毛永強,李娜!
(1.遼寧工程技術大學 理學院,遼寧 阜新 123000;2.遼寧工程技術大學 安全科學與工程學院 礦山熱動力災害與防治教育部重點實驗室,遼寧 阜新 123000 )
氧化亞鈷(CoO)作為一種過渡金屬氧化物半導體,因其具有獨特的電學、光學、磁學和化學性能,已被用于光解水、氣敏傳感器、超級電容器及鋰離子電池等領域[1-4]。但單一CoO 納米材料存在表面缺陷不易控制等缺點,因此探索一種基質材料,通過其與CoO 的耦合、協同等作用,滿足實際器件的要求,已經成為人們關注的焦點。近年來,研究者們已經成功制備多種CoO 復合材料,如Co/CoO、Cu/CoO、Au/CoO、CoO/C、CoO/石墨、CoO/ZnO、CoO/Fe2O3、CoO/TiO2、CoO/CeO2、CuO/CoO/CeO2、CoO/Li2O、CoFe2O4/CoO、Li2O/NiO/CoO、Cu2O/CoO/Al2O3等,這些復合材料展現出比單一CoO 半導體更為優異的物理化學性能[5-17]。
本文在FTO 導電玻璃(SnO2∶F)上水熱生長CoO 納米線,并采用電沉積法將CdSe 納米顆粒組裝在CoO 納米線表面,成功制備CoO/CdSe 復合材料。利用X 射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)等手段對所得樣品的物相結構、微觀形貌進行表征,并通過紫外-可見分光光度計(UV-Vis)對其光學特性進行測試。
氯化鈷(CoCl2·6H2O)、尿素(CO(NH2)2)、氯化鎘(CdCl2·2.5H2O)、硒粉、亞硫酸鈉、氨三乙酸三鈉(Na3-nta)均為分析純;實驗用水為二次蒸餾水。
50 mL 聚四氟乙烯反應釜;DF-101S 集熱式恒溫加熱磁力攪拌器;DZF-6050 真空干燥箱;3-30K高速臺式冷凍離心機;OTF-1200X 開啟式真空管式爐;D8 Advance X 射線衍射儀;S-4300 掃描電子顯微鏡;JEM-2100 透射電子顯微鏡;U-3100 紫外可見分光光度計。
準確稱取0.02 mol 氯化鈷、0.1 mol 尿素溶于200 mL 蒸餾水中,劇烈攪拌至溶液透明。將已制備的透明溶液、FTO 導電玻璃置于聚四氟乙烯內襯高壓反應釜中,在90 ℃下反應4.0 h。待反應釜冷卻至室溫后,取出FTO 導電玻璃分別用蒸餾水和無水乙醇洗滌數次,于真空管式爐中425 ℃煅燒4.0 h,冷卻至室溫后取出即可得到CoO 納米線。
將0. 08 mol 硒粉、0. 2 mol 亞 硫 酸 鈉 溶 于200 mL蒸餾水中,在氮氣保護下,70 ℃回流至硒粉全部溶解,得無色透明 Na2SeSO3水溶液。將0.08 mol 氯化鎘、0. 12 mol 氨三乙酸三鈉 溶于50 mL蒸餾水中,再加入已制備的Na2SeSO3溶液,攪拌均勻后即可得CdSe 電沉積溶液。
將含CoO 納米線的FTO 導電玻璃放入CdSe 電沉積溶液中,FTO 導電玻璃接正極,鉑電極接負極,恒壓條件下電沉積5.0 min,取出FTO 導電玻璃依次用蒸餾水和無水乙醇洗滌數次,于真空管式爐中400 ℃煅燒1. 0 h,冷卻至室溫后即可得到CoO/CdSe 復合材料。
采用X 射線衍射儀對所得樣品進行物相結構分析;采用掃描電子顯微鏡、透射電子顯微鏡觀察所得樣品的微觀形貌;采用紫外-可見分光光度計測試所得樣品的光吸收性能。
圖1 為FTO 導電玻璃襯底上CoO 納米線及CoO/CdSe 復合材料的XRD 圖譜。
由圖1 可知,CoO 納米線的XRD 圖譜除襯底SnO2的衍射峰之外,2θ 值為36.5,42.4,61.5°的衍射峰分別對應立方相CoO(JCPDS No.48-1719)的(111)、(200)和(220)晶面,衍射峰峰型尖銳、強度較高,且沒有其它雜質峰,表明水熱法制備的CoO納米線結晶度較好、純度較高。由圖1 還可以看出,CoO/CdSe 復合材料的XRD 圖譜除襯底SnO2和CoO 的衍射峰之外,2θ 值為24.8,25.4,42.0,49.7°的衍射峰可標定為六方相CdSe 的(100)、(111)、(220)和(311)晶面,接近于JCPDS 卡片(No. 08-0459)的數值。CoO/CdSe 復合材料的制備,并沒有改變CoO 的物相結構,但衍射峰更窄、強度更高,表明CoO/CdSe 復合材料的結晶性較好。

