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己二酸是重要的工業制劑、原料,國內普遍以環乙醇、環已酮為原料,在催化劑作用下,經過量硝酸氧化生產己二酸,收率可達到94%左右,生產出的己二酸溶液還含有較多的戊二酸、丁二酸副產品。為分離獲得己二酸,還需對產出溶液進行結晶、脫色、再結晶,從而獲得高純度的已二酸產品。
晶體在溶液中析出過程即為結晶。已二酸結晶亦不例外,其晶核形成可分為初級均相成核、初級非均相成核、二次成核三個類型,也代表結晶成核的三個過程。晶體顆粒的大小是影響產品質量的主要因素,顆粒越大,比表面積越小,顆粒表面附著的雜質越少,產品的純度、品質越高。初級均相成核主要受溶液性質、己二酸純度、溫度、溶液飽和度等因素影響,也是流程控制重點,可控性強。二次成核速率與溶液過飽和度、溫度、雜質等因素影響,溶液化學組成、晶體結構特點其決定性作用。
國內己二酸裝置真空冷卻結晶工藝流程大同小異。結晶器有多個串聯的結晶室,溶液依次進出隔室,完成整個析出過程,各室之間以虹吸管連通,頂部有冷凝器、真空系統,后者可控制隔室內溫度,各室內壓力呈梯度變化,溶液在壓力差下順應流動,溶劑中的水份大量蒸發散熱,從而使己二酸從溶液中析出,為加速這一過程,加快熱交換,還常進行攪拌、過濾、分離作業。
己二酸裝置真空冷卻結晶過程是一個動態的持續性的過程,對一個結晶室進行單獨控制,無法獲得理想效果。一個結晶室結晶過程發生變化,理論上可影響其后所有結晶過程,但通過調控,一定程度上可削弱這種影響,使最后一個結晶室二次成核達到滿意效果,但一旦發生差錯,可影響整個工藝流程生產效率。故,需對所有結晶室進行動態控制[1]。
連續生產過程中,結晶析出的己二酸初結晶往往具有較強的吸附性,易在隔室內壁結疤,不僅影響隔室有效體積,影響溶液整體流動性,還可能聚集在攪拌器附近,影響攪拌功率,甚至可能發生堵塞,損毀儀器設備。
結疤可分為液面上結疤與液面下結疤兩類,前者主要是因產物沸騰、攪拌濺射在內壁上逐漸聚集的結疤,后者主要是微結晶引起的結疤。結晶器中,微結晶主要發生在前幾室,物料溫度降溫快,溶解度迅速降低,時間短,結晶來不及形成大顆粒而形成微結晶,微結晶表面積大,吸附力強,易在液面下吸附在室壁上。
為提高儀器使用壽命,延長結晶器運行周期,結晶室內均設置有清洗裝置,可對壁面、溢流管進行沖洗,避免堵管,提高結晶室工作效率。同時,通過調整結晶室內壓力,控制溫度,也可以溶解結疤的結晶。
結晶過程中晶核形成、晶體成長受溫度影響較大,降溫過速則析出速度過快,真空結晶器中壓力直接影響溫度,故合理調控結晶器中溫度非常重要。按照標準設置壓力梯度后,還應據進料、結晶器狀態,定期調教真空表,規避指示儀器本身誤差,使整個結晶過程各室內溫度、壓力達到理想狀態。
微結晶形成主要與結晶內溶液己二酸的過飽和度過高有關,在原有的壓力與溫度控制下,己二酸過飽和度,析出度上升,結晶生成過速,結晶微粒相互之間無法凝聚,而形成微結晶。在結晶器開始結晶室加入含有已二酸結晶的溶液,以溶液中的己二酸結晶作為晶種,有助于加速晶體凝結,對后續的結晶室產生較深遠的影響。加入的己二酸結晶液應嚴格測算,遵循先加入,后調控原則,通過幾次連續生產,測算得出最佳的晶種溶液比例[2]。
攪拌對結晶形成影響較大,若速度過快,增大了碰撞成核的概率,使晶體碰撞、摩擦,促晶核生成,同時攪拌加速了熱量耗散,也有助于晶體析出。通過控制各室攪拌速度可控制晶核成長速度。一般來說,應控制整個成核流程中各室晶核由少向多發展,攪拌速度應與室內溫度、壓力相協調。
現代化數控已被應用于己二酸結晶制備,結晶器內上方均安裝有攝像頭,工作人員可據此直觀的觀察結晶狀況、結晶條件,同時結晶室內均有收集壓力、溫度、攪拌速度等參數的傳感器,可將數據實時傳輸至數控中心,工作人員據此操作,可實現對整個流程的控制。為保障整個工藝順利、安全,工作人員還需進行沖洗壁面、壓力調整的操作[3]。
己二酸裝置真空冷卻結晶單元操作是一個系統性工作,工作人員應掌握整個工藝流程原理,了解結晶析出影響因素,明確各室氣壓、溫度等參數意義,掌握整個工藝流程,熟練的運用集控中心監控設備。工作人員應積極積累經驗,學會相關性分析,積極總結各結晶室參數與結晶生產效率之間的關系,不斷優化操作,提高結晶器整體生產效用。工作人員還應大膽創新,學會基本的設備改造技術,從細節入手,優化操作。
[1]崔紅燕,魯長海.己二酸結晶器擴產技術改造[J].河北化工,2009,32(12):47-49.
[2]曾勇.己二酸結晶分離技術中關鍵設備—結晶器的制造與檢驗管理[J].化工管理,2014(2):90-91.
[3]汪鎮安.化工工藝設計手冊(第三版)[M].北京:化學工業出版社,2001:608-610.