2015年以來實施或即將實施的含硅系列標準

GB/T 12963—2014《電子級多晶硅》。規定了多晶硅的要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸、儲存、質量證明書和訂貨單(或合同)內容。適用于以氯硅烷、硅烷制得的多晶硅。

GB/T 14849.5—2014《工業硅化學分析方法 第5部分：雜質元素含量的測定X射線熒光光譜法》。規定了工業硅中鐵、鋁、鈣、錳、鎳、鈦、銅、磷、鎂、鉻、釩、鈷含量的測定方法。適用于工業硅中鐵、鋁、鈣、錳、鎳、鈦、銅、磷、鎂、鉻、釩、鈷含量的測定。

GB/T 2881—2014《工業硅》。規定了工業硅的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存和訂貨單（或合同）的內容。適用于礦熱爐內炭質還原劑與硅石熔煉所生產的工業硅，主要用于配制合金、制取多晶硅和生產有機硅等。

GB/T 30656—2014《碳化硅單晶拋光片》。規定了4H及6H碳化硅單晶拋光片的要求、檢驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、儲存、質量證明書及訂貨單（或合同）內容。適用于4H及6H碳化硅單晶研磨片經單面或雙面拋光后制備的碳化硅單晶拋光片。產品主要用于制作半導體照明及電力電子器件的外延襯底。

GB/T 30866—2014《碳化硅單晶片直徑測試方法》。規定了用千分尺測量碳化硅單晶片直徑的方法。適用于碳化硅單晶片直徑的測量。

GB/T 30867—2014《碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法》。規定了碳化硅單晶片厚度及總厚度變化(TTV)的測試方法，包括接觸式和非接觸式2種方式。適用于直徑不小于30mm、厚度為0.13～1mm的碳化硅單晶片。

GB/T 30869—2014《太陽能電池用硅片厚度及總厚度變化測試方法》。規定了太陽能電池用硅片（以下簡稱硅片）厚度及總厚度變化的分立式和掃描式測量方法。適用于符合GB/T 26071、GB/T 29055規定尺寸的硅片的厚度及總厚度變化的測量，分立式測量方法適用于接觸式及非接觸式測量，掃描式測量方法只適用于非接觸式測量。在測量儀器準許的情況下，也可用于其他規格硅片的厚度及總厚度變化的測量。

GB/T 31034—2014《晶體硅太陽電池組件用絕緣背板》。規定了晶體硅太陽電池組件用絕緣背板的分類、要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、運輸和貯存。適用于晶體硅太陽電池組件用絕緣背板。

GB/T 31058—2014《電子工業用氣體 四氟化硅》。規定了四氟化硅的技術要求、試驗方法、標志、包裝、運輸和貯存等內容。適用于螢石硫酸法、六氟硅酸鹽熱分解法、單質硅直接氟化法制備的四氟化硅。它主要用作電子工業中等離子蝕刻、發光二極管P形摻雜、離子注入工藝、外延沉積擴散的硅源和光導纖維用高純石英玻璃的原料，也是生產多晶硅的重要原料。

GB/T 31289—2014《海工硅酸鹽水泥》。規定了海工硅酸鹽水泥的定義、組成與材料、強度等級、技術要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、運輸與貯存等。適用于海工硅酸鹽水泥。

GB/T 31351—2014《碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法》。規定了4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片的微管密度的無損檢測方法。適用于4H晶型和6H晶型碳化硅單晶拋光片經單面拋光或雙面拋光后、微管的徑向尺寸在1微米至幾十微米的微管密度的測量。

GB/T 31545—2015《核電工程用硅酸鹽水泥》。規定了核電工程用硅酸鹽水泥的定義、材料要求、強度等級、技術要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、運輸和貯存等。適用于核電工程用硅酸鹽水泥。

GB/T 3884.16—2014《銅精礦化學分析方法 第16部分：二氧化硅量的測定氟硅酸鉀滴定法和重量法》。規定了銅精礦中二氧化硅含量的測定方法。適用于銅精礦中二氧化硅含量的測定。方法1的測定質量分數為0.50%～32.00%；方法2的測定質量分數為0.50%～40.00%（注：本部分方法2為仲裁方法）。

