過間接的方式來獲得器件的結溫。通常器件的結溫獲得方法有熱阻法和溫度敏感參數法兩種。

a）熱阻法

通常器件的結溫測量方法是通過器件的熱阻值來換算，根據熱阻計算公式：

式中：TX指熱阻測試的溫度參考點，當TX為TA時表明溫度參考點為試驗環境，當TX為TC時表明溫度參考點為器件管殼，當 TX為 TL時表明溫度參考點為器件引線，根據不同類型的器件一般采用的溫度參考點為TA或TC；加電功率為PH；結溫為TJ。

通過熱阻公式可得到：

從而只需提前獲得器件的熱阻Rth（J-X）就可以通過加電功率PH和參考點的溫度TX獲得結溫TJ。

b）溫度敏感參數法

根據半導體分立器件內的PN結肖克萊方程[10]，正向電流密度JF：

式中：VF為正向壓降；Js為反向電流密度；q為電子電荷；k為波爾茲曼常數，有：

式中：Dn、Dp為電子、空穴擴散系數；np0、pn0為電子、空穴平衡濃度。Ln、Lp為電子、空穴擴散長度。

通過換算可得：

式中：VG0為熱力學溫度零度時，PN結材料導帶底和價帶頂的電勢差。

從上述公式中可以得到當 PN結材料和正向電流一定的情況下，其正向壓降VF與結溫TJ成一一對應的關系。

因此，對于相同正向電流（此處指的是正向壓降VF的測量電流，而不是工作電流）的器件，可以通過相同的正向壓降VF來表征器件的結溫TJ。

2 實驗及分析討論

以某PNP晶體管陣列（以下簡稱陣列管，見圖1）為例，其老煉試驗條件：t=1000 h，加電功率為VCE=13 V，IC=20 mA，通過調節環境溫度 TA使TJ=150 ℃。

圖1 PNP晶體管陣列結構圖Fig.1 Construction of the PNP transistor array

2.1 矩陣熱阻法

對于多芯片器件，綜合考慮各芯片之間互相的熱耦合作用，可定義某一X芯片的結溫為：

式中：TXi為第i個芯片對目標X芯片的熱影響; TREF為參考點的溫度，從而結合得到：

可得到：

式中：

首先測量圖1中的1號芯片對每個芯片的熱阻值。對1號芯片施加功率為VCB=13 V，IC=20 mA，然后分別測量各芯片的熱阻：R11=314.5 ℃/W，R21=23.1 ℃/W，R31=24.3 ℃/W，R41=20.8 ℃/W。

對剩余3個芯片也同樣處理，最終得到20個熱阻值。把其列成矩陣可得到：

結合器件各芯片的加電功率和式（10）可得到表1。

表1 矩陣法得到的溫差ΔTTab.1 ΔT with matrix test

從表1中可知在環境溫度42～50 ℃時，施加功率 VCB=13 V，IC=20 mA，可以使得器件的結溫TJ=150 ℃。

2.2 溫度敏感參數法

把器件安裝在老煉板上，在不加電的情況下放入高溫箱中，高溫箱的溫度穩定在150 ℃，此時器件的結溫TJ即為高溫箱溫度150 ℃，依次測量器件四個芯片的正向壓降VBE1，測試結果見表2。然后，把高溫箱和器件的溫度降低到35 ℃，使用備用電源分別為三個芯片加電（VCB=13 V，IC=20 mA），待穩定后采用 PHASE12熱阻測試系統對剩下的一個芯片加電（VCB=13 V，IC=20 mA），并測量其正向壓降VBE2。

其中正向壓降 VBE2的測量主要利用了PHASE12熱阻測試系統的快速測試切換功能。它可實現10 μs內在工作狀態和測試狀態之間切換，并準確測量芯片內部寄生二極管的結電壓。

比較VBE2和VBE1的大小后調整高溫箱的溫度，再重復上述步驟測量VBE2，直到VBE2=VBE1。此刻高溫箱的溫度就是老煉時的環境溫度TA。

根據上述步驟試驗，并對比表2后得到表3，當TA=（53±2）℃時，芯片的 VBE2=VBE1，即器件的結溫TJ=150℃。

表2 150 ℃下陣列管正向壓降VBE1Tab.2 VBE1of transistor array at 150 ℃

表3 陣列管溫敏參數法得到的TA及VBE2Tab.3 TAand VBE2of transistor array by using TSP

2.3 試驗驗證

為確定溫敏參數法測得的結溫是否準確，采用紅外熱像測試系統進行試驗驗證。在溫度敏感參數法試驗過程中，在器件的側面固定一熱電偶對器件的殼溫（TC）進行監測，待器件VBE2=VBE1時記錄器殼溫（見表4）。

對開帽后器件的各芯片加電（VCB=13 V，IC=20 mA），通過紅外熱像測試系統的控溫臺控制器件結溫使其平均結溫達到125 ℃（器件內部溫度分布見圖2），此時，對監測點的殼溫進行記錄（見表4）。

