胡靜
(成都工業(yè)學院 機械工程系,成都 611730)
TC4 鈦合金由美國于1954 年研制成功[1]。它是一種α+β 等軸馬氏體型兩相合金,密度小、耐高溫、比強度高、耐腐性好、抗氧化性能好,被廣泛應用于航空航天、武器裝備、艦船及醫(yī)學等領域中,約占鈦合金總產量的50%。在金屬壓力加工中引入電流,電子的定向運動促進微觀形變,有利于塑性變形。材料發(fā)生塑性變形所需的應力越小,則其變形抗力越小,塑性越好。鈦合金的力學性能對電力學參數敏感,因此,研究高溫壓縮過程中電流大小對TC4 鈦合金力學行為的影響,對實現工藝參數優(yōu)化和提高工件質量是非常有意義的。
高溫壓縮試驗是利用電流作為加熱源,以不同的升溫速度分別加熱不同晶粒度的TC4 鈦合金。
本次電塑性壓縮試驗材料為若干φ5×7.5 mm TC4 鈦合金小圓柱體試樣,平均晶粒度分別為8 μm、16 μm 和20 μm,退火態(tài),等軸α+β 組織。化學成分質量分數如下:Ti,6.50%Al,4.25%V,0.16%O,0.04%Fe,0.02%C,0.015%N,0.0018%H 和其他。
利用Gleeble-1500D 動態(tài)熱-力學模擬機完成TC4鈦合金高溫壓縮實驗。熱-力學模擬機利用閉環(huán)控制的直流電阻加熱方式加熱試樣,工藝路線為:分別以10 ℃/s 和50 ℃/s 的升溫速度將試樣加熱至變形溫度700 ℃,變形速率為10-3/s,變形量為35%,水淬。
熱-力學模擬機根據預設升溫速度控制輸出電流大小,且滿足下式:

式中:I 為通過試樣的電流;A 為試樣橫截面積;ρ 為試樣的密度;C 為試樣的比熱容;σ 為試樣的電阻系數;dT/dt為試樣的預設升溫速度。
由式(1)可知,試樣一定,I 與dT/dt 相關,理想狀態(tài)時I2∝dT/dt。得到以下結論:利用熱-力學模擬機進行高溫壓縮時,通過試樣的電流大小與預設升溫速度大小有關。預設升溫速度大,則實際通過試樣的電流大;預設升溫速度小,則實際通過試樣的電流小。

材料內部任意一點的局部應力都是由外加應力和內應力組成[2],即其中:τloc為作用于滑移面上的局部應力;τ 為外加應力;τi為內應力。
外加應力由熱-力學模擬機的力學控制系統(tǒng)提供,它促進位錯的可動性。內應力包括晶格摩擦力、長程內應力、滑移位錯與林位錯之間產生的交互作用力和阻力,長程內應力促進位錯可動性,其余應力阻礙位錯可動性。當促進位錯發(fā)生的應力和大于阻礙位錯發(fā)生的應力和時,位錯可動,否則位錯不可動。當微觀變形達到臨界條件后,便產生宏觀上的塑性變形[3]。
本實驗分別以10 ℃/s 和50 ℃/s 的升溫速度將試樣加熱至700 ℃進行壓縮,整個過程可以分為兩個階段:升溫階段和保溫階段(恒溫變形階段)。升溫階段利用電流加熱試樣,電流產生的焦耳熱為試樣提供熱量,電流帶來的電塑性作用十分明顯。
由焦耳-楞次定律,電流通過試樣時產生的熱量[4-5]

式中:Q 為電流通過試樣產生的熱量;R 為試樣的電阻值;t 為通電時間。
圖1 是分別以10 ℃/s 和50 ℃/s 的預設升溫速度加熱時測得的實際溫度-時間曲線圖。從圖中可以看出,曲線幾乎呈斜直線上升至700 ℃,這說明在整個升溫過程中升溫速度基本恒定。曲線在起始端有波動,這是因為對試樣突然施加電流造成的不穩(wěn)定現象,在之后的整個過程中曲線未出現明顯波動,說明試樣自身的參數(如密度、比熱容和電阻等)變化對溫度的影響不大。由式(1)知,I2∝dT/dt,綜合考慮ρ、C 和σ 對電流的影響,可將它們共同的作用視為恒量,所以在升溫速度一定時,電流大小也基本恒定。升溫過程中,為了討論電阻效應,我們利用應力-溫度曲線對比同溫度不同升溫速度下的應力值大小,即排除焦耳熱差異帶來的應力變化。圖2 是晶粒度分別為8 μm、16 μm 和20 μm 的TC4 鈦合金在10 ℃/s和50 ℃/s 升溫速度下的應力-溫度曲線圖,該圖反映電流大小對升溫過程應力值的影響。相同晶粒度不同升溫速度下得到的應力-溫度曲線差異很大,以升溫速度10 ℃/s加熱試樣時的應力值明顯大于升溫速度為50 ℃/s 時的應力值。這主要是因為電子的定向運動有促進位錯運動的作用,隨著電流的增大,定向運動電子數越多,對位錯的影響愈明顯。圖2(a)、(b)、(c)中,升溫速度為10 ℃/s 時應力峰值分別為600 MPa、500 MPa 和500 MPa,升溫速度為50 ℃/s 時應力峰值分別為300 MPa、260 MPa 和300 MPa。應力越小,材料抵抗變形的能力越差,塑性越好。由此可知電流越大,越容易誘發(fā)材料變形,這對材料的塑性是有利的。