GB 51034—2014《多晶硅工廠設計規范》。其中，第4.2.8、6.1.3(9)、6.1.6(3)、6.2.8(3)、8.1.1、8.2.1(2、3、5)、8.2.5(3)、8.3.1(2、3)、8.3.2(2)、8.6.4、9.1.3、9.3.4、9.4.3、9.5.2、10.1.3、10.3.4、10.3.6、10.3.9、11.1.6、11.2.3、12.2.5條（款）為強制性條文，必須嚴格執行。適用于采用三氯氫硅氫還原法的新建、擴建和改建多晶硅工廠的工程設計，也適用于硅烷歧化法多晶硅廠中三氯氫硅合成、四氯化硅氫化和氯硅烷提純的工程設計。

GB/T 6730.10—2014《鐵礦石 硅含量的測定 重量法》。規定了用重量法測定鐵礦石中硅含量。適用于天然鐵礦石、鐵精礦和人造塊礦，包括燒結產品。測定范圍：質量分數1.00%～15.00%。方法1不適用于還原劑質量分數大于2%的鐵礦石，例如黃鐵礦，或氟質量分數超過0.1%的鐵礦石。此法推薦用于兩性元素含量較高的低品位礦石。方法2可用于氟質量分數量大于0.1%的鐵礦石。此法推薦用于含脈石低的高品位礦石。

HG/T 4692—2014《工業氟硅酸銨》。規定了工業氟硅酸銨的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、標簽、包裝、運輸、貯存。適用于工業氟硅酸銨。該產品用于阻燃劑、玻璃蝕刻劑、紡織品的防蛀劑、木材防腐劑、洗衣粉添加劑、印染、鍍鎳鈍化、潤滑劑添加劑及制備多晶硅等。也用于輕金屬澆鑄，銅、鐵、鋅的電鍍液、綠砂中提鉀及制取人造冰晶石和氯酸銨等。

HG/T 4693—2014《工業氟硅酸鉀》。規定了工業氟硅酸鉀的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、標簽、包裝、運輸、貯存。適用于工業氟硅酸鉀。該產品用于光學玻璃制造、陶瓷制造、合成云母、鋁鎂的冶煉及稀有金屬的提取等，還用于電碳材料添加劑、木材防腐劑、殺蟲劑、焊接材料和鉻電鍍等。

HG/T 4734—2014《紡織染整助劑 氨基硅油柔軟劑 黃變性能的測定》。規定了紡織染整助劑中氨基硅油柔軟劑黃變性能測定的試驗方法。適用于紡織染整助劑中氨基硅油柔軟劑黃變性能的測定。

HG/T 4755—2014《聚硅氧烷涂料》。規定了聚硅氧烷涂料的要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝和貯存等內容。適用于以含反應性官能團的聚硅氧烷樹脂為主要成膜物，并加入適量的改性樹脂、顏填料、助劑、溶劑等輔料，非多異氰酸酯固化的常溫固化型鋼結構表面用高耐久性面漆。

HG/T 4789—2014《工業用甲基三乙氧基硅烷》。規定了工業用甲基三乙氧基硅烷的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存和安全。適用于以甲基三氯硅烷為原料，與乙醇反應后精制而得的甲基三乙氧基硅烷。

HG/T 4804—2015《甲基高含氫硅油》。規定了甲基高含氫硅油的產品結構式、要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存。適用以甲基二氯硅烷為原料，三甲基一氯硅烷為封端劑，在酸性介質中聚合而成的甲基高含氫硅油。

JB/T 3078—2015《電氣絕緣用漆 有機硅浸漬漆》。規定了電氣絕緣用有機硅浸漬漆的分類與命名、要求、試驗方法、檢驗規則、包裝、標志、貯存和運輸。適用于電氣絕緣用H級有機硅浸漬漆。

JB/T 7093—2015《絕緣軟管 硅樹脂玻璃纖維自熄管》。規定了電氣用硅樹脂玻璃纖維自熄管的產品分類、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存。適用于由無堿玻璃纖維編織管經高溫處理涂以有機硅共聚樹脂而成的電氣用自熄管。

JB/T 9448—2015《靜電復印機用硅橡膠定影壓力輥技術條件》。規定了靜電復印機用硅橡膠定影壓力輥的技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存的要求。適用于靜電復印機用硅橡膠定影壓力輥，激光打印機用硅橡膠定影壓力輥可參照執行。

JC/T 2235—2014《混凝土用硅質防護劑》。規定了混凝土用硅質防護劑的術語和定義、分類、標記、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標識、保證、運輸及貯存。適用于噴涂或刷涂在混凝土表面，通過滲透到混凝土內部且不明顯改變混凝土外觀，從而達到提高混凝土表面性能的硅質防護劑產品。