從表4中可以看出紅外熱像法和溫敏參數法得到的監測點殼溫基本相同（紅外熱像法由于開帽使得部分熱量通過熱輻射和熱對流散失，而使器件殼溫偏低）。

表4 陣列管殼溫對比Tab.4 Comparison of transistor array tube temperatures

圖2 陣列管紅外熱像圖Fig.2 IR thermal map of the transistor array

2.4 結果分析對比

矩陣熱阻法獲得的老煉試驗條件綜合考慮了陣列管內部各芯片之間的熱耦合作用，從而在理論上可以準確獲得目標芯片的結溫。

但是在實際操作過程中，由于矩陣熱阻法是通過熱阻的測量換算獲得器件的結溫，而芯片之間的耦合熱阻偏小，在測量過程中較易引入測量誤差，并在結溫換算時會把測量誤差擴大，使得最終得到的結溫不準。另外，矩陣熱阻法由于需要對陣列管內部各芯片進行多次測量，從而在程序上較為復雜，將耗費大量人力物力。

溫度敏感參數法是調節環境溫度的同時，通過結電壓 VBE測量器件正常工作狀態下的結溫，由于是一一對應的關系，其測量誤差基本可以避免。該方法可以在老煉試驗過程中對器件結電壓 VBE進行實時監測，從而可以根據需求在老煉過程中有效地調整器件的結溫。另外，紅外熱像法試驗驗證也證實了溫敏參數法可實時監測結溫。

3 結論

器件結溫是否滿足要求，會嚴重影響老煉的可信度和器件壽命預計的準確性。

本文重點針對較為復雜的晶體管陣列，通過理論和實驗分析了矩陣熱阻法和溫度敏感參數法結溫測量方法，并通過紅外熱像法進行了試驗驗證。最終得出：矩陣熱阻法通過矩陣熱阻可以綜合考慮各芯片之間的熱耦合作用，但由于需要多次測量耦合熱阻，試驗程序較為復雜，從而較易引入測量誤差。溫度敏感參數法操作簡單且準確，可以實時監測陣列管正常工作狀態下的結溫，達到對其有效控制的目的。

[1] 國防科工委. GJB 128A——1997半導體分立器件試驗方法 [S]. 北京: 國防科工委軍標出版發行部, 1997.

[2] 國防科工委. GJB 33A-1997半導體分立器件總規范 [S].北京: 國防科工委軍標出版發行部, 1997.

[3] 賈穎, 曾晨暉, 梁偉, 等. 穩態工作條件下功率晶體管結溫的測量與控制 [J]. 封裝測試技術, 2006, 36(1): 35-39.

[4] BAR C. Thermal management of air-and liquid-cooled multiple modules [J]. IEEE Trans Compon hybird manuf technol, 1987, 10(2): 62-65.

[5] SULLHAN R, MONAGHAN T, AGARWAL A. Thermal moduling and analysis of multiple modules [C]// Process of the 7th Annual IEEE Muti-chip Module Conference. NY, USA: IEEE, 1992: 18-22.

[6] JOINER B, ADAMS V. Measurement and simulation of junction to board thermal resistance and its application in thermal modeling [C]//Process of Semitherm. NY, USA: IEEE, 1999: 22-26.

[7] HARVEY I R, CLEMENS J M L. The Development of libraries of thermal models of electronics components for an integrated design environment [G]//Model Generation in Electronic Design. Germany: Springer, 2012: 63-89.

[8] MARSH S P. Direct extraction technique to derive the junction temperature of HBT’s under high self-heating bias conditions [J]. IEEE Trans Electron Devices, 2000, 47(2): 288-291.

[9] SHOCKLEY W. The theory of p-n junctions in semiconductors and p-n junction transistors [J]. Bell Syst Tech, 1949, 28: 435.

（編輯：陳渝生）

Junction temperature measurement method study for transistor array under burn-in

LYU Xianliang, MA Li, REN Xiang, SUN Ming
(Research Center of Foundational Product, China Electronics Standardization Institute, Beijing 100176, China)

According to PNP transistor array, two kinds of junction temperature measurement methods of matrix thermal resistance method and temperature sensitive parameter method (TSP) were analyzed and compared. The results show that the use of matrix thermal resistance method can consider the coupling effect of each chip. However, due to the complexity of the matrix thermal resistance test program, and the need of multiple conversions, it is easier to introduce errors. The temperature sensitive parameter method is simple and accurate, and can realize the junction temperature of the array tube in real time.

transistor array; burn-in; junction temperature; temperature sensitive parameter; matrix thermal resistance; IR thermal map

10.14106/j.cnki.1001-2028.2017.09.006

TN307

A

1001-2028（2017）09-0026-04

2017-06-23

呂賢亮

呂賢亮（1985－），男，浙江義烏人，工程師，主要從事電子元器件的可靠性檢測、熱性能及失效分析研究，E-mail: xianliang_001@163.com 。

時間：2017-08-28 11:08

http://kns.cnki.net/kcms/detail/51.1241.TN.20170828.1108.006.html