一種多晶硅打壓用單相干式變壓器的新型調壓方式

趙忠云,田貴書,劉培新,劉利艷（天津天能變壓器有限公司,天津 300401）

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一種多晶硅打壓用單相干式變壓器的新型調壓方式

趙忠云,田貴書,劉培新,劉利艷
（天津天能變壓器有限公司,天津 300401）

摘 要：介紹了一種多晶硅打壓用單相干式變壓器的負荷特點及工藝要求，分析了新型調壓方式原理及調壓過程并進行了仿真，總結了新型調壓方式的優勢。

關鍵詞：多晶硅打壓變；負荷特點；調壓方式；仿真

1 前言

太陽能是未來最清潔、安全和可靠的能源，光伏發電是國家為改善環境條件、減少大氣污染，大力推廣和支持的光潔電源。多晶硅打壓變是生產光伏發電電池板的核心材料--多晶硅的關鍵設備之一。多晶硅打壓變原有的調壓方式，若采用手動調節不能滿足多晶硅生產的工藝要求，若采用有載分接開關，工藝要求調節頻繁、調節時檔位之間容易容易出現電弧并且產生幅值很大的勵磁涌流（相當于空載合閘），危及打壓變、有載分接開關?，F介紹一種新型調壓方式可以解決上述問題。

2 打壓變技術參數

ZDC-140/10（典型產品）

電壓組合：0.4/12、10.5、3.5、1.6（9、7.875、2.625、1.2）KV ；

輸出電流：15、15、40、87.5A；

短路阻抗：2.5%、2.5%、17%、70% ；

空載損耗：1427W；絕緣等級：F級 溫升：≤100K

3 負荷特點及工藝要求

（1）12（10.5）KV次級電流達到15A時，電壓快速下降至3.5KV；

（2）3.5KV次級電流達到40A時，電壓快速下降至1.6KV；

（3）1.6KV次級電流達到87.5A時，維持87.5A運行。

（4）一個小周期15min,其中12 KV（10.5KV）2min, 3.5KV 3min, 1.6KV 5min, 停頓（空載）5min.

（5）一個大周期120min,其中6個以上的小周期（共90min），6個小周期結束后停頓（空載）30min.

4 調壓原理及過程

4.1 調壓原理T1

其中：1為隔離開關；2為熔斷器；3為雙向可控硅開關；4為低壓繞組，5為靜電屏蔽層；6為鐵芯；7為高壓繞組；8為高壓繞組抽頭；a、x為變壓器輸入端子；a1為低壓繞組端子；a2、a3、a4為低壓繞組抽頭；A、X為變流變壓器輸出端子；A1、X1為高壓繞組抽頭輸出端子。

一次側（低壓）四檔（三個抽頭），二次側（高壓）兩檔（一個抽頭），共有八種輸出電壓；在一次（低壓）側各支路串聯隔離開關、熔斷器及雙向可控硅元件組成的調壓單元，通過改變一次側（低壓）繞組匝數，調整變壓器匝電壓，來完成調節高壓輸出不同電壓的目的。一次側在不同檔位通電時二次側對應的輸出電壓。

4.2 調壓過程：（12kV→3.5 kV→1.6 kV）

4.2.1 由a4支路調至a2支路

（1）控制觸發脈沖,50個周波（1000ms），a4支路雙向可控硅由截止到完全導通。次級（高壓）輸出電壓12kV，電流達到15A，運行2min。

（2）控制觸發脈沖，50個周波（1000ms），a4支路雙向可控硅由導通到完全截止，測量次級（高壓）輸出電壓0V。

（3）停頓25個周波（500ms）。

（4）控制觸發脈沖,50個周波（1000ms），a2支路雙向可控硅由截止到完全導通，完成由a4支路調至a2支路。次級（高壓）輸出電壓3.5kV，電流達到40A，運行3min。

4.2.2 由a2支路調至a1支路

（1）控制觸發脈沖，50個周波（1000ms），a2支路雙向可控硅由導通到完全截止，測量次級（高壓）輸出電壓0V。

（2）停頓25個周波（500ms）。

（3）控制觸發脈沖,50個周波（1000ms），a1支路雙向可控硅由截止到完全導通，完成由a2支路調至a1支路。次級（高壓）輸出電壓1.6kV，電流達到87.5A，運行5min。

（4）控制觸發脈沖，50個周波（1000ms），a1支路雙向可控硅由導通到完全截止，測量次級（高壓）輸出電壓0V。停頓5 min，完成一個小周期。說明：1）高壓12 kV、10.5 kV檔不同時使用，根據生產過程需要僅用一檔；2）10.5kV→3.5 kV→1.6 kV調壓過程同12kV→3.5 kV→1.6 kV。

5 仿真

（1）雙向可控硅從截至到完全導通波形圖（50周波）

（2）雙向可控硅從導通到截至波形圖（50周波）

6 新型調壓方式的優點

（1）安全可靠：低壓可控硅及其控制技術目前已十分成熟，因此利用可控硅作為開關進行的調壓方式安全可靠。

（2）速度：可控硅觸發控制可以精確到毫秒級，考慮到變壓器繞組的電感性，采用50個周波使雙向可控硅逐步導通（截至），確?？煽?。

（3）檔位調節時避免勵磁涌流：通過觸發脈沖控制雙向可控硅逐漸導通，即電壓由0到額定逐漸施加，故不存在換擋時勵磁涌流。

（4）檔位調節時避免電弧：變壓器運行時，低壓側只有一個支路（檔位）通電且可控硅逐步導通（截至），不存在換擋電弧。

7 結束語

本文介紹的多晶硅打壓用單相干式變壓器的新型調壓方式，我公司已獲取國家發明專利，利用其技術我公司已生產近百臺多晶硅打壓變，產品安全可靠、運行良好。

DOI：10.16640/j.cnki.37-1222/t.2016.12.193

作者簡介：趙忠云（1962-），男，山東金鄉人，工程師，研究方向：電力變壓器、特種變壓器研究與開發。