包括埋入式陽極氧化物結構的半導體裝置及其制造方法

申請公布號：CN105789109A

申請公布日：2016.07.20

申請人：英飛凌科技股份有限公司

地址：德國諾伊比貝爾格

發明人：H-J·舒爾策；I·莫德；I·穆里

Int. Cl.：H01L21/762（2006.01）I；H01L21/335（2006.01）I；H01L21/331（2006.01）I；H01L29/78（2006.01）I；

H01L29/739（2006.01）I

優先權：14/594，838 2015.01.12 US

摘 要：該發明涉及一種半導體裝置的制造方法。根據半導體裝置的制造方法，從第一側將第一溝槽形成到半導體本體中。通過將半導體本體浸入電解液中并且在半導體本體與接觸電解液的電極之間施加陽極氧化電壓而在第一溝槽的底側形成陽極氧化物結構。