圖1 不同升溫速度的溫度-時間曲線圖

圖2 不同升溫速度的應力-溫度曲線圖
相同溫度時,小電流作用下,電子活躍程度低,熱運動不是特別劇烈,激活能低,所以應力大,曲線先上升后下降。大電流作用下,電子活躍程度高,熱運動劇烈,激活能高,所以應力小,曲線一直上升,見圖2(d)。因為小電流加熱試樣一段時間,溫度升到500 ℃時,在焦耳熱和電流的耦合作用下,原子熱運動和電子定向運動的持續(xù)作用使得應力下降。大電流加熱試樣時升溫速度更快,在很短的時間內便升到了700 ℃,持續(xù)作用效應沒有體現出來。最后,二者到達700 ℃時的應力大小基本相同。總的來說,電流小,則應力大且急劇上升;電流大,則應力小且平穩(wěn)上升。大電流作用更有利于塑性變形。
通電前,試樣內的電子做雜亂無章的運動,在通電的瞬間,電子做定向運動,突然加劇電子與晶格的碰撞,導致晶格的熱運動加劇[6],溫度急劇上升,所以圖中的起始溫度約100 ℃。升溫速度大小對起始溫度影響不大。
圖3 是晶粒度分別為8μm、16μm 和20μm 的TC4鈦合金在以升溫速度10 ℃/s 和50 ℃/s 作用下的真應力-真應變曲線。由圖可知,以電流作為加熱源壓縮時,主要軟化機制為動態(tài)再結晶。應力逐漸下降,未出現波動,故為連續(xù)動態(tài)再結晶過程。材料內部積累了足夠高的位錯密度后,在一定大小的驅動力作用下,便可發(fā)生動態(tài)再結晶[7]。圖3 中,電流越大,發(fā)生動態(tài)再結晶軟化時的臨界變形量越小,說明電流的增大可以提前動態(tài)再結晶軟化過程。

圖3 不同電流大小的真應力-真應變曲線圖
圖3 中曲線1 應力值在變形初期驟增,達到峰值后急劇下降,最后緩慢降低,趨于穩(wěn)定。因為以10 ℃/s 的速度加熱時,通過試樣的電流值較小,材料內部雖然產生了大量位錯,但是畸變能還不足以誘發(fā)大量動態(tài)再結晶,加工硬化占主導地位。加熱到一定溫度后,在溫度和電流的共同作用下開始發(fā)生動態(tài)再結晶軟化,由于前期儲存大量位錯,所以一旦誘發(fā)動態(tài)再結晶軟化則應力下降明顯。當加工硬化和動態(tài)軟化趨于平衡狀態(tài)時,流變應力緩慢降低,趨于穩(wěn)定。圖中曲線2 以50 ℃/s 的速度加熱時,通過試樣的電流值大,電流提供更高的變形能,促進位錯運動,所以該曲線出現了典型的應變硬化階段和穩(wěn)態(tài)流變階段,符合典型的動態(tài)再結晶特點。
壓縮變形初期,在電流和壓力的共同作用下,位錯啟動并產生大量新的位錯,導致位錯迅速增殖,產生加工硬化,應力迅速上升。隨著變形量的不斷增加,位錯密度增加,動態(tài)再結晶加快,軟化作用加強,當軟化作用大于加工硬化作用時,曲線開始下降,應力降低,此時的應力在峰值和屈服應力之間,屬于穩(wěn)態(tài)。
電流能降低材料的動態(tài)再結晶溫度、促進動態(tài)再結晶軟化,電流越大效果越明顯。同時,電流越大電子活躍程度也越大,因此材料內部的晶格摩擦力、位錯交互力和阻力也越大,τloc發(fā)生變化。當τloc≤0 時,部分可動位錯變成不可動位錯,造成位錯塞積,軟化能力受到影響。電流越大,動態(tài)再結晶軟化能力越差,穩(wěn)定態(tài)的應力越大;電流越小,動態(tài)再結晶軟化能力越好,穩(wěn)定態(tài)的應力越小。這就是曲線2 的應力值大于曲線1 應力值的原因,相同應變時二者的應力值相差約50 MPa。
1)以電流加熱試樣的升溫階段,小電流作用下,應力大且急劇上升,到達峰值后急劇下降;大電流作用下,應力小且平穩(wěn)上升。升溫至預設變形溫度700 ℃時二者應力大小基本相同。大電流作用更有利于塑性變形。
2)在試樣上施加大電流可以使其提早進入動態(tài)再結晶過程,無應力驟增現象,塑性變形均勻,但其穩(wěn)定態(tài)的應力大。施加小電流時進入動態(tài)再結晶過程較晚,且在變形初期應力驟增,不利用塑性變形,但其穩(wěn)定態(tài)的應力小。
3)鈦合金是高層錯能金屬,一般情況下其主要軟化機制是動態(tài)回復。本次實驗的變形溫度為700 ℃,低于其理論再結晶溫度。由真應力-真應變曲線知,TC4 鈦合金在其再結晶溫度以下發(fā)生了明顯的動態(tài)再結晶軟化,減小了材料在塑性變形過程中的抗力,從而說明電流能使層錯能高的材料在較低溫度下發(fā)生動態(tài)再結晶軟化,降低變形抗力,有利于塑性變形。
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