JC/T 2236—2014《預應力高強混凝土樁用硅砂粉應用技術規程》。規定了硅砂粉在預應力高強混凝土樁生產中作為混凝土摻合料替代部分水泥使用時的進貨要求、運輸和儲存要求、工藝技術要求。適用于采用蒸壓養護工藝時硅砂粉在預應力高強混凝土樁生產中使用的技術規定。硅砂粉在其它混凝土制品生產中使用時也可參照執行。

JC/T 2247—2014《硅酸鋯研磨介質球》。規定了硅酸鋯研磨介質球的術語和定義、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及標志、包裝、運輸和貯存等。適用于尺寸介于φ0.5～15mm、硅酸鋯原料質量分數大于60%的研磨介質球。

JC/T 2273—2014《硅烷/硅氧烷建筑防護劑中有效成分含量及有害物質測定方法》。規定了硅烷/硅氧烷建筑防護劑中有效成分和有害物質測定的術語和定義、試驗方法和試驗報告。適用于硅烷、硅氧烷建筑防護劑中硅烷和硅氧烷有效成分的測定。適用于硅烷、硅氧烷建筑防護劑中甲醇、苯、甲苯、乙苯和二甲苯總和、揮發性有機化合物、水溶性氯離子等有害物質的測定。

JT/T 991—2015《橋梁混凝土表面防護用硅烷膏體材料》。規定了橋梁混凝土表面防護用硅烷膏體材料的術語和定義、分類和標記、技術要求、試驗方法、檢驗規則，以及標志、包裝、運輸和儲存。適用于對混凝土橋梁結構表面防護用的硅烷膏體材料的生產和使用。

QB/T 2346—2015《口腔清潔護理用品牙膏用二氧化硅》。規定了牙膏用二氧化硅的產品分類、要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸、貯存和保質期。適用于化學反應方法制備之二氧化硅系列產品，主要用于牙膏。

SJ/T 11491—2015《短基線紅外吸收光譜法測量硅中間隙氧含量》。規定了用短基線紅外光譜法測定硅中間隙氧含量。

SJ/T 11493—2015《硅襯底中氮濃度的二次離子質譜測量方法》。規定了用二次離子質譜法（SIMS）對硅襯底單晶體材料中氮總濃度的測試方法。

SJ/T 11494—2015《硅單晶中III-V族雜質的光致發光測試方法》。規定了硅單晶中硼、磷雜質的光致發光測試方法。

SJ/T 11495—2015《硅中間隙氧的轉換因子指南》。規定了硅中間隙氧的轉換因子指南。

SJ/T 11498—2015《重摻硅襯底中氧濃度的二次離子質譜測量方法》。規定了用二次離子質譜法（SIMS）對重摻硅襯底單晶體中總氧含量的測試方法。

SJ/T 11499—2015《碳化硅單晶電學性能的測試方法》。規定了利用范德堡法測試6H、4H等晶型碳化硅單晶的導電類型、電阻率、遷移率、載流子含量的方法。

SJ/T 11500—2015《碳化硅單晶晶向的測試方法》。規定了利用X射線衍射定向法測定6H、4H等晶型碳化硅單晶晶向的方法。

SJ/T 11501—2015《碳化硅單晶晶型的測試方法》。規定了利用拉曼光譜測定碳化硅單晶的結晶類型的方法。

SJ/T 11502—2015《碳化硅單晶拋光片規范》。規定了碳化硅單晶拋光片的術語和定義、技術要求、試驗方法、檢驗規則以及包裝、標志、貯存和運輸等內容。

SJ/T 11503—2015《碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測試方法》。規定了用表面輪廓儀和原子力顯微鏡測定碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的方法。

SJ/T 11504—2015《碳化硅單晶拋光片表面質量的測試方法》。規定了碳化硅單晶拋光片表面質量的目視檢驗方法，觀察樣品表面的六方孔洞、劃痕、凹坑、顆粒、沾污、亮點缺陷、裂紋、崩邊的數量并用鋼板尺測量劃痕的總長度等。

DB 33/972—2015《太陽能晶體硅單位產品可比電耗限額及計算方法》。規定晶體硅太陽能電池生產過程中，單位產品可比電耗限額及計算方法。適用于浙江省內晶體硅太陽能電池生產企業單位產品可比電耗的計算、考核及電耗控制。