圖1 CoO 納米線及CoO/CdSe 復合材料的XRD 圖譜Fig.1 XRD patterns of CoO nanowires and CoO/CdSe composites
利用掃描電子顯微鏡(SEM)和透射電子顯微鏡(TEM),對CoO 納米線及CoO/CdSe 復合材料的微觀形貌和尺寸進行分析,結果見圖2、圖3。

圖2 CoO 納米線(a)及CoO/CdSe 復合材料(b)的SEM 圖Fig.2 SEM images of CoO nanowires (a)and CoO/CdSe composites (b)
圖2a 為CoO 納米線的SEM 圖片,由圖可知,CoO 由大量表面光滑的納米線組成,直徑為100 ~200 nm,與圖3c 中CoO 納米線的TEM 圖片所得結果一致。圖2b 為CoO/CdSe 復合材料的SEM 圖片,由圖可知,電沉積后,納米線基本形貌不變,但表面變得粗糙,也可以清晰看到CoO 納米線表面粘附許多CdSe 納米顆粒,表明CdSe 納米顆粒成功組裝到CoO 納米線表面上,這一結果與圖3d 中CoO/CdSe復合材料的TEM 圖片保持一致。

圖3 CoO 納米線(c)及CoO/CdSe 復合材料(d)的TEM 圖Fig.3 TEM images of CoO nanowires (c)and CoO/CdSe composites (d)
為進一步確認組裝在CoO 納米線表面CdSe 納米顆粒的結構,利用高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)對CoO 納米線及CoO/CdSe 復合材料的微觀結構進行表征,結果見圖4。

圖4 CoO 納米線(e)及CoO/CdSe 復合材料(f)的HRTEM 圖Fig.4 HRTEM images of CoO nanowires (e)and CoO/CdSe composites (f)
由圖4e 可以清晰看出明顯的晶格條紋,經計算晶格間距約為0. 246 nm,對應于立方相CoO 的(111)晶面;圖4f 經過指標,其晶格間距約為0.35 nm,與六方相CdSe 的(111)晶面相對應。
CoO/CdSe 復合材料的形成過程見圖5,分兩步進行。首先,取含有CoO 納米線的FTO 導電玻璃,放入CdSe 電沉積溶液中,Cd(nta)24-因電場作用力吸附在CoO 納米線表面,且Cd(nta)24-可電離生成Cd2+和nta3-;然后,隨著SeSO32-的加入,SeSO32-在電沉積溶液中分解生成Se2-和SO32-,隨后Cd2+和Se2-反應生成CdSe,化學反應方程式見式(1、2、3、4和5)。隨著電沉積時間的延長,越來越多CdSe 晶核在CoO 納米線表面形成,且緊緊依附著CoO 納米線生長,形成CoO/CdSe 復合材料。

圖5 CoO/CdSe 復合材料的生長過程Fig.5 Schematic diagram of the growth process of CoO/CdSe composites

圖6 為CoO 納米線及CoO/CdSe 復合材料的紫外-可見吸收光譜。

圖6 CoO 納米線及CoO/CdSe 復合材料的紫外-可見吸收光譜Fig.6 UV-Visible absorption spectra of CoO nanowires and CoO/CdSe composites
由圖6 可知,CoO 納米線的吸收帶邊為470 nm,將CdSe 納米顆粒組裝在CoO 納米線表面后,CoO/CdSe 復合物的吸收帶邊明顯紅移至750 nm 左右。這種紅移現象原因在于帶隙較窄的CdSe 納米顆粒(1. 68 eV)組裝到帶隙較寬的 CoO 納米線(2.70 eV)表面后,在一定程度上擴大其光譜響應的范圍[18-20]。此外,CoO 和CdSe 的導帶、價帶相對位置不同,當CdSe 納米顆粒組裝在CoO 納米線表面后,不僅能夠增加其表面的活性位點,抑制光生電子-空穴對的復合率,也能夠減小其能帶隙,降低電子激發所需的能量,從而增強CoO/CdSe 復合材料的光吸收強度。
本文采用電沉積法成功制備CoO/CdSe 復合材料。表征結果顯示,所得樣品由立方相CoO 納米線和六方相CdSe 納米顆粒組成,且CdSe 納米顆粒均勻地負載在CoO 納米線表面。光學性能測試表明,與CoO 納米線相比,CoO/CdSe 復合材料具有較強的光吸收性能,且出現一定程度的紅移現象。
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